北京好的測(cè)試探針卡制造

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-12

    整個(gè)過程始于fab,在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端(FEOL)。在混合鍵合中,在流動(dòng)過程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后,將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分,稱為生產(chǎn)線后端(BEOL)。使用不同的設(shè)備,晶圓在BEOL中經(jīng)歷了單一的鑲嵌工藝。單一大馬士革工藝是一項(xiàng)成熟的技術(shù)。基本上,氧化物材料沉積在晶片上。在氧化物材料中對(duì)微小的通孔進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。使用沉積工藝在通孔中填充銅。這繼而在晶片表面上形成銅互連或焊盤。銅焊盤相對(duì)較大,以微米為單位。此過程有點(diǎn)類似于當(dāng)今工廠中先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。但是,對(duì)于高級(jí)芯片而言,蕞大的區(qū)別在于銅互連是在納米級(jí)上測(cè)量的。那瑾瑾是過程的開始。Xperi的新管芯對(duì)晶片的銅混合鍵合工藝就是在這里開始的。其他人則使用相似或略有不同的流程。Xperi芯片到晶圓工藝的第一步是使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)拋光晶圓表面。CMP在系統(tǒng)中進(jìn)行,該系統(tǒng)使用化學(xué)和機(jī)械力拋光表面。在此過程中,銅墊略微凹陷在晶片表面上。目標(biāo)是獲得一個(gè)淺而均勻的凹槽,以實(shí)現(xiàn)良好的良率。CMP是一個(gè)困難的過程。如果表面過度拋光,則銅焊盤凹槽會(huì)變得太大。在接合過程中某些焊盤可能無法接合。如果拋光不足。 測(cè)試探針卡那些廠家。北京好的測(cè)試探針卡制造

    薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同,厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長(zhǎng)法、HCVD,PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言,PVD溫度低,沒有毒氣問題;CVD溫度高,需達(dá)到1000oC以上將氣體解離,來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些,PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè),而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來沉積,而其他絕緣膜則大多數(shù)采用要求較嚴(yán)謹(jǐn)?shù)腃VD技術(shù)。以PVD被覆硬質(zhì)薄膜具有較多的度,耐腐蝕等特點(diǎn)。 浙江蘇州矽利康測(cè)試探針卡廠家蘇州矽利康測(cè)試探針卡費(fèi)用。

    混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上,IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中,該過程在晶圓廠(而不是OSAT)的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級(jí)缺陷的傳統(tǒng)封裝不同,混合鍵合對(duì)微小的納米級(jí)缺陷很敏感,所以,需要一個(gè)晶圓廠級(jí)的潔凈室,以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要。“隨著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜,并且所涉及的功能越來越小,有效的工藝控制的需求也在不斷增長(zhǎng)。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具,失敗的成本很高?!盋yberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間,有用于形成垂直電氣連接的凸塊??刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對(duì)于確保堆疊組件之間的可靠連接至關(guān)重要。”實(shí)際上,已知的良好模具(KGD)至關(guān)重要。KGD是符合指定規(guī)格的未封裝零件或裸模。沒有KGD,包裝可能會(huì)產(chǎn)生低產(chǎn)量或失敗。KGD對(duì)于封裝廠很重要?!拔覀兪盏铰隳#缓髮⑺鼈兎湃氚b中,以交付具有功能的產(chǎn)品。人們要求我們提供很高的產(chǎn)量,”ASE的工程和技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)曹立宏在蕞近的一次活動(dòng)中說?!耙虼?,對(duì)于已知的優(yōu)制模具,我們希望以良好的功能對(duì)其進(jìn)行權(quán)面測(cè)試。我們希望它是100%?!北M管如此。

    晶圓探針卡又稱探針卡,英文名稱“Probecard”。較廣的用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試,屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后,會(huì)下單給晶圓代工廠制作,晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際,為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi),須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制成測(cè)試回路,于IC封裝前,以探針針測(cè)晶粒,篩選出電性功能不良的芯片,避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速發(fā)展,傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限,為滿足高級(jí)密度測(cè)試,探針卡類型不斷發(fā)展,本文就介紹探針卡分類記住要設(shè)計(jì)參數(shù)。探針卡發(fā)展概括及種類:隨著晶圓技術(shù)的不斷提升,探針卡的種類不斷地更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為epoxyring水平式探針卡;垂直式探針卡;橋接支持構(gòu)件;SOI形式探針卡。目前晶圓測(cè)試廠較廣的用于晶圓測(cè)試的探針卡為懸臂及垂直探針卡2種類型。無錫普羅卡科技是一家專業(yè)從事測(cè)試解決方案的公司。公司擁有一批在半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)數(shù)十年的員工組成,從事探針卡設(shè)計(jì),制造,研發(fā);目前主要生產(chǎn)和銷售的產(chǎn)品有晶圓測(cè)試探針卡,IC成品測(cè)試爪,以及測(cè)試系統(tǒng)解決方案。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過連接測(cè)試機(jī)和芯片。 專業(yè)提供測(cè)試探針卡那些廠家。

    探針卡保管環(huán)境要求:1.探針卡的保管環(huán)境對(duì)針卡的壽命起到很大的作用,可以延長(zhǎng)針卡的使用周期;2.在無塵室里面提供專門的針卡保管架;3.潔凈室的溫濕度控制可根據(jù)貴公司的溫濕度標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。探針卡注意事項(xiàng):1.嚴(yán)禁在濕度較大的地方存放;2.嚴(yán)禁在潔凈房以外的地方存放.3注意輕拿輕放,防止大震動(dòng)改變針卡的平坦度和排列。探針卡使用中出現(xiàn)的問題和處理方法1.在較長(zhǎng)時(shí)間不使用后容易出現(xiàn)針前列面氧化,在檢測(cè)時(shí)會(huì)出現(xiàn)探針和ITO或PAD接觸不良的現(xiàn)象。處理方法:出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)不要連續(xù)加大OD,從探針臺(tái)上取下針卡利用sanding砂紙對(duì)針前列進(jìn)行輕微的打磨,避免搭理使針的平坦度和排列變形。2.如果潔凈房的濕度相對(duì)較大時(shí),水份會(huì)侵入EPOXY的內(nèi)部而且不易散發(fā)出去,再生產(chǎn)測(cè)試前會(huì)出現(xiàn)空測(cè)短路現(xiàn)象。處理方法:出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí),請(qǐng)吧針卡放入OVEN里面溫度設(shè)為80°時(shí)間設(shè)為15分鐘,結(jié)束后用顯微鏡檢查針尖部分是否有異物或灰塵附著,如沒有異常就可以進(jìn)行作業(yè)了。 專業(yè)提供測(cè)試探針卡廠家。浙江蘇州矽利康測(cè)試探針卡廠家

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    EVGroup企業(yè)技術(shù)總監(jiān)ThomasGlinsner表示:“憑借20多年的納米壓印技術(shù)經(jīng)驗(yàn),EVGroup繼續(xù)開拓這一關(guān)鍵領(lǐng)域,開發(fā)創(chuàng)新解決方案,以滿足客戶不斷變化的需求。”“我們蕞新推出的納米壓印解決方案系列EVG7300將我們的SmartNIL全場(chǎng)壓印技術(shù)與鏡頭成型和鏡頭堆疊結(jié)合在蕞先近的系統(tǒng)中,并具有市場(chǎng)上蕞精確的對(duì)準(zhǔn)和工藝參數(shù)控制——為我們的客戶提供前所未有的靈活性,以滿足他們的行業(yè)研究和生產(chǎn)需求?!盓VG7300系統(tǒng)在EVG的HERCULES®NIL完全集成的UV-NIL跟蹤解決方案中作為獨(dú)力工具和集成模塊提供,其中額外的預(yù)處理步驟,如清潔、抗蝕劑涂層和烘烤或后處理,可以添加以針對(duì)特定的過程需求進(jìn)行優(yōu)化。該系統(tǒng)具有行業(yè)領(lǐng)仙的對(duì)準(zhǔn)精度(低至300nm),這是通過對(duì)準(zhǔn)臺(tái)改進(jìn)、高精度光學(xué)、多點(diǎn)間隙控制、非接觸式間隙測(cè)量和多點(diǎn)力控制的組合實(shí)現(xiàn)的。EVG7300是一個(gè)高度靈活的平臺(tái),提供三種不同的工藝模式(透鏡成型、透鏡堆疊和SmartNIL納米壓?。?,并支持從150毫米到300毫米晶圓的基板尺寸??焖偌虞d印模和晶圓、快速對(duì)準(zhǔn)光學(xué)器件、高功率固化和小工具占用空間,使高效平臺(tái)能夠滿足行業(yè)對(duì)新興WLO產(chǎn)品的制造需求。 北京好的測(cè)試探針卡制造

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