甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-09

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝,吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問(wèn)題,助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。不同制程對(duì)光刻膠的性能要求各異,需根據(jù)工藝需求精確選擇。甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家

甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家,光刻膠

作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達(dá) 98% 以上,已通過(guò)中芯國(guó)際等晶圓廠驗(yàn)證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過(guò) ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),遠(yuǎn)銷全球并與跨國(guó)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作,加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。天津水油光刻膠感光膠高分辨率光刻膠需滿足亞微米甚至納米級(jí)線寬的圖形化需求。

甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家,光刻膠

LCD 正性光刻膠(YK-200)應(yīng)用場(chǎng)景:LCD 面板的電極圖案化(如 TFT-LCD 的柵極、源漏極)、彩色濾光片制造。特點(diǎn):高感光度與均勻涂布性,確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度。
厚膜光刻膠(JT-3001)應(yīng)用場(chǎng)景:Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn):膜厚可控(可達(dá)數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求。
PCB 光刻膠(如 SU-3 負(fù)性光刻膠)應(yīng)用場(chǎng)景:高多層 PCB、HDI(高密度互連)板的線路成像,以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn):抗電鍍性能優(yōu)異,支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距,適應(yīng) 5G 通信、服務(wù)器等 PCB 需求。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū),是一家專注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊(cè)資本 2000 萬(wàn)元,擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等,服務(wù)全球市場(chǎng)并與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作關(guān)系。
作為國(guó)家技術(shù)企業(yè),吉田半導(dǎo)體以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)力,擁有多項(xiàng)技術(shù),并通過(guò) ISO9001:2008 質(zhì)量體系認(rèn)證。生產(chǎn)過(guò)程嚴(yán)格遵循 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn),原材料均采用美、德、日等國(guó)進(jìn)口的材料,確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。公司配備全自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備,具備行業(yè)大型的規(guī)?;a(chǎn)能力,致力于成為 “半導(dǎo)體材料方案提供商”。
其明星產(chǎn)品包括:適用于 LCD 制造的正性光刻膠 YK-200/YK-300,具備高分辨率與優(yōu)異涂布性能;3 微米負(fù)性光刻膠 SU-3,適用于厚膜工藝;耐高溫達(dá) 250℃的納米壓印光刻膠 JT-2000,可滿足高精度微納加工需求。所有產(chǎn)品均符合要求,部分型號(hào)通過(guò)歐盟 ROHS 認(rèn)證。
光刻膠配套試劑(如顯影液、去膠劑)的市場(chǎng)規(guī)模隨光刻膠需求同步增長(zhǎng)。

甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家,光刻膠

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號(hào),具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負(fù)性光刻膠

  • SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
  • 負(fù)性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率、良好的對(duì)比度和高曝光靈敏度,光源適應(yīng)。主要應(yīng)用于對(duì)光刻精度要求高的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體器件制造。
  • 耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝,如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。


環(huán)境溫濕度波動(dòng)可能導(dǎo)致光刻膠圖形形變,需在潔凈室中嚴(yán)格控制。沈陽(yáng)阻焊光刻膠廠家

光刻膠的主要成分包括樹(shù)脂、感光劑、溶劑和添加劑,其配比直接影響成像質(zhì)量。甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家

 先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動(dòng)7nm及以下制程的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國(guó)內(nèi)晶圓廠(如中芯國(guó)際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過(guò)120nm分辨率驗(yàn)證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國(guó)內(nèi)企業(yè)已啟動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級(jí)訂單,科技部“十四五”專項(xiàng)計(jì)劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來(lái)3nm以下制程的技術(shù)儲(chǔ)備奠定基礎(chǔ)。

 新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬(wàn)個(gè)有機(jī)晶體管,實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計(jì)算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。

甘肅光刻膠生產(chǎn)廠家

標(biāo)簽: 錫膏 錫片 光刻膠