制冷微光顯微鏡牌子

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-29

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷,如結(jié)漏電、氧化層漏電時(shí),電子-空穴對(duì)復(fù)合會(huì)釋放光子,微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對(duì)于載流子復(fù)合異常情況,像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效,以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光,它也能有效探測(cè),為這類(lèi)與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問(wèn)題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會(huì)導(dǎo)致局部過(guò)熱,其可通過(guò)檢測(cè)紅外輻射差異定位。對(duì)于高功耗區(qū)域因設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常,以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況,它能生成溫度分布圖像,助力找出熱量異常根源。 針對(duì)氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體,它能適應(yīng)其寬波長(zhǎng)探測(cè)需求,助力寬禁帶器件的研發(fā)與應(yīng)用。制冷微光顯微鏡牌子

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在微光顯微鏡(EMMI) 操作過(guò)程中,當(dāng)對(duì)樣品施加合適的電壓時(shí),其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)采集和圖像處理后,可以形成一張信號(hào)圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過(guò)將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加處理,就可以精確地定位發(fā)光點(diǎn)的位置,實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的精確定位。進(jìn)一步地,為了提升定位的準(zhǔn)確性,可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如,通過(guò)濾波算法去除背景噪聲,增強(qiáng)信號(hào)圖的信噪比;利用邊緣檢測(cè)技術(shù),突出顯示發(fā)光點(diǎn)的邊緣特征,從而提高定位精度。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡用途微光顯微鏡的便攜款桌面級(jí)設(shè)計(jì),方便在生產(chǎn)線現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè),及時(shí)發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問(wèn)題,減少不合格品流出。

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可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current))多晶硅晶須(Poly-silicon Filaments)襯底損傷(Substrate Damage)物理?yè)p傷(Mechanical Damage)等。

二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管(Saturated/Active Bipolar Transistors)飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動(dòng)態(tài) CMOS(Saturated MOS/Dynamic CMOS)正向偏置二極管 / 反向偏置二極管(擊穿狀態(tài))(Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown))等。

微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過(guò)高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)(EHP)復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子(如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過(guò)程中的發(fā)光),進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào),且多針對(duì)可見(jiàn)光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí),失效區(qū)域(如短路、漏電點(diǎn))會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫,其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過(guò)檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異,生成溫度分布圖像,以此定位發(fā)熱異常點(diǎn),探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)(紅外波段輻射)。通過(guò)與光譜儀聯(lián)用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類(lèi)型提供更多依據(jù),增強(qiáng)分析的全面性。

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為提升微光顯微鏡探測(cè)力,我司多種光學(xué)物鏡可選,用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝,滿足不同微光探測(cè)需求。制冷微光顯微鏡牌子

在故障分析領(lǐng)域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(duì)(ElectronHolePairs,EHP)的復(fù)合過(guò)程會(huì)伴隨光子(Photon)的釋放。具體可舉例說(shuō)明:當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí),N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散,隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子(即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子)發(fā)生EHP復(fù)合,并在此過(guò)程中釋放光子。制冷微光顯微鏡牌子