將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如,對應各環(huán)形槽的磁環(huán)4,第二磁環(huán)5,第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如,環(huán)初級繞組外過孔10,環(huán)次級繞組外過13,第二環(huán)初級繞組外過14,第二環(huán)次級繞組外過孔17,第三環(huán)初級繞組外過18,第三環(huán)次級繞組外過孔21等),沿所述環(huán)形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如,環(huán)次級繞組內過孔11,環(huán)次級繞組內過孔12,第二環(huán)初級繞組內過孔15,第二環(huán)次級繞組內過16,第三環(huán)初級繞組內過孔19,第三環(huán)次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如,激光過孔技術實現(xiàn) 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如,環(huán)初級繞組外過孔10,環(huán)次級繞組外過13,第二環(huán)初級繞組外過14,第二環(huán)次級繞組外過孔17,第三環(huán)初級繞組外過18,第三環(huán)次級繞組外過孔21等),所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如,環(huán)次級繞組內過孔11,環(huán)次級繞組內過孔12,第二環(huán)初級繞組內過孔15,第二環(huán)次級繞組內過16,第三環(huán)初級繞組內過孔19,第三環(huán)次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。上海海谷電子有限公司為您提供回收,歡迎您的來電哦!甘肅電子料庫存回收網
所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸,其中,6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構,其中,n是正整數(shù),并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。附圖說明通過以下結合附圖進行的詳細描述,將更清楚地理解本公開的示例實施例。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。圖2是根據示例實施例的集成電路的截面圖。圖3是根據示例實施例的集成電路的圖。圖4a至圖4i是用于描述根據示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。圖5至圖10是根據示例實施例的應用于 集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖。圖12a、圖12b和圖12c是圖11的標準單元的截面圖。圖13是示出根據示例實施例的設計集成電路的方法的示圖。圖14是示出根據示例實施例的集成電路的設計系統(tǒng)的框圖。圖15是示出圖14的設計系統(tǒng)的示例操作的流程圖。圖16是示出根據示例實施例的集成電路的布圖的示圖。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。具體實施方式在下文中將參照示出一些示例實施例的附圖更地描述各種示例實施例。在附圖中。遼寧電感元件回收網上海海谷電子有限公司致力于提供回收,期待您的光臨!
四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm,四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個,可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中,wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度,wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度,wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前,可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8,每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下,每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。
所述基板包括覆銅芯板,通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽,有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能,例如能夠通過對沿磁環(huán)內外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內。本發(fā)明技術方案如下:一種集成電路基板,其特征在于,包括基板本體,所述基板本體中包括覆銅芯板,所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于 芯板底面的下覆銅層,所述芯板上設置有開口朝上的環(huán)形槽,所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽,所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側設置有若干外過孔,沿所述環(huán)形槽的內圈內側設置有若干內過孔。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔,所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內,沒有空氣爬電距離的路徑,能達到。本發(fā)明技術效果如下:本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司為您提供回收,有想法的可以來電咨詢!
四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm,四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個,可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中,wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度,wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度,wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前,可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8,每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下,每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司。吉林電感元件回收聯(lián)系方式
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導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如,tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如,鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū)ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如,沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。甘肅電子料庫存回收網
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