自去年末以來(lái)，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場(chǎng)表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會(huì)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場(chǎng)佳音，因此2015年的市場(chǎng)中包括智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對(duì)此媒體稱將會(huì)為2015年臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者運(yùn)營(yíng)成長(zhǎng)造成不利影響，業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好，臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國(guó)家智能型手機(jī)市場(chǎng)需求一直沒有...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來(lái)，利用這一現(xiàn)象來(lái)形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金（Al-Si,Al-Si-Cu）等都是利用濺射法形成的。較常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（）電源，使氬氣（壓力為1Pa...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（diesort）或晶圓電測(cè)（wafersort）。在測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，...

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)HBM(High-BandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場(chǎng)，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當(dāng)然功耗也會(huì)更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn)...

熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來(lái)進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來(lái)控制。所謂光刻膠，是對(duì)光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性...

、探針與針套必須使用相同廠牌相互匹配。2、探針放入針套的時(shí)候必須使用特有的平口鉗放入針套，預(yù)防針管變形使針管內(nèi)的彈簧于管壁力變大，摩擦從而增大，則壓力就變大，造成探針壽命變短和對(duì)所測(cè)試產(chǎn)品損壞。3、探針的針管頂端于針套的頂端必須是保持垂直（90°）針管低入針套，從而避免在工作中探針的探針行程避免過(guò)大，影響探針壽命和測(cè)試效果。4、探針在放入測(cè)試架前必須保持探針干凈無(wú)其他雜物和臟東西，以免造成在測(cè)試過(guò)程中頭部發(fā)黑，阻礙探針的正常工作，影響測(cè)試效果。5、探針測(cè)試次數(shù)達(dá)5萬(wàn)次時(shí)，建議使用（NSF認(rèn)真）探針特有的清潔劑。6、針頭與針管的行程在針頭未工作的情況下的總長(zhǎng)度1/2時(shí)已經(jīng)達(dá)到1.8N的彈力，當(dāng)行...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場(chǎng)比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場(chǎng)推動(dòng)了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過(guò)于求的現(xiàn)象；智能手機(jī)及新型的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶動(dòng)傳感器市場(chǎng)的成長(zhǎng)；16年呈負(fù)增長(zhǎng)的IC器件有DRAM、數(shù)字信號(hào)處理芯片、NOR閃存、其他存儲(chǔ)器、SRAM及CCD圖像傳感器等行業(yè)景氣度下滑主要因素，匯率變化、手機(jī)及消費(fèi)電子3G-4G高成長(zhǎng)期過(guò)了；未來(lái)隨著新的產(chǎn)能，新的技術(shù)的到來(lái)又會(huì)重回增長(zhǎng)，集成電路周期性波動(dòng)還是不會(huì)改變。與15年相比，16年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形勢(shì)總體持平...

此處用干法氧化法將氮化硅去除6、離子布植將硼離子(B+3)透過(guò)SiO2膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場(chǎng)加速雜質(zhì)離子，將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。MOS電路制造中，器件隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截?cái)?，調(diào)整閥值電壓用的溝道摻雜，CMOS的阱形成及源漏區(qū)的形成，要采用離子注入法來(lái)?yè)诫s。離子注入法通常是將欲摻入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)在離子源中離子化，然后將通過(guò)質(zhì)量分析磁極后選定了離子進(jìn)行加速，注入基片中。7、去除光刻膠放高溫爐中進(jìn)行退火處理以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置，產(chǎn)生...

FormFactor發(fā)表Harmony全區(qū)12寸晶圓針測(cè)解決方案的靠前的成員——Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒(Wafer-LevelBurn-In，WLBI)探針卡。HarmonyWLBI探針卡能提高作業(yè)流量，并且確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度。HarmonyWLBI探針卡一次能接觸約4萬(wàn)個(gè)測(cè)試焊墊，還能在高溫(比較高130℃)下測(cè)試整片12寸晶圓。HarmonyWLBI探針卡結(jié)合各種電子元件以及新型3DMEMSMicroSpring接觸器，能承受高溫的預(yù)燒測(cè)試，降低清理次數(shù)，提高探針卡的可用度以及測(cè)試元件的生產(chǎn)力。FormFactor**技術(shù)可以增加同時(shí)測(cè)試晶粒的數(shù)量，運(yùn)用現(xiàn)有的測(cè)試設(shè)...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國(guó)內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國(guó)外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無(wú)法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場(chǎng)的主動(dòng),就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無(wú)法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場(chǎng)潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)**提出了未來(lái)發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

一、尖頭被測(cè)點(diǎn)是凸?fàn)畹钠狡瑺罨蛘哂醒趸F(xiàn)象；二、傘型頭被測(cè)點(diǎn)是孔或者是平片狀或凹狀；三、平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起平片狀；四、內(nèi)碗口平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起；五、九爪頭被測(cè)點(diǎn)是平片或者凹狀；六、皇冠頭被測(cè)點(diǎn)是凸起或平片狀；七、三針頭被測(cè)點(diǎn)是凹狀；八、圓頭被測(cè)點(diǎn)是間隙較密且凸起或平片狀。probecard翻譯過(guò)來(lái)其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過(guò)傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。目前我國(guó)探針卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對(duì)探針卡市場(chǎng)的關(guān)注越來(lái)越密切，這使得探針卡市場(chǎng)...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來(lái)的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

自去年末以來(lái)，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場(chǎng)表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會(huì)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場(chǎng)佳音，因此2015年的市場(chǎng)中包括智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對(duì)此媒體稱將會(huì)為2015年臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者運(yùn)營(yíng)成長(zhǎng)造成不利影響，業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好，臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國(guó)家智能型手機(jī)市場(chǎng)需求一直沒有...

晶圓探針卡的制造方法測(cè)試母板包含一個(gè)凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測(cè)待測(cè)物外力；軟性電路基板位于測(cè)試母板朝向待測(cè)物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強(qiáng)其硬度，增強(qiáng)其抗形變力，進(jìn)而增加其使用壽命。具有制作容易及可快速提供晶圓型態(tài)組件的測(cè)試用的功效。其特征是：它至少是測(cè)試母板母板包含一凹穴形成于下表面且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于所述凹穴內(nèi)吸收待測(cè)物外力；軟性電路基板位于所述測(cè)試母板，朝向待測(cè)物面；垂直探針形成于所述軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定所述垂直探針；硬性導(dǎo)電材質(zhì)包覆該垂直探針加強(qiáng)其硬度。近年來(lái)探針卡的相關(guān)研究：...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過(guò)快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問...

近年來(lái)，我們國(guó)家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力以及建設(shè)事業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng)，與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距也越來(lái)越小。這些都離不開探針卡等各行各業(yè)產(chǎn)品企業(yè)的不懈努力。同時(shí)，市場(chǎng)還在不斷發(fā)展，探針卡等產(chǎn)品行業(yè)更需不斷進(jìn)步以更好地推進(jìn)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步。時(shí)間是在分分秒秒的流逝的，市場(chǎng)也是在不斷地變化的。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)雖然在現(xiàn)今看來(lái)已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績(jī)，但是市場(chǎng)是瞬息萬(wàn)變的，探針卡等在內(nèi)的各行各業(yè)還是需要不斷的創(chuàng)新變動(dòng)，以市場(chǎng)多變的市場(chǎng)轉(zhuǎn)變。人都說(shuō)商海如煙，你看不清市場(chǎng)會(huì)如何變化，能做的只是打好自己的基礎(chǔ)，另自己在暴風(fēng)雨來(lái)臨之時(shí)也有足夠的氣力去站穩(wěn)。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)的發(fā)展同樣如此，需要不斷的創(chuàng)新和變動(dòng)來(lái)加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。尋找測(cè)試探針卡生產(chǎn)廠家。河北選擇...

什么是probecard？probecard翻譯過(guò)來(lái)其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過(guò)傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。目前我國(guó)探針卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對(duì)探針卡市場(chǎng)的關(guān)注越來(lái)越密切，這使得探針卡市場(chǎng)越來(lái)越受到各方的關(guān)注。但是目前探針卡的關(guān)鍵技術(shù)部分是國(guó)外廠商壟斷，如何提高其自主創(chuàng)新力度，如何消化吸收再創(chuàng)造，讓研究成果真正的商業(yè)化還是有一段路要做的。就目前來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)對(duì)探針卡的研究較有貢獻(xiàn)的人應(yīng)該屬于“呂軍”了，畢業(yè)于天津師范大學(xué).探針卡專...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺(tái)。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺(tái)中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)波導(dǎo)和晶圓級(jí)微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報(bào)道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)收3670億美元，預(yù)計(jì)2016年增長(zhǎng)，達(dá)到3730億美元。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)約1520億美元，預(yù)計(jì)2019年達(dá)到1790億美元，五年復(fù)合增長(zhǎng)。中國(guó)占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)比例未來(lái)幾年維持在43%左右。與國(guó)內(nèi)行業(yè)協(xié)會(huì)口徑有差異，國(guó)內(nèi)統(tǒng)計(jì)占比是在50%以上，主要是有些重復(fù)計(jì)算。目前，中國(guó)本土芯片供需缺口還是很大，2300億美金的進(jìn)口，大數(shù)是3個(gè)三分之一，我們自己整機(jī)企業(yè)消耗三分之一，信息外部企業(yè)消耗三分之一，比如汽車、裝備之類，還有三分之一是跨國(guó)企業(yè)帶進(jìn)來(lái)又銷出去?，F(xiàn)在下游市場(chǎng)在向中國(guó)集中，集成電路產(chǎn)業(yè)必向中國(guó)集中。市場(chǎng)在什么地方，產(chǎn)業(yè)就必須在這個(gè)地方，如果不在...

在目前多個(gè)行業(yè)不斷發(fā)展的形勢(shì)下，包括晶圓探針卡在內(nèi)的多種設(shè)備都已經(jīng)獲得進(jìn)一步的發(fā)展與應(yīng)用，那么對(duì)其產(chǎn)品的生產(chǎn)在日后的前景會(huì)怎么樣呢？下面就來(lái)一起了解下吧！近年來(lái)，晶圓探針卡的生產(chǎn)、應(yīng)用、研究等各個(gè)方面都發(fā)展很快，反映出中國(guó)已具有一定的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。但是隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，還不能滿足機(jī)械設(shè)備建設(shè)的需要，無(wú)論從深度還是廣度來(lái)看，尚有一定的差距，需在提高現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，進(jìn)一步開發(fā)新產(chǎn)品，新技術(shù)。在全國(guó)各地特別是東南沿海一帶，晶圓探針卡的應(yīng)用潛力很大，晶圓探針卡的發(fā)展前景是廣闊的，樂觀的。希望通過(guò)以上內(nèi)容的講述可以更好的幫助到大家。蘇州矽利康測(cè)試探針卡生產(chǎn)廠家。北京好的測(cè)試探針卡銷售測(cè)...

懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-0.25mil水平：+/-0.25mil針壓：2-3g/mil+/-20%漏電流：10nA/5V接觸電阻：3/20mA懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定選...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試機(jī)構(gòu)構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制程的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，為滿足高積密度測(cè)試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進(jìn)步，但我們應(yīng)看到探針...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國(guó)內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國(guó)外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無(wú)法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場(chǎng)的主動(dòng),就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無(wú)法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場(chǎng)潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)**提出了未來(lái)發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過(guò)快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來(lái)，利用這一現(xiàn)象來(lái)形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金（Al-Si,Al-Si-Cu）等都是利用濺射法形成的。較常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（）電源，使氬氣（壓力為1Pa...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

c)b0c臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)被看好，造成需求量向來(lái)比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場(chǎng)需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢(shì)必將再次侵蝕臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者2015年運(yùn)營(yíng)市場(chǎng)利潤(rùn)。臺(tái)系NB相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場(chǎng)，MacBookAir幾乎是在全球NB市場(chǎng)猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營(yíng)不僅面臨全球NB市場(chǎng)需求量...

ＩＣ探測(cè)卡又稱為探針卡（probecard），用來(lái)測(cè)試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請(qǐng)仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明，并小心使用、定期的維護(hù)。一．探針卡的存放：１，請(qǐng)勿將探針卡放置于過(guò)高或過(guò)低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過(guò)高或過(guò)低的溫度可能會(huì)使您的探針卡受到損壞。２，請(qǐng)勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請(qǐng)勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請(qǐng)務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

產(chǎn)品可用性EVG目前正在接受該系統(tǒng)的訂單，產(chǎn)品演示現(xiàn)已在位于公司總部的EVG的NILPhotonics?能力中心提供。有關(guān)EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問。3、EVG參加SPIEAR/VR/MR2022EVG在SPIEAR/VR/MR會(huì)議和展覽上就NIL在制造增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)波導(dǎo)中的好處進(jìn)行受邀演講，該會(huì)議與在舊金山Moscone中心舉行的SPIEPhotonicsWest共同舉辦1月22日至27日。EVG也是此次活動(dòng)的參展商，將展示其用于光學(xué)和光子器件及應(yīng)用的先進(jìn)制造解決方案。4、關(guān)于EV集團(tuán)(EVG)EVGroup(EVG)是半導(dǎo)體、微機(jī)電...