晶圓測試Waferprobe在半導(dǎo)體制程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程（WaferFabrication，簡稱WaferFab）、晶圓測試（WaferProbe），及晶圓封裝（Packaging）。晶圓測試是對芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測，在檢測頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標(biāo)上記號，而后當(dāng)芯片依晶粒為單位切割成單獨(dú)的的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。晶圓測試是對芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測，在檢測頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點(diǎn)（pad）...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長的氧化時(shí)...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時(shí)P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場推動了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象；智能手機(jī)及新型的物聯(lián)網(wǎng)市場帶動傳感器市場的成長；16年呈負(fù)增長的IC器件有DRAM、數(shù)字信號處理芯片、NOR閃存、其他存儲器、SRAM及CCD圖像傳感器等行業(yè)景氣度下滑主要因素，匯率變化、手機(jī)及消費(fèi)電子3G-4G高成長期過了；未來隨著新的產(chǎn)能，新的技術(shù)的到來又會重回增長，集成電路周期性波動還是不會改變。與15年相比，16年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形勢總體持平...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試（diesort）或晶圓電測（wafersort）。在測試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測試機(jī)是自動化的，...

鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān)，共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重，會產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定：彈簧探針的自然共面性（受與晶圓距離的影響）以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測試300mm晶圓時(shí)，傾斜程度不變但距離卻加倍了，就會產(chǎn)生共面性問題。由于傾斜造成探針卡部分更靠近晶圓，而隨著每個(gè)彈簧向系統(tǒng)中引入了更多的力，造成的過量行程將更大，產(chǎn)生更大的劃痕，與此同時(shí)部分由于傾斜而遠(yuǎn)離的部分還會有接觸不良的問題，留下的劃痕也幾乎不可見?？紤]到大面積的300mm晶圓，以及需要進(jìn)行可重復(fù)的接觸測試，將探針卡向系統(tǒng)傾斜便相當(dāng)有吸引力。...

EVGroup企業(yè)技術(shù)總監(jiān)ThomasGlinsner表示：“憑借20多年的納米壓印技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，EVGroup繼續(xù)開拓這一關(guān)鍵領(lǐng)域，開發(fā)創(chuàng)新解決方案，以滿足客戶不斷變化的需求?！薄拔覀冝┬峦瞥龅募{米壓印解決方案系列EVG7300將我們的SmartNIL全場壓印技術(shù)與鏡頭成型和鏡頭堆疊結(jié)合在蕞先近的系統(tǒng)中，并具有市場上蕞精確的對準(zhǔn)和工藝參數(shù)控制——為我們的客戶提供前所未有的靈活性，以滿足他們的行業(yè)研究和生產(chǎn)需求?！盓VG7300系統(tǒng)在EVG的HERCULES?NIL完全集成的UV-NIL跟蹤解決方案中作為獨(dú)力工具和集成模塊提供，其中額外的預(yù)處理步驟，如清潔、抗蝕劑涂層和烘烤或后處理，可...

近年來，我們國家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力以及建設(shè)事業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng)，與發(fā)達(dá)國家的差距也越來越小。這些都離不開探針卡等各行各業(yè)產(chǎn)品企業(yè)的不懈努力。同時(shí)，市場還在不斷發(fā)展，探針卡等產(chǎn)品行業(yè)更需不斷進(jìn)步以更好地推進(jìn)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步。時(shí)間是在分分秒秒的流逝的，市場也是在不斷地變化的。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)雖然在現(xiàn)今看來已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績，但是市場是瞬息萬變的，探針卡等在內(nèi)的各行各業(yè)還是需要不斷的創(chuàng)新變動，以市場多變的市場轉(zhuǎn)變。人都說商海如煙，你看不清市場會如何變化，能做的只是打好自己的基礎(chǔ)，另自己在暴風(fēng)雨來臨之時(shí)也有足夠的氣力去站穩(wěn)。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)的發(fā)展同樣如此，需要不斷的創(chuàng)新和變動來加強(qiáng)競爭力。選擇測試探針卡研發(fā)。湖北選擇測試...

當(dāng)前，我國超大規(guī)模和極大規(guī)模集成電路處于快速發(fā)展時(shí)期，隨著集成電路技術(shù)從深亞微米向90-65-45納米技術(shù)推進(jìn)，大幅度提高芯片測試準(zhǔn)確性和測試效率是集成電路生產(chǎn)中迫切需要解決的問題。本項(xiàng)目研發(fā)的超高速、超高頻芯片測試探針卡是實(shí)現(xiàn)集成電路超高速、超高頻芯片測試的重要環(huán)節(jié)，是實(shí)現(xiàn)高速、高效測試的重要保障。同時(shí)，測試探針卡研究成果將沖破國外廠商對我國超高頻芯片測試探針卡設(shè)計(jì)制作技術(shù)的壟斷，為我國自主研制和生產(chǎn)超快速、超高頻芯片測試探針卡開拓道路，為實(shí)現(xiàn)超高頻芯片測試探針卡國產(chǎn)化研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。由于本項(xiàng)目研制出的成果切合我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，具有很大的推廣前景，與此同時(shí)，本...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測試成品率,減少探針卡測試問題,防止探針卡的異常損壞,延長探針卡的使用壽命,降低測試成本,提高測試良率和測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對65納米的晶圓測試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場的主動,就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)**提出了未來發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

探針卡保管環(huán)境要求：1.探針卡的保管環(huán)境對針卡的壽命起到很大的作用，可以延長針卡的使用周期；2.在無塵室里面提供專門的針卡保管架；3.潔凈室的溫濕度控制可根據(jù)貴公司的溫濕度標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。探針卡注意事項(xiàng)：1.嚴(yán)禁在濕度較大的地方存放；2.嚴(yán)禁在潔凈房以外的地方存放.3注意輕拿輕放，防止大震動改變針卡的平坦度和排列。探針卡使用中出現(xiàn)的問題和處理方法1.在較長時(shí)間不使用后容易出現(xiàn)針前列面氧化，在檢測時(shí)會出現(xiàn)探針和ITO或PAD接觸不良的現(xiàn)象。處理方法：出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí)請不要連續(xù)加大OD，從探針臺上取下針卡利用sanding砂紙對針前列進(jìn)行輕微的打磨，避免搭理使針的平坦度和排列變形。2.如果潔凈房...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試（diesort）或晶圓電測（wafersort）。在測試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測試機(jī)是自動化的，...

測試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來決定，一般常見的測試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測試場合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點(diǎn)是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

整個(gè)過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動過程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后，將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了單一的鑲嵌工藝。單一大馬士革工藝是一項(xiàng)成熟的技術(shù)?；旧?，氧化物材料沉積在晶片上。在氧化物材料中對微小的通孔進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。使用沉積工藝在通孔中填充銅。這繼而在晶片表面上形成銅互連或焊盤。銅焊盤相對較大，以微米為單位。此過程有點(diǎn)類似于當(dāng)今工廠中先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。但是，對于高級芯片而言，蕞大的區(qū)別在于銅互連是在納米級上測量的。那瑾瑾是過程的開...

整個(gè)科技行業(yè)是個(gè)倒金字塔，可以分為四個(gè)層次，較上面是軟件網(wǎng)絡(luò)等，第二層是單子系統(tǒng)，第三層芯片制造4000億美金，第四層芯片前端設(shè)備300-400億美元，年總投資>700億美元；反過來看，軟件網(wǎng)絡(luò)等公司有數(shù)百萬家，電子系統(tǒng)公司數(shù)十萬家，芯片制造公司只有數(shù)百家，25個(gè)主要公司，8個(gè)靠前的公司，芯片設(shè)備更是只有數(shù)十公司，全球10個(gè)主要公司，3個(gè)工藝設(shè)備靠前的公司；芯片設(shè)備需要超前芯片制造3-5年開發(fā)新一代的產(chǎn)品；芯片制造要超前電子系統(tǒng)5-7年時(shí)間開發(fā)。在半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入成熟期，由于過多的競爭者，供過于求的價(jià)格戰(zhàn)造成價(jià)格的大幅度降低。較終產(chǎn)品進(jìn)入每家每戶，必須物美價(jià)廉，所以產(chǎn)品成本成為推動行...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一。近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向32奈米以下挺進(jìn)。目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CPU等。上述高階封裝方式單價(jià)高昂，如果能...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場的主動,就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)**提出了未來發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

一、尖頭被測點(diǎn)是凸?fàn)畹钠狡瑺罨蛘哂醒趸F(xiàn)象；二、傘型頭被測點(diǎn)是孔或者是平片狀或凹狀；三、平頭被測點(diǎn)是凸起平片狀；四、內(nèi)碗口平頭被測點(diǎn)是凸起；五、九爪頭被測點(diǎn)是平片或者凹狀；六、皇冠頭被測點(diǎn)是凸起或平片狀；七、三針頭被測點(diǎn)是凹狀；八、圓頭被測點(diǎn)是間隙較密且凸起或平片狀。probecard翻譯過來其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測試接口,主要對裸芯進(jìn)行測試,通過連接測試機(jī)和芯片,通過傳輸信號,對芯片參數(shù)進(jìn)行測試。目前我國探針卡市場發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對探針卡市場的關(guān)注越來越密切，這使得探針卡市場...

什么是混合鍵合技術(shù)對于高級芯片封裝，該行業(yè)還致力于管芯對晶片和管芯對管芯的銅混合鍵合。這涉及將裸片堆疊在晶片上，將裸片堆疊在中介層上或?qū)⒙闫询B在裸片上。這比晶片間接合更困難。Uhrmann說：“對于管芯對晶圓的混合鍵合而言，處理不帶顆粒添加劑的管芯的基礎(chǔ)設(shè)施以及鍵合管芯的能力成為一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)?！薄半m然可以從晶圓級復(fù)制和/或改寫芯片級的界面設(shè)計(jì)和預(yù)處理，但是在芯片處理方面仍存在許多挑戰(zhàn)。通常，后端處理（例如切塊，管芯處理和膠片框架上的管芯傳輸）必須適應(yīng)前端清潔級別，以允許在管芯級別上獲得較高的鍵合良率?！盪hrmann說?！爱?dāng)我查看工程工作并查看工具開發(fā)的方向（針對芯片到晶圓）時(shí)，...

在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費(fèi)者對晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對其原理也會有所了解。首先在當(dāng)今的市場上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針卡廠家為了讓我們廠家生產(chǎn)的這款產(chǎn)品在上面有自己的一席位置，在生產(chǎn)這款產(chǎn)品的時(shí)候使用的都是先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，而且每個(gè)生產(chǎn)線上也有專業(yè)的工作人員在嚴(yán)格的把關(guān)，這樣一來可以成功的確保我們廠家生產(chǎn)的每一款產(chǎn)品的質(zhì)量都符合國家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)這樣是我們廠家為什么可以在這個(gè)競爭如此激烈的市場上面有自己的一席位置。晶圓探針卡廠家的前景在市場上面之所以越來越好不...

熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性...

探針卡是一種測試接口,主要對裸芯進(jìn)行測試,通過連接測試機(jī)和芯片,通過傳輸信號,對芯片參數(shù)進(jìn)行測試。探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，它是IC制造中對制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一.近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強(qiáng)、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(Flipchip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CP...

混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對微小的納米級缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓廠級的潔凈室，以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要?！半S著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜，并且所涉及的功能越來越小，有效的工藝控制的需求也在不斷增長。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具，失敗的成本很高?！盋yberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間，有用于形成垂直電氣連接的凸塊?？刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對于確保堆疊...

鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān)，共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重，會產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定：彈簧探針的自然共面性（受與晶圓距離的影響）以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測試300mm晶圓時(shí)，傾斜程度不變但距離卻加倍了，就會產(chǎn)生共面性問題。由于傾斜造成探針卡部分更靠近晶圓，而隨著每個(gè)彈簧向系統(tǒng)中引入了更多的力，造成的過量行程將更大，產(chǎn)生更大的劃痕，與此同時(shí)部分由于傾斜而遠(yuǎn)離的部分還會有接觸不良的問題，留下的劃痕也幾乎不可見?？紤]到大面積的300mm晶圓，以及需要進(jìn)行可重復(fù)的接觸測試，將探針卡向系統(tǒng)傾斜便相當(dāng)有吸引力。...

TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(IntegratedFanOut)是臺積電推出的2.5D封裝技術(shù)，稱為晶圓級封裝。臺積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互聯(lián)。CoWoS針對較好市場，連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對性價(jià)比市場，封裝尺寸較小，連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認(rèn)可，蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù)。Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)、HBM標(biāo)準(zhǔn)、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關(guān)，下表是有關(guān)Wide-IO，HMC，HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較。W...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試（diesort）或晶圓電測（wafersort）。在測試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測試機(jī)是自動化的，...

晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化學(xué)成分化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。硅是由...

此處用干法氧化法將氮化硅去除6、離子布植將硼離子(B+3)透過SiO2膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場加速雜質(zhì)離子，將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。MOS電路制造中，器件隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截?cái)?，調(diào)整閥值電壓用的溝道摻雜，CMOS的阱形成及源漏區(qū)的形成，要采用離子注入法來摻雜。離子注入法通常是將欲摻入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)在離子源中離子化，然后將通過質(zhì)量分析磁極后選定了離子進(jìn)行加速，注入基片中。7、去除光刻膠放高溫爐中進(jìn)行退火處理以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置，產(chǎn)生...

晶圓探針卡的制造方法測試母板包含一個(gè)凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測待測物外力；軟性電路基板位于測試母板朝向待測物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強(qiáng)其硬度，增強(qiáng)其抗形變力，進(jìn)而增加其使用壽命。具有制作容易及可快速提供晶圓型態(tài)組件的測試用的功效。其特征是：它至少是測試母板母板包含一凹穴形成于下表面且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于所述凹穴內(nèi)吸收待測物外力；軟性電路基板位于所述測試母板，朝向待測物面；垂直探針形成于所述軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定所述垂直探針；硬性導(dǎo)電材質(zhì)包覆該垂直探針加強(qiáng)其硬度。近年來探針卡的相關(guān)研究：...