探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國(guó)內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國(guó)外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場(chǎng)的主動(dòng),就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場(chǎng)潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)專家提出了未來發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長(zhǎng)法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言，PVD溫度低，沒有毒氣問題；CVD溫度高，需達(dá)到1000oC以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)...

ＩＣ探測(cè)卡又稱為探針卡（probecard），用來測(cè)試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請(qǐng)仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護(hù)。一．探針卡的存放：１，請(qǐng)勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會(huì)使您的探針卡受到損壞。２，請(qǐng)勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請(qǐng)勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請(qǐng)務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費(fèi)者對(duì)晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對(duì)其原理也會(huì)有所了解。首先在當(dāng)今的市場(chǎng)上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針卡廠家為了讓我們廠家生產(chǎn)的這款產(chǎn)品在上面有自己的一席位置，在生產(chǎn)這款產(chǎn)品的時(shí)候使用的都是先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，而且每個(gè)生產(chǎn)線上也有專業(yè)的工作人員在嚴(yán)格的把關(guān)，這樣一來可以成功的確保我們廠家生產(chǎn)的每一款產(chǎn)品的質(zhì)量都符合國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)這樣是我們廠家為什么可以在這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)如此激烈的市場(chǎng)上面有自己的一席位置。晶圓探針卡廠家的前景在市場(chǎng)上面之所以越來越好不...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺(tái)。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺(tái)中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)波導(dǎo)和晶圓級(jí)微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報(bào)道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對(duì)裸晶系以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，它是IC制造中對(duì)制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一.近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(Flipchip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲(chǔ)器及CP...

晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化學(xué)成分化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。硅是由...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問...

鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān)，共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重，會(huì)產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定：彈簧探針的自然共面性（受與晶圓距離的影響）以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測(cè)試300mm晶圓時(shí)，傾斜程度不變但距離卻加倍了，就會(huì)產(chǎn)生共面性問題。由于傾斜造成探針卡部分更靠近晶圓，而隨著每個(gè)彈簧向系統(tǒng)中引入了更多的力，造成的過量行程將更大，產(chǎn)生更大的劃痕，與此同時(shí)部分由于傾斜而遠(yuǎn)離的部分還會(huì)有接觸不良的問題，留下的劃痕也幾乎不可見?？紤]到大面積的300mm晶圓，以及需要進(jìn)行可重復(fù)的接觸測(cè)試，將探針卡向系統(tǒng)傾斜便相當(dāng)有吸引力。...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試及構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針偵測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，滿足了高積密度測(cè)試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實(shí)現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場(chǎng)是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)HBM(High-BandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場(chǎng)，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當(dāng)然功耗也會(huì)更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn)...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測(cè)試成本,而晶粒封裝后的功能測(cè)試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測(cè)試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來,以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對(duì)於前段制程來說,它其實(shí)還有...

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，經(jīng)過30年發(fā)展，較初的30多個(gè)刻蝕和薄膜設(shè)備公司現(xiàn)在集中到了3家中微第二廠房第二期完成后，將達(dá)到每年400-500臺(tái)設(shè)備，80-100億人民幣的開發(fā)能力。中微有100多位來自十多個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體設(shè)備專家，十幾個(gè)VP來自6個(gè)國(guó)家。中微在線刻蝕機(jī)累計(jì)反映臺(tái)數(shù)量前面的年以每年>30%速度增長(zhǎng)，刻蝕機(jī)及MOCVD已有409個(gè)反應(yīng)臺(tái)在亞洲34條先進(jìn)生產(chǎn)線使用，從12到15年在線累計(jì)反應(yīng)器數(shù)量平均每年增長(zhǎng)40%。現(xiàn)在以40nm，45nm和28nm及以下的晶圓為主，28nm及以下晶元每月加工30萬片以上；MEMS和CIS每月加工超過8萬片。中國(guó)臺(tái)灣前列Foundry以生產(chǎn)了120...

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，經(jīng)過30年發(fā)展，較初的30多個(gè)刻蝕和薄膜設(shè)備公司現(xiàn)在集中到了3家中微第二廠房第二期完成后，將達(dá)到每年400-500臺(tái)設(shè)備，80-100億人民幣的開發(fā)能力。中微有100多位來自十多個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體設(shè)備專家，十幾個(gè)VP來自6個(gè)國(guó)家。中微在線刻蝕機(jī)累計(jì)反映臺(tái)數(shù)量前面的年以每年>30%速度增長(zhǎng)，刻蝕機(jī)及MOCVD已有409個(gè)反應(yīng)臺(tái)在亞洲34條先進(jìn)生產(chǎn)線使用，從12到15年在線累計(jì)反應(yīng)器數(shù)量平均每年增長(zhǎng)40%?，F(xiàn)在以40nm，45nm和28nm及以下的晶圓為主，28nm及以下晶元每月加工30萬片以上；MEMS和CIS每月加工超過8萬片。中國(guó)臺(tái)灣前列Foundry以生產(chǎn)了120...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測(cè)試成本,而晶粒封裝后的功能測(cè)試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測(cè)試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來,以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對(duì)於前段制程來說,它其實(shí)還有...

測(cè)試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來決定，一般常見的測(cè)試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測(cè)試場(chǎng)合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點(diǎn)是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測(cè)試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測(cè)試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

什么是probecard？probecard翻譯過來其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。目前我國(guó)探針卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對(duì)探針卡市場(chǎng)的關(guān)注越來越密切，這使得探針卡市場(chǎng)越來越受到各方的關(guān)注。但是目前探針卡的關(guān)鍵技術(shù)部分是國(guó)外廠商壟斷，如何提高其自主創(chuàng)新力度，如何消化吸收再創(chuàng)造，讓研究成果真正的商業(yè)化還是有一段路要做的。就目前來說，國(guó)內(nèi)對(duì)探針卡的研究較有貢獻(xiàn)的人應(yīng)該屬于“呂軍”了，畢業(yè)于天津師范大學(xué).探針卡專...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費(fèi)者對(duì)晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對(duì)其原理也會(huì)有所了解。首先在當(dāng)今的市場(chǎng)上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針卡廠家為了讓我們廠家生產(chǎn)的這款產(chǎn)品在上面有自己的一席位置，在生產(chǎn)這款產(chǎn)品的時(shí)候使用的都是先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，而且每個(gè)生產(chǎn)線上也有專業(yè)的工作人員在嚴(yán)格的把關(guān)，這樣一來可以成功的確保我們廠家生產(chǎn)的每一款產(chǎn)品的質(zhì)量都符合國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)這樣是我們廠家為什么可以在這個(gè)競(jìng)爭(zhēng)如此激烈的市場(chǎng)上面有自己的一席位置。晶圓探針卡廠家的前景在市場(chǎng)上面之所以越來越好不...

整個(gè)過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動(dòng)過程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后，將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了單一的鑲嵌工藝。單一大馬士革工藝是一項(xiàng)成熟的技術(shù)?；旧希趸锊牧铣练e在晶片上。在氧化物材料中對(duì)微小的通孔進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。使用沉積工藝在通孔中填充銅。這繼而在晶片表面上形成銅互連或焊盤。銅焊盤相對(duì)較大，以微米為單位。此過程有點(diǎn)類似于當(dāng)今工廠中先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。但是，對(duì)于高級(jí)芯片而言，蕞大的區(qū)別在于銅互連是在納米級(jí)上測(cè)量的。那瑾瑾是過程的開...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺(tái)。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺(tái)中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)波導(dǎo)和晶圓級(jí)微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報(bào)道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

晶圓探針卡的制造方法測(cè)試母板包含一個(gè)凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測(cè)待測(cè)物外力；軟性電路基板位于測(cè)試母板朝向待測(cè)物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強(qiáng)其硬度，增強(qiáng)其抗形變力，進(jìn)而增加其使用壽命。具有制作容易及可快速提供晶圓型態(tài)組件的測(cè)試用的功效。其特征是：它至少是測(cè)試母板母板包含一凹穴形成于下表面且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于所述凹穴內(nèi)吸收待測(cè)物外力；軟性電路基板位于所述測(cè)試母板，朝向待測(cè)物面；垂直探針形成于所述軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定所述垂直探針；硬性導(dǎo)電材質(zhì)包覆該垂直探針加強(qiáng)其硬度。近年來探針卡的相關(guān)研究：...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場(chǎng)比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場(chǎng)推動(dòng)了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象；智能手機(jī)及新型的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶動(dòng)傳感器市場(chǎng)的成長(zhǎng)；16年呈負(fù)增長(zhǎng)的IC器件有DRAM、數(shù)字信號(hào)處理芯片、NOR閃存、其他存儲(chǔ)器、SRAM及CCD圖像傳感器等行業(yè)景氣度下滑主要因素，匯率變化、手機(jī)及消費(fèi)電子3G-4G高成長(zhǎng)期過了；未來隨著新的產(chǎn)能，新的技術(shù)的到來又會(huì)重回增長(zhǎng)，集成電路周期性波動(dòng)還是不會(huì)改變。與15年相比，16年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形勢(shì)總體持平...

TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(IntegratedFanOut)是臺(tái)積電推出的2.5D封裝技術(shù)，稱為晶圓級(jí)封裝。臺(tái)積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互聯(lián)。CoWoS針對(duì)較好市場(chǎng)，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對(duì)性價(jià)比市場(chǎng)，封裝尺寸較小，連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認(rèn)可，蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù)。Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)、HBM標(biāo)準(zhǔn)、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關(guān)，下表是有關(guān)Wide-IO，HMC，HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較。W...

整個(gè)科技行業(yè)是個(gè)倒金字塔，可以分為四個(gè)層次，較上面是軟件網(wǎng)絡(luò)等，第二層是單子系統(tǒng)，第三層芯片制造4000億美金，第四層芯片前端設(shè)備300-400億美元，年總投資>700億美元；反過來看，軟件網(wǎng)絡(luò)等公司有數(shù)百萬家，電子系統(tǒng)公司數(shù)十萬家，芯片制造公司只有數(shù)百家，25個(gè)主要公司，8個(gè)靠前的公司，芯片設(shè)備更是只有數(shù)十公司，全球10個(gè)主要公司，3個(gè)工藝設(shè)備靠前的公司；芯片設(shè)備需要超前芯片制造3-5年開發(fā)新一代的產(chǎn)品；芯片制造要超前電子系統(tǒng)5-7年時(shí)間開發(fā)。在半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入成熟期，由于過多的競(jìng)爭(zhēng)者，供過于求的價(jià)格戰(zhàn)造成價(jià)格的大幅度降低。較終產(chǎn)品進(jìn)入每家每戶，必須物美價(jià)廉，所以產(chǎn)品成本成為推動(dòng)行...