在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費(fèi)者對(duì)晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對(duì)其原理也會(huì)有所了解。首先在當(dāng)今的市場(chǎng)上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針卡廠家為了讓我們廠家生產(chǎn)的這款產(chǎn)品在上面有自己的一席位置，在生產(chǎn)這款產(chǎn)品的時(shí)候使用的都是先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，而且每個(gè)生產(chǎn)線上也有專業(yè)的工作人員在嚴(yán)格的把關(guān)，這樣一來可以成功的確保我們廠家生產(chǎn)的每一款產(chǎn)品的質(zhì)量都符合國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)這樣是我們廠家為什么可以在這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)如此激烈的市場(chǎng)上面有自己的一席位置。晶圓探針卡廠家的前景在市場(chǎng)上面之所以越來越好不...

在另一條評(píng)論中，一位名為“電路板維修達(dá)人”的用戶寫道：“我之前嘗試過多種不同的測(cè)試工具，但這款探針卡無疑是其中的佼佼者。它不僅耐用，而且非常準(zhǔn)確。我已經(jīng)將它視為我的得力助手。”作為一款專業(yè)的測(cè)試工具，測(cè)試探針卡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)得到了認(rèn)可。它不僅能夠提高工程師們的工作效率，而且還能幫助他們?cè)诙虝r(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確地找到問題所在。因此，對(duì)于那些在電子工程領(lǐng)域工作的朋友們來說，不妨嘗試一下這款產(chǎn)品，相信它會(huì)成為你的得力助手。此外，我們還可以通過社交媒體等渠道傳播產(chǎn)品的好評(píng)和推薦。例如，我們可以在微博、微信等平臺(tái)上發(fā)布用戶的使用感受和體驗(yàn)，讓更多的人了解并認(rèn)識(shí)到測(cè)試探針卡的價(jià)值。同時(shí)，我們還...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

測(cè)試探針卡是一款具備可擴(kuò)展性、靈活性、穩(wěn)定性、可靠性、易用性和良好用戶體驗(yàn)的產(chǎn)品。它不僅可以滿足用戶的基本需求，還可以根據(jù)用戶的實(shí)際需求進(jìn)行定制化的功能開發(fā)。同時(shí)，它支持多種第三方應(yīng)用集成，使得用戶在使用過程中可以輕松地與現(xiàn)有系統(tǒng)進(jìn)行集成。此外，測(cè)試探針卡的穩(wěn)定性和可靠性也非常出色，使得用戶在使用過程中不會(huì)因故障而受到任何影響。然后，它的易用性和用戶體驗(yàn)也非常好，使得用戶可以快速上手并輕松地進(jìn)行操作。這些特點(diǎn)使得測(cè)試探針卡在面對(duì)激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，能夠脫穎而出并贏得用戶的青睞。如果您正在尋找一款具備可擴(kuò)展性、靈活性、穩(wěn)定性、可靠性、易用性和良好用戶體驗(yàn)的測(cè)試探針卡品牌，那么測(cè)試探針卡將是您的選擇...

FormFactor發(fā)表Harmony全區(qū)12寸晶圓針測(cè)解決方案的靠前的成員——Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒(Wafer-LevelBurn-In，WLBI)探針卡。HarmonyWLBI探針卡能提高作業(yè)流量，并且確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度。HarmonyWLBI探針卡一次能接觸約4萬個(gè)測(cè)試焊墊，還能在高溫(比較高130℃)下測(cè)試整片12寸晶圓。HarmonyWLBI探針卡結(jié)合各種電子元件以及新型3DMEMSMicroSpring接觸器，能承受高溫的預(yù)燒測(cè)試，降低清理次數(shù)，提高探針卡的可用度以及測(cè)試元件的生產(chǎn)力。FormFactor專利技術(shù)可以增加同時(shí)測(cè)試晶粒的數(shù)量，運(yùn)用現(xiàn)有的測(cè)試設(shè)...

自去年末以來，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場(chǎng)表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會(huì)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場(chǎng)佳音，因此2015年的市場(chǎng)中包括智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對(duì)此媒體稱將會(huì)為2015年臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者運(yùn)營(yíng)成長(zhǎng)造成不利影響，業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好，臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國(guó)家智能型手機(jī)市場(chǎng)需求一直沒有...

ＩＣ探測(cè)卡又稱為探針卡（probecard），用來測(cè)試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請(qǐng)仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護(hù)。一．探針卡的存放：１，請(qǐng)勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會(huì)使您的探針卡受到損壞。２，請(qǐng)勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請(qǐng)勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請(qǐng)務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

ＩＣ探測(cè)卡又稱為探針卡（probecard），用來測(cè)試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請(qǐng)仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護(hù)。一．探針卡的存放：１，請(qǐng)勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會(huì)使您的探針卡受到損壞。２，請(qǐng)勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請(qǐng)勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請(qǐng)務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試及構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針偵測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，滿足了高積密度測(cè)試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸，提高用戶滿意度：測(cè)試探針卡助您一臂之力在當(dāng)今高度信息化的時(shí)代，網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為人們生活、工作不可或缺的一部分。隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)性能問題日益凸顯，成為了眾多企業(yè)和用戶亟待解決的痛點(diǎn)。在這樣的背景下，我們?yōu)槟鷰砹私鉀Q方案——測(cè)試探針卡，一種能夠準(zhǔn)確測(cè)試網(wǎng)絡(luò)性能的工具，幫助您解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸，提高用戶滿意度。測(cè)試探針卡：解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸的利器測(cè)試探針卡是一種專為網(wǎng)絡(luò)性能測(cè)試而設(shè)計(jì)的工具，它能夠多方面、準(zhǔn)確地檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)性能，幫助您快速定位問題，進(jìn)而采取有效的措施解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸。與傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試方法相比，測(cè)試探針卡具有操作簡(jiǎn)單、結(jié)果準(zhǔn)確、多方面測(cè)試等優(yōu)點(diǎn)，能夠節(jié)省您的時(shí)間和...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試及構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針偵測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，滿足了高積密度測(cè)試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，經(jīng)過30年發(fā)展，較初的30多個(gè)刻蝕和薄膜設(shè)備公司現(xiàn)在集中到了3家中微第二廠房第二期完成后，將達(dá)到每年400-500臺(tái)設(shè)備，80-100億人民幣的開發(fā)能力。中微有100多位來自十多個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體設(shè)備專家，十幾個(gè)VP來自6個(gè)國(guó)家。中微在線刻蝕機(jī)累計(jì)反映臺(tái)數(shù)量前面的年以每年>30%速度增長(zhǎng)，刻蝕機(jī)及MOCVD已有409個(gè)反應(yīng)臺(tái)在亞洲34條先進(jìn)生產(chǎn)線使用，從12到15年在線累計(jì)反應(yīng)器數(shù)量平均每年增長(zhǎng)40%?，F(xiàn)在以40nm，45nm和28nm及以下的晶圓為主，28nm及以下晶元每月加工30萬片以上；MEMS和CIS每月加工超過8萬片。中國(guó)臺(tái)灣前列Foundry以生產(chǎn)了120...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺(tái)。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺(tái)中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)波導(dǎo)和晶圓級(jí)微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報(bào)道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸，提高用戶滿意度：測(cè)試探針卡助您一臂之力在當(dāng)今高度信息化的時(shí)代，網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為人們生活、工作不可或缺的一部分。隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)性能問題日益凸顯，成為了眾多企業(yè)和用戶亟待解決的痛點(diǎn)。在這樣的背景下，我們?yōu)槟鷰砹私鉀Q方案——測(cè)試探針卡，一種能夠準(zhǔn)確測(cè)試網(wǎng)絡(luò)性能的工具，幫助您解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸，提高用戶滿意度。測(cè)試探針卡：解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸的利器測(cè)試探針卡是一種專為網(wǎng)絡(luò)性能測(cè)試而設(shè)計(jì)的工具，它能夠多方面、準(zhǔn)確地檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)性能，幫助您快速定位問題，進(jìn)而采取有效的措施解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸。與傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)測(cè)試方法相比，測(cè)試探針卡具有操作簡(jiǎn)單、結(jié)果準(zhǔn)確、多方面測(cè)試等優(yōu)點(diǎn)，能夠節(jié)省您的時(shí)間和...

測(cè)試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來決定，一般常見的測(cè)試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測(cè)試場(chǎng)合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點(diǎn)是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測(cè)試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測(cè)試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長(zhǎng)法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言，PVD溫度低，沒有毒氣問題；CVD溫度高，需達(dá)到1000oC以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測(cè)試成本,而晶粒封裝后的功能測(cè)試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測(cè)試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來,以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對(duì)於前段制程來說,它其實(shí)還有...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國(guó)內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國(guó)外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場(chǎng)的主動(dòng),就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場(chǎng)潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)專家提出了未來發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)HBM(High-BandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場(chǎng)，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當(dāng)然功耗也會(huì)更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn)...

晶圓測(cè)試Waferprobe在半導(dǎo)體制程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程（WaferFabrication，簡(jiǎn)稱WaferFab）、晶圓測(cè)試（WaferProbe），及晶圓封裝（Packaging）。晶圓測(cè)試是對(duì)芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測(cè)試其電氣特性，不合格的晶粒會(huì)被標(biāo)上記號(hào)，而后當(dāng)芯片依晶粒為單位切割成單獨(dú)的的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。晶圓測(cè)試是對(duì)芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）...

c)b0c臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場(chǎng)需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢(shì)必將再次侵蝕臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者2015年運(yùn)營(yíng)市場(chǎng)利潤(rùn)。臺(tái)系NB相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場(chǎng)，MacBookAir幾乎是在全球NB市場(chǎng)猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營(yíng)不僅面臨全球NB市場(chǎng)需求量...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對(duì)裸晶系以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對(duì)制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一。近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向32奈米以下挺進(jìn)。目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲(chǔ)器及CPU等。上述高階封裝方式單價(jià)高昂，如果能...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試機(jī)構(gòu)構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制程的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，為滿足高積密度測(cè)試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進(jìn)步，但我們應(yīng)看到探針...

c)b0c臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場(chǎng)需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢(shì)必將再次侵蝕臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者2015年運(yùn)營(yíng)市場(chǎng)利潤(rùn)。臺(tái)系NB相關(guān)IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場(chǎng)，MacBookAir幾乎是在全球NB市場(chǎng)猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營(yíng)不僅面臨全球NB市場(chǎng)需求量...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過程的成績(jī)單。在測(cè)試過程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（diesort）或晶圓電測(cè)（wafersort）。在測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，...

測(cè)試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來決定，一般常見的測(cè)試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測(cè)試場(chǎng)合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點(diǎn)是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測(cè)試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測(cè)試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

美光主推HMC技術(shù)HMC(HybridMemoryCube)標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場(chǎng)是較高的服務(wù)器市場(chǎng)，尤其是針對(duì)多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memorycontroller)集成到DRAM堆疊封裝里。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在較高的服務(wù)器里，當(dāng)需要使用大量?jī)?nèi)存模塊時(shí)，內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜?，F(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設(shè)計(jì)就較大地簡(jiǎn)化了。后面，HMC使用高速串行接口(SerDes)來實(shí)現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠(yuǎn)的情況(例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上)。相較而言，...

晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化學(xué)成分化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。硅是由...