吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業(yè)鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入:年研發(fā)費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發(fā)明二等獎”。
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產能規(guī)模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導體產業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業(yè)邁向更高臺階。
負性光刻膠生產原料。河北進口光刻膠耗材
應用場景
半導體集成電路(IC)制造:
? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化(如10nm節(jié)點線寬只有100nm)。
? 存儲芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結構中,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1)。
平板顯示(LCD/OLED):
? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm)。
? OLED電極:在柔性基板上形成微米級透明電極,需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板(PCB):
? 高密度互連(HDI):用于細線路(線寬/線距≤50μm),如智能手機主板,相比負性膠,正性膠可實現更精細的線路邊緣。
微納加工與科研:
? MEMS傳感器:制作微米級懸臂梁、齒輪等結構,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠)。
? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發(fā)級納米圖案(分辨率<10nm)。
天津LED光刻膠國產廠家光刻膠國產化率不足10%,產品仍依賴進口,但本土企業(yè)正加速突破。
聚焦先進封裝需求,吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域,吉田半導體研發(fā)的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(180℃),焊接空洞率 < 5%;針筒錫膏適用于 01005 超微型元件,印刷精度達 ±5μm。通過標準化實驗室與快速響應團隊,公司為客戶提供工藝優(yōu)化建議,幫助降低生產成本,增強市場競爭力。
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
? 樹脂(成膜劑):
? 傳統正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應)、堿溶解度調節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。
? 曝光時:
? 傳統PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
顯影環(huán)節(jié)使用堿性溶液(如TMAH)溶解曝光后的光刻膠,形成目標圖形。
“設備-材料-工藝”閉環(huán)驗證
吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯合研發(fā)機制,針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證,良率達95%以上。此外,公司參與國家重大專項(如02專項),與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎材料,雖未實現量產,但在酸擴散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。
政策支持與成本優(yōu)勢
作為廣東省專精特新企業(yè),吉田半導體享受稅收優(yōu)惠(如15%企業(yè)所得稅)和研發(fā)補貼(2023年獲得國家補助超2000萬元),比較明顯降低產品研發(fā)成本。同時,其本地化生產(東莞松山湖基地)可將物流成本壓縮至進口產品的1/3,并實現48小時緊急訂單響應,這對中小客戶具有吸引力。
光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的聚合物材料,用于微電子制造中的圖形轉移工藝。寧波水油光刻膠國產廠家
環(huán)境溫濕度波動可能導致光刻膠圖形形變,需在潔凈室中嚴格控制。河北進口光刻膠耗材
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產品特點:耐溶劑型優(yōu)良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優(yōu)良;經特殊乳化聚合技術處理,網版平滑、無白點、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細網點和線條;感光度高,曝光時間短,曝光寬容度大,節(jié)省網版作業(yè)時間,提高工作效率 。
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應用范圍:適用于塑料、皮革、標牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細印刷需求,制作各類標牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
河北進口光刻膠耗材