工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡平臺(tái)

RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學(xué)配置上的靈活性，可通過多種可選物鏡得以充分體現(xiàn)，為不同尺度、不同場景的熱分析需求提供精細(xì)適配。

Micro 廣角鏡頭擅長捕捉大視野范圍的整體熱分布，適合快速定位樣品宏觀熱異常區(qū)域，如整片晶圓的整體散熱趨勢(shì)觀測；0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時(shí)提升細(xì)節(jié)捕捉能力，可用于中等尺寸器件（如傳感器模組）的熱行為分析，平衡效率與精度；0.4X 鏡頭進(jìn)一步聚焦局部，能清晰呈現(xiàn)芯片封裝級(jí)的熱分布特征，助力排查封裝缺陷導(dǎo)致的散熱不均問題；1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度，1X 鏡頭可解析芯片內(nèi)部功能模塊的熱交互，3X 鏡頭更是能深入到微米級(jí)結(jié)構(gòu)（如晶體管陣列、引線鍵合點(diǎn)），捕捉納米級(jí)熱點(diǎn)的細(xì)微溫度波動(dòng)。

熱紅外顯微鏡通過納秒級(jí)瞬態(tài)熱捕捉，揭示高速芯片開關(guān)過程的瞬態(tài)熱失效機(jī)理。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡平臺(tái)

在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來測量可見光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護(hù)二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時(shí)會(huì)顯現(xiàn)出來，從而使我們能夠精細(xì)定位存在缺陷的損壞部位。 半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡品牌熱紅外顯微鏡突破傳統(tǒng)限制，以超分辨率清晰呈現(xiàn)芯片內(nèi)部熱分布細(xì)節(jié) 。

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢(shì)二：

與傳統(tǒng)接觸式檢測方法相比，熱紅外顯微鏡的非接觸式檢測優(yōu)勢(shì)更勝——無需與被測設(shè)備直接物理接觸，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)檢測中因探針壓力、靜電放電等因素對(duì)設(shè)備造成的損傷風(fēng)險(xiǎn)，這對(duì)精密電子元件與高精度設(shè)備的檢測尤為關(guān)鍵。在接觸式檢測場景中，探針接觸產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷，而靜電放電（ESD）更可能直接擊穿敏感半導(dǎo)體器件。

相比之下，熱紅外顯微鏡通過捕捉設(shè)備運(yùn)行時(shí)的熱輻射信號(hào)實(shí)現(xiàn)非侵入式檢測，不僅能在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，更避免了因接觸干擾導(dǎo)致的檢測誤差，大幅提升了檢測過程的安全性與結(jié)果可靠性。這種非接觸式技術(shù)突破，為電子設(shè)備的故障診斷與性能評(píng)估提供了更優(yōu)解。

現(xiàn)市場呈現(xiàn) “國產(chǎn)崛起與進(jìn)口分野” 的競爭格局。進(jìn)口品牌憑借早期技術(shù)積累，在市場仍占一定優(yōu)勢(shì)，國產(chǎn)廠商則依托本土化優(yōu)勢(shì)快速突圍，通過優(yōu)化供應(yīng)鏈、降低生產(chǎn)成本，在中低端市場形成強(qiáng)競爭力，尤其在工業(yè)質(zhì)檢、電路板失效分析等場景中，憑借高性價(jià)比和快速響應(yīng)的服務(wù)搶占份額。同時(shí)，國內(nèi)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入，在探測器靈敏度、成像分辨率等指標(biāo)上不斷追趕，部分中端產(chǎn)品可以做到超越國際水平，且在定制化解決方案上更貼合本土客戶需求，如針對(duì)大尺寸主板檢測優(yōu)化的機(jī)型。隨著國產(chǎn)技術(shù)成熟度提升，與進(jìn)口品牌的競爭邊界不斷模糊，推動(dòng)整體市場向多元化、高性價(jià)比方向發(fā)展。檢測 PCB 焊點(diǎn)、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導(dǎo)致的瞬態(tài)過熱。

致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號(hào)調(diào)制技術(shù)上的優(yōu)化升級(jí)，以多頻率調(diào)制為突破點(diǎn)，構(gòu)建了更精細(xì)的微觀熱信號(hào)解析體系。其通過精密算法控制電信號(hào)的頻率切換與幅度調(diào)節(jié)，使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應(yīng) —— 高頻信號(hào)可捕捉表層微米級(jí)熱點(diǎn)，低頻信號(hào)則能穿透材料識(shí)別內(nèi)部隱性感熱缺陷，形成多維度熱特征圖譜。

這種動(dòng)態(tài)調(diào)制方式，不僅將特征分辨率提升至納米級(jí)，更通過頻率匹配過濾環(huán)境噪聲與背景干擾，使檢測靈敏度較傳統(tǒng)單頻調(diào)制提高 3-5 倍，即使是 0.1mK 的微小溫度波動(dòng)也能被捕捉。 熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料，對(duì)半導(dǎo)體芯片內(nèi)部熱缺陷進(jìn)行非接觸式檢測。增城區(qū)熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡通過 AI 輔助分析，一鍵生成熱譜圖，大幅提升科研與檢測效率。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡平臺(tái)

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術(shù)，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價(jià)值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號(hào)以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準(zhǔn)確性，又為后續(xù)驗(yàn)證、復(fù)盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，但會(huì)破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場景，與無損分析形成互補(bǔ)。 工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡平臺(tái)