根據(jù)信號線束需要插接的位置,調(diào)節(jié)緊固螺栓12上連桿13的位置到合適的地方,順時針轉(zhuǎn)動緊固螺栓12,將連桿13的位置固定;逆時針轉(zhuǎn)動線夾14底部的螺絲,使得線夾14張開,將信號線穿過線夾14,順時針轉(zhuǎn)動線夾14底部的螺絲,將信號線固定在線夾14的內(nèi)部,將信號線的端頭安裝在信號接頭9上的93的底端,將93按入母頭91的內(nèi)部,通過卡扣92固定;將主板1通過減震螺栓10安裝固定在預(yù)先設(shè)置的安裝位置,順時針擰緊減震螺栓10即可,當(dāng)設(shè)備運轉(zhuǎn)時,為該顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)供電,散熱風(fēng)扇4通電轉(zhuǎn)動,主板1上的電子元件2運轉(zhuǎn)產(chǎn)生大額熱量,鰭形設(shè)計的散熱板3將電子元件2上的熱量吸收,通過散熱風(fēng)扇4轉(zhuǎn)動帶起的空氣流動排出設(shè)備。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此,無論從哪一點來看,均應(yīng)將實施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。上海海谷電子有限公司為您提供回收,歡迎您的來電!貴州進口晶振回收市場
將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如,對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4,第二磁環(huán)5,第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如,環(huán)初級繞組外過孔10,環(huán)次級繞組外過13,第二環(huán)初級繞組外過14,第二環(huán)次級繞組外過孔17,第三環(huán)初級繞組外過18,第三環(huán)次級繞組外過孔21等),沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如,環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11,環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12,第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15,第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16,第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19,第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如,激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如,環(huán)初級繞組外過孔10,環(huán)次級繞組外過13,第二環(huán)初級繞組外過14,第二環(huán)次級繞組外過孔17,第三環(huán)初級繞組外過18,第三環(huán)次級繞組外過孔21等),所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔(例如,環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11,環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12,第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15,第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16,第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19,第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。貴州進口晶振回收市場回收,就選上海海谷電子有限公司,讓您滿意,歡迎您的來電哦!
根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如,實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務(wù)器計算機、工作站、膝上型計算機、數(shù)字tv、機頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛 擬現(xiàn)實(vr)裝置、增強現(xiàn)實(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對示例實施例的說明,而不應(yīng)被解釋為對其進行限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實施例,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解,在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下,可以在示例實施例中進行許多修改。
四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm,四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個,可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié) 距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlpm23=pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中,wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度,wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度,wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前,可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8,每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下,每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。上海海谷電子有限公司致力于提供回收,有想法的可以來電咨詢!
所述基板包括覆銅芯板,通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽,有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能,例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下:一種集成電路基板,其特征在于,包括基板本體,所述基板本體中包括覆銅芯板,所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層,所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽,所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽,所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔,沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔,所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應(yīng)處設(shè)置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi),沒有空氣爬電距離的路徑,能達到。本發(fā)明技術(shù)效果如下:本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司為您提供回收,有想法的不要錯過哦!云南集成電路回收平臺
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本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù),特別是一種集成電路基板,所述基板包括覆銅芯板,通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽,有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能,例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。背景技術(shù):由于新能源的大力發(fā)展,隔離應(yīng)用要求越來越多和隔離電壓越來越高,而半導(dǎo)體隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦技術(shù)效率更高,集成度更高,支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領(lǐng)域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝,多芯片封裝工藝中?,F(xiàn)有技術(shù)中的采用微變壓器方案,電源功率只有%。由于電感量不夠大,信號傳輸不得不采用180MHz的調(diào)制信號,電路非常復(fù)雜,并且電路中的磁路不閉合,漏磁大,EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),對于采用微變壓器方案的半導(dǎo)體隔離技術(shù),由于微變壓器方案電感量,耦合系數(shù)太低,也增加了傳輸電路的復(fù)雜程度,集成的電源效率差。有的電容式隔離器,用戶需要外加變壓器。另外,電容式隔離不能內(nèi)部集成開關(guān)的電源,客戶使用不方便。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足,提供一種集成電路基板。貴州進口晶振回收市場
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