混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對微小的納米級缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓廠級的潔凈室，以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要?！半S著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜，并且所涉及的功能越來越小，有效的工藝控制的需求也在不斷增長。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具，失敗的成本很高。”CyberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間，有用于形成垂直電氣連接的凸塊?？刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對于確保堆疊...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測試成品率,減少探針卡測試問題,防止探針卡的異常損壞,延長探針卡的使用壽命,降低測試成本,提高測試良率和測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對65納米的晶圓測試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問...

產(chǎn)品可用性EVG目前正在接受該系統(tǒng)的訂單，產(chǎn)品演示現(xiàn)已在位于公司總部的EVG的NILPhotonics?能力中心提供。有關(guān)EVG7300自動化SmartNIL納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)的更多信息，請?jiān)L問。3、EVG參加SPIEAR/VR/MR2022EVG在SPIEAR/VR/MR會議和展覽上就NIL在制造增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)波導(dǎo)中的好處進(jìn)行受邀演講，該會議與在舊金山Moscone中心舉行的SPIEPhotonicsWest共同舉辦1月22日至27日。EVG也是此次活動的參展商，將展示其用于光學(xué)和光子器件及應(yīng)用的先進(jìn)制造解決方案。4、關(guān)于EV集團(tuán)(EVG)EVGroup(EVG)是半導(dǎo)體、微機(jī)電...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。較廣的用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制成測試回路，于IC封裝前，以探針針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速發(fā)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高級密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展，本文就介紹探針卡分類記住要設(shè)計(jì)參數(shù)。探針卡發(fā)展概括及種類：隨著晶圓技術(shù)的不斷提升，探針卡的種類不斷地更新。較早的...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試機(jī)構(gòu)構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制程的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高積密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進(jìn)步，但我們應(yīng)看到探針...

c)b0c臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢必將再次侵蝕臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者2015年運(yùn)營市場利潤。臺系NB相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場，MacBookAir幾乎是在全球NB市場猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營不僅面臨全球NB市場需求量...

當(dāng)前，我國超大規(guī)模和極大規(guī)模集成電路處于快速發(fā)展時(shí)期，隨著集成電路技術(shù)從深亞微米向90-65-45納米技術(shù)推進(jìn)，大幅度提高芯片測試準(zhǔn)確性和測試效率是集成電路生產(chǎn)中迫切需要解決的問題。本項(xiàng)目研發(fā)的超高速、超高頻芯片測試探針卡是實(shí)現(xiàn)集成電路超高速、超高頻芯片測試的重要環(huán)節(jié)，是實(shí)現(xiàn)高速、高效測試的重要保障。同時(shí)，測試探針卡研究成果將沖破國外廠商對我國超高頻芯片測試探針卡設(shè)計(jì)制作技術(shù)的壟斷，為我國自主研制和生產(chǎn)超快速、超高頻芯片測試探針卡開拓道路，為實(shí)現(xiàn)超高頻芯片測試探針卡國產(chǎn)化研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。由于本項(xiàng)目研制出的成果切合我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，具有很大的推廣前景，與此同時(shí)，本...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一。近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向32奈米以下挺進(jìn)。目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CPU等。上述高階封裝方式單價(jià)高昂，如果能...

鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān)，共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重，會產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定：彈簧探針的自然共面性（受與晶圓距離的影響）以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測試300mm晶圓時(shí)，傾斜程度不變但距離卻加倍了，就會產(chǎn)生共面性問題。由于傾斜造成探針卡部分更靠近晶圓，而隨著每個(gè)彈簧向系統(tǒng)中引入了更多的力，造成的過量行程將更大，產(chǎn)生更大的劃痕，與此同時(shí)部分由于傾斜而遠(yuǎn)離的部分還會有接觸不良的問題，留下的劃痕也幾乎不可見?？紤]到大面積的300mm晶圓，以及需要進(jìn)行可重復(fù)的接觸測試，將探針卡向系統(tǒng)傾斜便相當(dāng)有吸引力。...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

探測卡又稱為探針卡用來測試芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護(hù)。一．探針卡的存放：１，請勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會使您的探針卡受到損壞。２，請勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的環(huán)境下，并以堅(jiān)固的容器保存。避免...

整個(gè)過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動過程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后，將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了單一的鑲嵌工藝。單一大馬士革工藝是一項(xiàng)成熟的技術(shù)?；旧?，氧化物材料沉積在晶片上。在氧化物材料中對微小的通孔進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。使用沉積工藝在通孔中填充銅。這繼而在晶片表面上形成銅互連或焊盤。銅焊盤相對較大，以微米為單位。此過程有點(diǎn)類似于當(dāng)今工廠中先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。但是，對于高級芯片而言，蕞大的區(qū)別在于銅互連是在納米級上測量的。那瑾瑾是過程的開...

真空蒸發(fā)法（ Evaporation Deposition ）采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子（或原子）的平均自由程長（ 10 -4 Pa 以下，達(dá)幾十米），所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動的能量，立即凝結(jié)在基片的表面，所以，在具有臺階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時(shí)，一般，表面被覆性（覆蓋程度）是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空（ <10 – 8 torr ），并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長（ MBE ： Molecular Be...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測試以及晶圓封裝。晶圓測試又可區(qū)分為晶圓針測與晶粒封裝后的后面的測試(FinalTesting),而兩個(gè)測試的差別是晶圓測試是是針對芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測試成本,而晶粒封裝后的功能測試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來,以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對於前段制程來說,它其實(shí)還有...

自去年末以來，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會對中國臺灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場佳音，因此2015年的市場中包括智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對此媒體稱將會為2015年臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者運(yùn)營成長造成不利影響，業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好，臺系IC設(shè)計(jì)業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國家智能型手機(jī)市場需求一直沒有...

混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對微小的納米級缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓廠級的潔凈室，以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要?！半S著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜，并且所涉及的功能越來越小，有效的工藝控制的需求也在不斷增長。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具，失敗的成本很高?！盋yberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間，有用于形成垂直電氣連接的凸塊?？刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對于確保堆疊...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。較廣的用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制成測試回路，于IC封裝前，以探針針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速發(fā)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高級密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展，本文就介紹探針卡分類記住要設(shè)計(jì)參數(shù)。探針卡發(fā)展概括及種類：隨著晶圓技術(shù)的不斷提升，探針卡的種類不斷地更新。較早的...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)波導(dǎo)和晶圓級微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報(bào)道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動化SmartNIL納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

IC測試主要分為晶圓探針卡測以及廢品測試，其主要功用為檢測出IC在制造過程中所發(fā)作的瑕疵并找出其中基本緣由，以確保產(chǎn)品良率正常及提供測試材料作為IC設(shè)計(jì)及IC制造剖析之用。晶圓探針卡測是針對整個(gè)芯片上的完好晶粒，以探針的方式扎在每顆晶粒上的焊墊停止檢測，用來挑選芯片上晶粒之良品與不良品，另外在內(nèi)存晶圓測試時(shí)，可針對可修護(hù)之晶粒予以雷射修補(bǔ)，以進(jìn)步芯片的良率；但是，如何減少測試時(shí)間與降低測試時(shí)所發(fā)作的誤宰，則是晶圓針測中的瓶頸。在測試消費(fèi)線上，昂貴的測試機(jī)臺為主要的消費(fèi)設(shè)備，機(jī)臺折舊為主要的營運(yùn)本錢，也就是說機(jī)臺閑置一個(gè)小時(shí)就有一個(gè)小時(shí)的折舊損失，因而，機(jī)臺的產(chǎn)能應(yīng)用率就關(guān)系到一個(gè)測...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場推動了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象；智能手機(jī)及新型的物聯(lián)網(wǎng)市場帶動傳感器市場的成長；16年呈負(fù)增長的IC器件有DRAM、數(shù)字信號處理芯片、NOR閃存、其他存儲器、SRAM及CCD圖像傳感器等行業(yè)景氣度下滑主要因素，匯率變化、手機(jī)及消費(fèi)電子3G-4G高成長期過了；未來隨著新的產(chǎn)能，新的技術(shù)的到來又會重回增長，集成電路周期性波動還是不會改變。與15年相比，16年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形勢總體持平...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試機(jī)構(gòu)構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制程的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高積密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進(jìn)步，但我們應(yīng)看到探針...

此處用干法氧化法將氮化硅去除6、離子布植將硼離子(B+3)透過SiO2膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場加速雜質(zhì)離子，將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。MOS電路制造中，器件隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截?cái)啵{(diào)整閥值電壓用的溝道摻雜，CMOS的阱形成及源漏區(qū)的形成，要采用離子注入法來摻雜。離子注入法通常是將欲摻入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)在離子源中離子化，然后將通過質(zhì)量分析磁極后選定了離子進(jìn)行加速，注入基片中。7、去除光刻膠放高溫爐中進(jìn)行退火處理以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置，產(chǎn)生...

近年來，我們國家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力以及建設(shè)事業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng)，與發(fā)達(dá)國家的差距也越來越小。這些都離不開探針卡等各行各業(yè)產(chǎn)品企業(yè)的不懈努力。同時(shí)，市場還在不斷發(fā)展，探針卡等產(chǎn)品行業(yè)更需不斷進(jìn)步以更好地推進(jìn)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步。時(shí)間是在分分秒秒的流逝的，市場也是在不斷地變化的。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)雖然在現(xiàn)今看來已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績，但是市場是瞬息萬變的，探針卡等在內(nèi)的各行各業(yè)還是需要不斷的創(chuàng)新變動，以市場多變的市場轉(zhuǎn)變。人都說商海如煙，你看不清市場會如何變化，能做的只是打好自己的基礎(chǔ)，另自己在暴風(fēng)雨來臨之時(shí)也有足夠的氣力去站穩(wěn)。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)的發(fā)展同樣如此，需要不斷的創(chuàng)新和變動來加強(qiáng)競爭力。蘇州矽利康測試探針卡公司。四川好...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言，PVD溫度低，沒有毒氣問題；CVD溫度高，需達(dá)到1000oC以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)...

探針卡是一種測試接口,主要對裸芯進(jìn)行測試,通過連接測試機(jī)和芯片,通過傳輸信號,對芯片參數(shù)進(jìn)行測試。探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，它是IC制造中對制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一.近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(Flipchip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CP...

懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-0.25mil水平：+/-0.25mil針壓：2-3g/mil+/-20%漏電流：10nA/5V接觸電阻：3/20mA懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定矽...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金（Al-Si,Al-Si-Cu）等都是利用濺射法形成的。較常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（）電源，使氬氣（壓力為1Pa...

、探針與針套必須使用相同廠牌相互匹配。2、探針放入針套的時(shí)候必須使用特有的平口鉗放入針套，預(yù)防針管變形使針管內(nèi)的彈簧于管壁力變大，摩擦從而增大，則壓力就變大，造成探針壽命變短和對所測試產(chǎn)品損壞。3、探針的針管頂端于針套的頂端必須是保持垂直（90°）針管低入針套，從而避免在工作中探針的探針行程避免過大，影響探針壽命和測試效果。4、探針在放入測試架前必須保持探針干凈無其他雜物和臟東西，以免造成在測試過程中頭部發(fā)黑，阻礙探針的正常工作，影響測試效果。5、探針測試次數(shù)達(dá)5萬次時(shí)，建議使用（NSF認(rèn)真）探針特有的清潔劑。6、針頭與針管的行程在針頭未工作的情況下的總長度1/2時(shí)已經(jīng)達(dá)到1.8N的彈力，當(dāng)行...

美光主推HMC技術(shù)HMC(HybridMemoryCube)標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場是較高的服務(wù)器市場，尤其是針對多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memorycontroller)集成到DRAM堆疊封裝里。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在較高的服務(wù)器里，當(dāng)需要使用大量內(nèi)存模塊時(shí)，內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜。現(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)就較大地簡化了。后面，HMC使用高速串行接口(SerDes)來實(shí)現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠(yuǎn)的情況(例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上)。相較而言，...

混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對微小的納米級缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓廠級的潔凈室，以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要?！半S著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜，并且所涉及的功能越來越小，有效的工藝控制的需求也在不斷增長。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具，失敗的成本很高?！盋yberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間，有用于形成垂直電氣連接的凸塊?？刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對于確保堆疊...