制造微光顯微鏡原理

來源: 發(fā)布時間:2025-07-25

微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況:

一、不會產(chǎn)生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯(lián)短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導(dǎo)電通路(SiliconConductingPath)等。


二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結(jié)(BuriedJunctions)及金屬下方的漏電點(LeakageSitesunderMetal)。此類情況可采用背面觀測模式(backsidemode),但該模式*能探測近紅外波段的發(fā)光,且需對樣品進行減薄及拋光處理等。 電路驗證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電,微光顯微鏡可定位位置,為電路設(shè)計優(yōu)化提供依據(jù),保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行。制造微光顯微鏡原理

制造微光顯微鏡原理,微光顯微鏡

當芯片內(nèi)部存在漏電缺陷,如結(jié)漏電、氧化層漏電時,電子-空穴對復(fù)合會釋放光子,微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況,像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效,以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光,它也能有效探測,為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導(dǎo)致局部過熱,其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常,以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況,它能生成溫度分布圖像,助力找出熱量異常根源。 紅外光譜微光顯微鏡24小時服務(wù)與原子力顯微鏡聯(lián)用時,微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發(fā)光信息,便于關(guān)聯(lián)材料的結(jié)構(gòu)與電氣缺陷。

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可探測到亮點的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點結(jié)漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current))多晶硅晶須(Poly-silicon Filaments)襯底損傷(Substrate Damage)物理損傷(Mechanical Damage)等。

二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管(Saturated/Active Bipolar Transistors)飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動態(tài) CMOS(Saturated MOS/Dynamic CMOS)正向偏置二極管 / 反向偏置二極管(擊穿狀態(tài))(Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown))等。

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景,我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結(jié)構(gòu)適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進行專屬設(shè)計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團隊和成熟的生產(chǎn)體系,定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交付,在保證定制靈活性的同時,充分兼顧了交付效率,讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù),期待與您攜手共進,共創(chuàng)佳績。微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能,可縮短設(shè)備啟動至正常工作的時間,提高檢測效率。

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OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補的角色,其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言,EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點,而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)(即PEM系統(tǒng))中,其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷,如漏電流方面表現(xiàn)出色,而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如,EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點,而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗(<10 ohm)短路問題。支持自定義檢測參數(shù),測試人員可根據(jù)特殊樣品特性調(diào)整設(shè)置,獲得較為準確的檢測結(jié)果。非制冷微光顯微鏡品牌排行

當金屬層遮擋導(dǎo)致 OBIRCH 等無法偵測故障時,微光顯微鏡可進行補充檢測。制造微光顯微鏡原理

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