在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費者對晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對其原理也會有所了解。首先在當(dāng)今的市場上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針卡廠家為了讓我們廠家生產(chǎn)的這款產(chǎn)品在上面有自己的一席位置，在生產(chǎn)這款產(chǎn)品的時候使用的都是先進的生產(chǎn)設(shè)備，而且每個生產(chǎn)線上也有專業(yè)的工作人員在嚴(yán)格的把關(guān)，這樣一來可以成功的確保我們廠家生產(chǎn)的每一款產(chǎn)品的質(zhì)量都符合國家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)這樣是我們廠家為什么可以在這個競爭如此激烈的市場上面有自己的一席位置。晶圓探針卡廠家的前景在市場上面之所以越來越好不...

在另一條評論中，一位名為“電路板維修達(dá)人”的用戶寫道：“我之前嘗試過多種不同的測試工具，但這款探針卡無疑是其中的佼佼者。它不僅耐用，而且非常準(zhǔn)確。我已經(jīng)將它視為我的得力助手?！弊鳛橐豢顚I(yè)的測試工具，測試探針卡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)得到了認(rèn)可。它不僅能夠提高工程師們的工作效率，而且還能幫助他們在短時間內(nèi)準(zhǔn)確地找到問題所在。因此，對于那些在電子工程領(lǐng)域工作的朋友們來說，不妨嘗試一下這款產(chǎn)品，相信它會成為你的得力助手。此外，我們還可以通過社交媒體等渠道傳播產(chǎn)品的好評和推薦。例如，我們可以在微博、微信等平臺上發(fā)布用戶的使用感受和體驗，讓更多的人了解并認(rèn)識到測試探針卡的價值。同時，我們還...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

測試探針卡是一款具備可擴展性、靈活性、穩(wěn)定性、可靠性、易用性和良好用戶體驗的產(chǎn)品。它不僅可以滿足用戶的基本需求，還可以根據(jù)用戶的實際需求進行定制化的功能開發(fā)。同時，它支持多種第三方應(yīng)用集成，使得用戶在使用過程中可以輕松地與現(xiàn)有系統(tǒng)進行集成。此外，測試探針卡的穩(wěn)定性和可靠性也非常出色，使得用戶在使用過程中不會因故障而受到任何影響。然后，它的易用性和用戶體驗也非常好，使得用戶可以快速上手并輕松地進行操作。這些特點使得測試探針卡在面對激烈的市場競爭時，能夠脫穎而出并贏得用戶的青睞。如果您正在尋找一款具備可擴展性、靈活性、穩(wěn)定性、可靠性、易用性和良好用戶體驗的測試探針卡品牌，那么測試探針卡將是您的選擇...

FormFactor發(fā)表Harmony全區(qū)12寸晶圓針測解決方案的靠前的成員——Harmony晶圓級預(yù)燒(Wafer-LevelBurn-In，WLBI)探針卡。HarmonyWLBI探針卡能提高作業(yè)流量，并且確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度。HarmonyWLBI探針卡一次能接觸約4萬個測試焊墊，還能在高溫(比較高130℃)下測試整片12寸晶圓。HarmonyWLBI探針卡結(jié)合各種電子元件以及新型3DMEMSMicroSpring接觸器，能承受高溫的預(yù)燒測試，降低清理次數(shù)，提高探針卡的可用度以及測試元件的生產(chǎn)力。FormFactor專利技術(shù)可以增加同時測試晶粒的數(shù)量，運用現(xiàn)有的測試設(shè)...

自去年末以來，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會對中國臺灣IC設(shè)計業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場佳音，因此2015年的市場中包括智能手機、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對此媒體稱將會為2015年臺系IC設(shè)計業(yè)者運營成長造成不利影響，業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好，臺系IC設(shè)計業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國家智能型手機市場需求一直沒有...

ＩＣ探測卡又稱為探針卡（probecard），用來測試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護。一．探針卡的存放：１，請勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會使您的探針卡受到損壞。２，請勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

ＩＣ探測卡又稱為探針卡（probecard），用來測試ＩＣ芯片（wafer）良品率的工具，是ＩＣ生產(chǎn)鏈中不可或缺的重要一環(huán)。探針卡是一種非常精密的工具，經(jīng)由多道非常小心精密的生產(chǎn)步驟而完成。為使您的針卡擁有比較高的使用效能，請仔細(xì)閱讀以下詳細(xì)說明，并小心使用、定期的維護。一．探針卡的存放：１，請勿將探針卡放置于過高或過低于常溫的環(huán)境下。由于膨脹系數(shù)的不同，過高或過低的溫度可能會使您的探針卡受到損壞。２，請勿將探針卡放置于潮濕的環(huán)境下。潮濕的環(huán)境可能使您的探什卡產(chǎn)生低漏電、高泄漏電流等不良情況。３，請勿將探針卡放置于具有腐蝕性化學(xué)品的環(huán)境下。４，請務(wù)必將探針卡放置于常溫、干燥、清潔的...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試及構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針偵測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費。隨著半導(dǎo)體制成的快速進展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，滿足了高積密度測試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸，提高用戶滿意度：測試探針卡助您一臂之力在當(dāng)今高度信息化的時代，網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為人們生活、工作不可或缺的一部分。隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)性能問題日益凸顯，成為了眾多企業(yè)和用戶亟待解決的痛點。在這樣的背景下，我們?yōu)槟鷰砹私鉀Q方案——測試探針卡，一種能夠準(zhǔn)確測試網(wǎng)絡(luò)性能的工具，幫助您解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸，提高用戶滿意度。測試探針卡：解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸的利器測試探針卡是一種專為網(wǎng)絡(luò)性能測試而設(shè)計的工具，它能夠多方面、準(zhǔn)確地檢測網(wǎng)絡(luò)性能，幫助您快速定位問題，進而采取有效的措施解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸。與傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)測試方法相比，測試探針卡具有操作簡單、結(jié)果準(zhǔn)確、多方面測試等優(yōu)點，能夠節(jié)省您的時間和...

退火處理，然后用HF去除SiO2層。10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPCVD沉積一層氮化硅。此時P阱的表面因SiO2層的生長與刻蝕已低于N阱的表面水平面。這里的SiO2層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。12、濕法氧化，生長未有氮化硅保護的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)。13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層。14、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試及構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針偵測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費。隨著半導(dǎo)體制成的快速進展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，滿足了高積密度測試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

行業(yè)競爭非常激烈，經(jīng)過30年發(fā)展，較初的30多個刻蝕和薄膜設(shè)備公司現(xiàn)在集中到了3家中微第二廠房第二期完成后，將達(dá)到每年400-500臺設(shè)備，80-100億人民幣的開發(fā)能力。中微有100多位來自十多個國家的半導(dǎo)體設(shè)備專家，十幾個VP來自6個國家。中微在線刻蝕機累計反映臺數(shù)量前面的年以每年>30%速度增長，刻蝕機及MOCVD已有409個反應(yīng)臺在亞洲34條先進生產(chǎn)線使用，從12到15年在線累計反應(yīng)器數(shù)量平均每年增長40%?，F(xiàn)在以40nm，45nm和28nm及以下的晶圓為主，28nm及以下晶元每月加工30萬片以上；MEMS和CIS每月加工超過8萬片。中國臺灣前列Foundry以生產(chǎn)了120...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個平臺。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進的解決方案，在一個平臺中結(jié)合了多種基于紫外線的工藝能力。SmartNIL?結(jié)構(gòu)化增強現(xiàn)實(AR)波導(dǎo)和晶圓級微透鏡印記展示了新型EVG7300的應(yīng)用多功能性。奧地利弗洛里安，報道—為MEMS、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場提供晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)仙供應(yīng)商EVGroup(EVG)推出了EVG7300自動化SmartNIL納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)。EVG7300是該公司蕞先近的解決方案...

解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸，提高用戶滿意度：測試探針卡助您一臂之力在當(dāng)今高度信息化的時代，網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成為人們生活、工作不可或缺的一部分。隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)性能問題日益凸顯，成為了眾多企業(yè)和用戶亟待解決的痛點。在這樣的背景下，我們?yōu)槟鷰砹私鉀Q方案——測試探針卡，一種能夠準(zhǔn)確測試網(wǎng)絡(luò)性能的工具，幫助您解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸，提高用戶滿意度。測試探針卡：解決網(wǎng)絡(luò)性能瓶頸的利器測試探針卡是一種專為網(wǎng)絡(luò)性能測試而設(shè)計的工具，它能夠多方面、準(zhǔn)確地檢測網(wǎng)絡(luò)性能，幫助您快速定位問題，進而采取有效的措施解決網(wǎng)絡(luò)瓶頸。與傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)測試方法相比，測試探針卡具有操作簡單、結(jié)果準(zhǔn)確、多方面測試等優(yōu)點，能夠節(jié)省您的時間和...

測試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點材質(zhì)來決定，一般常見的測試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強的破壞性，不適用于薄膜的測試場合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvapordeposition)法兩大類。CVD法有外延生長法、HCVD，PECVD等。PVD有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言，PVD溫度低，沒有毒氣問題；CVD溫度高，需達(dá)到1000oC以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD沉積到材料表面的附著力較CVD差一些，PVD適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PVD來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)...

在半導(dǎo)體的整個制造流程上,可簡單的分成IC設(shè)計、晶圓制造、晶圓測試以及晶圓封裝。晶圓測試又可區(qū)分為晶圓針測與晶粒封裝后的后面的測試(FinalTesting),而兩個測試的差別是晶圓測試是是針對芯片上的晶粒進行電性以及功能方面的測試,以確保在進入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測試成本,而晶粒封裝后的功能測試主要則是將那些半導(dǎo)體后段封裝過程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來,以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對於前段制程來說,它其實還有...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅持結(jié)合國內(nèi)的實際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進,但是創(chuàng)新能力是無法引進的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗,才能使探針卡不斷的提升性能,每一個探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點,優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場的主動,就是因為其產(chǎn)品在坡面的防護能力較好的,是別的物品無法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價比。探針卡的需求量比較大,市場潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)專家提出了未來發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代，可以實現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬，內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz，總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps，是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高，其主要目標(biāo)市場是要求低功耗的移動設(shè)備。2、AMD，NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)HBM(High-BandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對顯卡市場，它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù)，當(dāng)然功耗也會更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn)...

晶圓測試Waferprobe在半導(dǎo)體制程上，主要可分成IC設(shè)計、晶圓制程（WaferFabrication，簡稱WaferFab）、晶圓測試（WaferProbe），及晶圓封裝（Packaging）。晶圓測試是對芯片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點（pad）接觸，測試其電氣特性，不合格的晶粒會被標(biāo)上記號，而后當(dāng)芯片依晶粒為單位切割成單獨的的晶粒時，標(biāo)有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進行下一個制程，以免徒增制造成本。晶圓測試是對芯片上的每個晶粒進行針測，在檢測頭裝上以金線制成細(xì)如毛發(fā)之探針（probe），與晶粒上的接點（pad）...

c)b0c臺系IC設(shè)計業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機市場需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢必將再次侵蝕臺系IC設(shè)計業(yè)者2015年運營市場利潤。臺系NB相關(guān)IC設(shè)計業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場，MacBookAir幾乎是在全球NB市場猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營不僅面臨全球NB市場需求量...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達(dá)到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對裸晶系以探針做功能測試，篩選出不良品、再進行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一。近年來半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向32奈米以下挺進。目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來越小、功能越來越強、腳數(shù)越來越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲器及CPU等。上述高階封裝方式單價高昂，如果能...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試機構(gòu)構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費。隨著半導(dǎo)體制程的快速進展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高積密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進步，但我們應(yīng)看到探針...

c)b0c臺系IC設(shè)計業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機市場需求持續(xù)被看好，造成需求量向來比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近期又開始擔(dān)心蘋果Watch與MacBookAir等新品，是否再次造成市場需求旋風(fēng)，一旦蘋果新品出貨再度告捷，勢必將再次侵蝕臺系IC設(shè)計業(yè)者2015年運營市場利潤。臺系NB相關(guān)IC設(shè)計業(yè)者指出，相較于Watch卡位新興應(yīng)用的智能可穿戴式裝備市場，MacBookAir幾乎是在全球NB市場猛搶市占率，讓W(xué)intel陣營不僅面臨全球NB市場需求量...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路機能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試（diesort）或晶圓電測（wafersort）。在測試時，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測器對準(zhǔn)，同時探針與芯片的每一個焊接墊相接觸,電測器在電源的驅(qū)動下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計算機程序控制。測試機是自動化的，...

測試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點材質(zhì)來決定，一般常見的測試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強的破壞性，不適用于薄膜的測試場合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點是可以用電鍍方式來制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強度極強，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...

美光主推HMC技術(shù)HMC(HybridMemoryCube)標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場是較高的服務(wù)器市場，尤其是針對多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memorycontroller)集成到DRAM堆疊封裝里。以往內(nèi)存控制器都做在處理器里，所以在較高的服務(wù)器里，當(dāng)需要使用大量內(nèi)存模塊時，內(nèi)存控制器的設(shè)計非常復(fù)雜?，F(xiàn)在把內(nèi)存控制器集成到內(nèi)存模塊內(nèi)，則內(nèi)存控制器的設(shè)計就較大地簡化了。后面，HMC使用高速串行接口(SerDes)來實現(xiàn)高速接口，適合處理器和內(nèi)存距離較遠(yuǎn)的情況(例如處理器和內(nèi)存在兩張不同的PCB板上)。相較而言，...

晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化學(xué)成分化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。硅是由...