據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)收3670億美元，預(yù)計(jì)2016年增長(zhǎng)，達(dá)到3730億美元。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)約1520億美元，預(yù)計(jì)2019年達(dá)到1790億美元，五年復(fù)合增長(zhǎng)。中國(guó)占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)比例未來(lái)幾年維持在43%左右。與國(guó)內(nèi)行業(yè)協(xié)會(huì)口徑有差異，國(guó)內(nèi)統(tǒng)計(jì)占比是在50%以上，主要是有些重復(fù)計(jì)算。目前，中國(guó)本土芯片供需缺口還是很大，2300億美金的進(jìn)口，大數(shù)是3個(gè)三分之一，我們自己整機(jī)企業(yè)消耗三分之一，信息外部企業(yè)消耗三分之一，比如汽車、裝備之類，還有三分之一是跨國(guó)企業(yè)帶進(jìn)來(lái)又銷出去?，F(xiàn)在下游市場(chǎng)在向中國(guó)集中，集成電路產(chǎn)業(yè)必向中國(guó)集中。市場(chǎng)在什么地方，產(chǎn)業(yè)就必須在這個(gè)地方，如果不在...

一、尖頭被測(cè)點(diǎn)是凸?fàn)畹钠狡瑺罨蛘哂醒趸F(xiàn)象；二、傘型頭被測(cè)點(diǎn)是孔或者是平片狀或凹狀；三、平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起平片狀；四、內(nèi)碗口平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起；五、九爪頭被測(cè)點(diǎn)是平片或者凹狀；六、皇冠頭被測(cè)點(diǎn)是凸起或平片狀；七、三針頭被測(cè)點(diǎn)是凹狀；八、圓頭被測(cè)點(diǎn)是間隙較密且凸起或平片狀。probecard翻譯過(guò)來(lái)其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過(guò)傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。目前我國(guó)探針卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對(duì)探針卡市場(chǎng)的關(guān)注越來(lái)越密切，這使得探針卡市場(chǎng)...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場(chǎng)比例位22%；較好的手機(jī)、平板電腦市場(chǎng)推動(dòng)了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過(guò)于求的現(xiàn)象；智能手機(jī)及新型的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶動(dòng)傳感器市場(chǎng)的成長(zhǎng)；16年呈負(fù)增長(zhǎng)的IC器件有DRAM、數(shù)字信號(hào)處理芯片、NOR閃存、其他存儲(chǔ)器、SRAM及CCD圖像傳感器等行業(yè)景氣度下滑主要因素，匯率變化、手機(jī)及消費(fèi)電子3G-4G高成長(zhǎng)期過(guò)了；未來(lái)隨著新的產(chǎn)能，新的技術(shù)的到來(lái)又會(huì)重回增長(zhǎng)，集成電路周期性波動(dòng)還是不會(huì)改變。與15年相比，16年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形勢(shì)總體持平...

整個(gè)過(guò)程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動(dòng)過(guò)程中要處理兩個(gè)或多個(gè)晶片。然后，將晶圓運(yùn)送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了單一的鑲嵌工藝。單一大馬士革工藝是一項(xiàng)成熟的技術(shù)?；旧?，氧化物材料沉積在晶片上。在氧化物材料中對(duì)微小的通孔進(jìn)行構(gòu)圖和蝕刻。使用沉積工藝在通孔中填充銅。這繼而在晶片表面上形成銅互連或焊盤。銅焊盤相對(duì)較大，以微米為單位。此過(guò)程有點(diǎn)類似于當(dāng)今工廠中先進(jìn)的芯片生產(chǎn)。但是，對(duì)于高級(jí)芯片而言，蕞大的區(qū)別在于銅互連是在納米級(jí)上測(cè)量的。那瑾瑾是過(guò)程的開(kāi)...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過(guò)濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測(cè)試成本,而晶粒封裝后的功能測(cè)試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過(guò)程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測(cè)試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來(lái),以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對(duì)於前段制程來(lái)說(shuō),它其實(shí)還有...

一、尖頭被測(cè)點(diǎn)是凸?fàn)畹钠狡瑺罨蛘哂醒趸F(xiàn)象；二、傘型頭被測(cè)點(diǎn)是孔或者是平片狀或凹狀；三、平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起平片狀；四、內(nèi)碗口平頭被測(cè)點(diǎn)是凸起；五、九爪頭被測(cè)點(diǎn)是平片或者凹狀；六、皇冠頭被測(cè)點(diǎn)是凸起或平片狀；七、三針頭被測(cè)點(diǎn)是凹狀；八、圓頭被測(cè)點(diǎn)是間隙較密且凸起或平片狀。probecard翻譯過(guò)來(lái)其實(shí)就是探針卡。探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過(guò)傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。目前我國(guó)探針卡市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)品產(chǎn)出持續(xù)擴(kuò)張，國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)探針卡產(chǎn)業(yè)向高技術(shù)產(chǎn)品方向發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)新增投資項(xiàng)目投資逐漸增多。投資者對(duì)探針卡市場(chǎng)的關(guān)注越來(lái)越密切，這使得探針卡市場(chǎng)...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測(cè)試及分析制程。探針卡預(yù)測(cè)試及構(gòu)成測(cè)試回路，與IC封裝前，以探針偵測(cè)晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段制造成本的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制成的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測(cè)試極限，滿足了高積密度測(cè)試，探針卡類型在不斷發(fā)展。隨著晶圓探針卡的不斷提升，探針卡的種類不斷更新。較早的探針卡發(fā)展于1969年。主要分為ep...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問(wèn)題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開(kāi)展探針卡使用問(wèn)題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過(guò)快問(wèn)題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問(wèn)題、人員操作問(wèn)...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（diesort）或晶圓電測(cè)（wafersort）。在測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2OàSiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來(lái)形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。SiO2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)...

懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹(shù)脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-0.25mil水平：+/-0.25mil針壓：2-3g/mil+/-20%漏電流：10nA/5V接觸電阻：3/20mA懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹(shù)脂固定，針位較穩(wěn)定選...

當(dāng)前，我國(guó)超大規(guī)模和極大規(guī)模集成電路處于快速發(fā)展時(shí)期，隨著集成電路技術(shù)從深亞微米向90-65-45納米技術(shù)推進(jìn)，大幅度提高芯片測(cè)試準(zhǔn)確性和測(cè)試效率是集成電路生產(chǎn)中迫切需要解決的問(wèn)題。本項(xiàng)目研發(fā)的超高速、超高頻芯片測(cè)試探針卡是實(shí)現(xiàn)集成電路超高速、超高頻芯片測(cè)試的重要環(huán)節(jié)，是實(shí)現(xiàn)高速、高效測(cè)試的重要保障。同時(shí)，測(cè)試探針卡研究成果將沖破國(guó)外廠商對(duì)我國(guó)超高頻芯片測(cè)試探針卡設(shè)計(jì)制作技術(shù)的壟斷，為我國(guó)自主研制和生產(chǎn)超快速、超高頻芯片測(cè)試探針卡開(kāi)拓道路，為實(shí)現(xiàn)超高頻芯片測(cè)試探針卡國(guó)產(chǎn)化研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。由于本項(xiàng)目研制出的成果切合我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，具有很大的推廣前景，與此同時(shí)，本...

近年來(lái)，我們國(guó)家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力以及建設(shè)事業(yè)實(shí)力不斷增強(qiáng)，與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距也越來(lái)越小。這些都離不開(kāi)探針卡等各行各業(yè)產(chǎn)品企業(yè)的不懈努力。同時(shí)，市場(chǎng)還在不斷發(fā)展，探針卡等產(chǎn)品行業(yè)更需不斷進(jìn)步以更好地推進(jìn)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步。時(shí)間是在分分秒秒的流逝的，市場(chǎng)也是在不斷地變化的。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)雖然在現(xiàn)今看來(lái)已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績(jī)，但是市場(chǎng)是瞬息萬(wàn)變的，探針卡等在內(nèi)的各行各業(yè)還是需要不斷的創(chuàng)新變動(dòng)，以市場(chǎng)多變的市場(chǎng)轉(zhuǎn)變。人都說(shuō)商海如煙，你看不清市場(chǎng)會(huì)如何變化，能做的只是打好自己的基礎(chǔ)，另自己在暴風(fēng)雨來(lái)臨之時(shí)也有足夠的氣力去站穩(wěn)。探針卡等產(chǎn)品企業(yè)的發(fā)展同樣如此，需要不斷的創(chuàng)新和變動(dòng)來(lái)加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。矽利康測(cè)試探針卡生產(chǎn)廠家。江西選...

在目前多個(gè)行業(yè)不斷發(fā)展的形勢(shì)下，包括晶圓探針卡在內(nèi)的多種設(shè)備都已經(jīng)獲得進(jìn)一步的發(fā)展與應(yīng)用，那么對(duì)其產(chǎn)品的生產(chǎn)在日后的前景會(huì)怎么樣呢？下面就來(lái)一起了解下吧！近年來(lái)，晶圓探針卡的生產(chǎn)、應(yīng)用、研究等各個(gè)方面都發(fā)展很快，反映出中國(guó)已具有一定的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。但是隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，還不能滿足機(jī)械設(shè)備建設(shè)的需要，無(wú)論從深度還是廣度來(lái)看，尚有一定的差距，需在提高現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，新技術(shù)。在全國(guó)各地特別是東南沿海一帶，晶圓探針卡的應(yīng)用潛力很大，晶圓探針卡的發(fā)展前景是廣闊的，樂(lè)觀的。希望通過(guò)以上內(nèi)容的講述可以更好的幫助到大家。測(cè)試探針卡生產(chǎn)廠家。江西有名測(cè)試探針卡生產(chǎn)廠家 ...

在目前多個(gè)行業(yè)不斷發(fā)展的形勢(shì)下，包括晶圓探針卡在內(nèi)的多種設(shè)備都已經(jīng)獲得進(jìn)一步的發(fā)展與應(yīng)用，那么對(duì)其產(chǎn)品的生產(chǎn)在日后的前景會(huì)怎么樣呢？下面就來(lái)一起了解下吧！近年來(lái)，晶圓探針卡的生產(chǎn)、應(yīng)用、研究等各個(gè)方面都發(fā)展很快，反映出中國(guó)已具有一定的生產(chǎn)能力和技術(shù)水平。但是隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，還不能滿足機(jī)械設(shè)備建設(shè)的需要，無(wú)論從深度還是廣度來(lái)看，尚有一定的差距，需在提高現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，新技術(shù)。在全國(guó)各地特別是東南沿海一帶，晶圓探針卡的應(yīng)用潛力很大，晶圓探針卡的發(fā)展前景是廣闊的，樂(lè)觀的。希望通過(guò)以上內(nèi)容的講述可以更好的幫助到大家。矽利康測(cè)試探針卡多少錢。上海選擇測(cè)試探針卡那些廠家 ...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（diesort）或晶圓電測(cè)（wafersort）。在測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測(cè)器在電源的驅(qū)動(dòng)下測(cè)試電路并記錄下結(jié)果。測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的，...

測(cè)試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來(lái)決定，一般常見(jiàn)的測(cè)試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測(cè)試場(chǎng)合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢更低的接觸阻抗，但是探針硬度不如鎢離，因此磨耗比較快；至于鈀合金性質(zhì)類似于鈹銅合金，有比鎢更低的接觸阻抗，比較大的優(yōu)點(diǎn)是可以用電鍍方式來(lái)制作探針。其中鎢錸合金（97%-3%）的接觸電阻比鎢稍高，抗疲勞性相似。但是，由于鎢錸合金的晶格結(jié)構(gòu)比鎢更加緊密，其測(cè)試探針頂端的平面更加光滑。因此，這些測(cè)試探針頂端被污染的可能性更小，更容易淸潔，其接觸...

晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，化學(xué)成分化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過(guò)程稱為“長(zhǎng)晶”。硅晶棒再經(jīng)過(guò)切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。硅是由...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后段封裝前,可以及早的將那些功能不良的芯片或晶粒加以過(guò)濾,以避免由于不良率的偏高因而增加后續(xù)的封裝測(cè)試成本,而晶粒封裝后的功能測(cè)試主要?jiǎng)t是將那些半導(dǎo)體后段封裝過(guò)程中的不良品作后面的的把關(guān),以確保出廠后產(chǎn)品的品質(zhì)能夠達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。然而晶圓測(cè)試的主要功能,除了可將不良的晶粒盡早篩選出來(lái),以節(jié)省額外的后段封裝的制造成本外,對(duì)於前段制程來(lái)說(shuō),它其實(shí)還有...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問(wèn)題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開(kāi)展探針卡使用問(wèn)題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過(guò)快問(wèn)題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問(wèn)題、人員操作問(wèn)...

探針卡保管環(huán)境要求：1.探針卡的保管環(huán)境對(duì)針卡的壽命起到很大的作用，可以延長(zhǎng)針卡的使用周期；2.在無(wú)塵室里面提供專門的針卡保管架；3.潔凈室的溫濕度控制可根據(jù)貴公司的溫濕度標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。探針卡注意事項(xiàng)：1.嚴(yán)禁在濕度較大的地方存放；2.嚴(yán)禁在潔凈房以外的地方存放.3注意輕拿輕放，防止大震動(dòng)改變針卡的平坦度和排列。探針卡使用中出現(xiàn)的問(wèn)題和處理方法1.在較長(zhǎng)時(shí)間不使用后容易出現(xiàn)針前列面氧化，在檢測(cè)時(shí)會(huì)出現(xiàn)探針和ITO或PAD接觸不良的現(xiàn)象。處理方法：出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)不要連續(xù)加大OD，從探針臺(tái)上取下針卡利用sanding砂紙對(duì)針前列進(jìn)行輕微的打磨，避免搭理使針的平坦度和排列變形。2.如果潔凈房...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問(wèn)題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因此,開(kāi)展探針卡使用問(wèn)題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對(duì)65納米的晶圓測(cè)試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過(guò)快問(wèn)題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問(wèn)題、人員操作問(wèn)...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅(jiān)持結(jié)合國(guó)內(nèi)的實(shí)際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國(guó)外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進(jìn),但是創(chuàng)新能力是無(wú)法引進(jìn)的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅(jiān)持自己的創(chuàng)新,在生產(chǎn)中不斷的積累經(jīng)驗(yàn),才能使探針卡不斷的提升性能,每一個(gè)探針卡的生產(chǎn)廠家都應(yīng)該有自己的優(yōu)點(diǎn),優(yōu)于別人才能銷量高于別人。探針卡之所以能占據(jù)市場(chǎng)的主動(dòng),就是因?yàn)槠洚a(chǎn)品在坡面的防護(hù)能力較好的,是別的物品無(wú)法替代,其產(chǎn)品探針卡擁有比較高的性價(jià)比。探針卡的需求量比較大,市場(chǎng)潛力巨大。業(yè)內(nèi)相關(guān)專家提出了未來(lái)發(fā)展的策略:加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整;在今后的發(fā)展中...

有一個(gè)這樣的解決方案。Xperi已開(kāi)發(fā)出200mm和300mmCMP功能。Xperi工程副總裁LauraMirkarimi表示：“在過(guò)去的十年中，CMP技術(shù)在設(shè)備設(shè)計(jì)，漿料選項(xiàng)和過(guò)程監(jiān)控器方面進(jìn)行了創(chuàng)新，取得了顯著進(jìn)步，從而實(shí)現(xiàn)了可重復(fù)且穩(wěn)定的過(guò)程，并具有精確的控制?！比缓?，晶圓經(jīng)過(guò)一個(gè)度量步驟，該步驟可測(cè)量并表征表面形貌。原子力顯微鏡（AFM）和其他工具用于表征表面。AFM使用微小的探針進(jìn)行結(jié)構(gòu)測(cè)量。另外，還使用晶片檢查系統(tǒng)。這是該過(guò)程的關(guān)鍵部分。KLA的Hiebert說(shuō)：“對(duì)于混合鍵合，鑲嵌焊盤形成后的晶片表面輪廓必須以亞納米精度進(jìn)行測(cè)量，以確保銅焊盤滿足苛刻的凹凸要求?！便~混...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對(duì)裸晶系以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對(duì)制造成本影響相當(dāng)大的重要制程之一。近年來(lái)半導(dǎo)體制程技術(shù)突飛猛進(jìn)，超前摩爾定律預(yù)估法則好幾年，現(xiàn)階段已向32奈米以下挺進(jìn)。目前產(chǎn)品講求輕薄短小，IC體積越來(lái)越小、功能越來(lái)越強(qiáng)、腳數(shù)越來(lái)越多，為了降低芯片封裝所占的面積與改善IC效能，現(xiàn)階段覆晶(FlipChip)方式封裝普遍被應(yīng)用于繪圖芯片、芯片組、存儲(chǔ)器及CPU等。上述高階封裝方式單價(jià)高昂，如果能...

熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來(lái)進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開(kāi)，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來(lái)控制。所謂光刻膠，是對(duì)光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來(lái)，利用這一現(xiàn)象來(lái)形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金（Al-Si,Al-Si-Cu）等都是利用濺射法形成的。較常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（）電源，使氬氣（壓力為1Pa...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同...