在半導(dǎo)體芯片的精密檢測(cè)領(lǐng)域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢(shì),在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測(cè),但在邏輯與適用場(chǎng)景上的差異,使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測(cè)組合。從技術(shù)原理來(lái)看,兩者的 “探測(cè)語(yǔ)言” 截然不同。
微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號(hào) —— 這些信號(hào)可能來(lái)自 PN 結(jié)漏電時(shí)的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長(zhǎng)多集中在可見(jiàn)光至近紅外范圍。
我司微光顯微鏡可檢測(cè) TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點(diǎn),為質(zhì)量控制與維修提供高效準(zhǔn)確方法。鎖相微光顯微鏡校準(zhǔn)方法
通過(guò)對(duì)這些微光信號(hào)的成像與定位,它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置,如同在黑夜中捕捉螢火蟲(chóng)的微光,實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”,依托紅外熱成像技術(shù),它檢測(cè)的是芯片工作時(shí)因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過(guò)芯片時(shí)的電阻損耗、電路短路時(shí)的異常功耗,都會(huì)轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高,這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā),被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過(guò)分析溫度異常區(qū)域,它能間接推斷電路中的故障點(diǎn),尤其擅長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問(wèn)題。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡探測(cè)器我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用,性能佳,廣受贊譽(yù)。
微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷,
如:1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理?yè)p傷(Mechanicaldamage)等。
當(dāng)然,部分情況下也會(huì)出現(xiàn)樣品本身的亮點(diǎn),
如:1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse;等
出現(xiàn)亮點(diǎn)時(shí)應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點(diǎn)另外也會(huì)出現(xiàn)偵測(cè)不到亮點(diǎn)的情況,
如:1.歐姆接觸;2.金屬互聯(lián)短路;3.表面反型層;4.硅導(dǎo)電通路等。
若一些亮點(diǎn)被遮蔽的情況,即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal,這種情況可以嘗試采用backside模式,但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光,且需要減薄及拋光處理。
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為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解,我們大力支持現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨。您可以親臨我們的倉(cāng)庫(kù)或展示區(qū),近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié),親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的出廠檢測(cè),我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前,讓您在采購(gòu)前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸,消除后顧之憂。 熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子,在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。
微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過(guò)高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)(EHP)復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子(如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過(guò)程中的發(fā)光),進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào),且多針對(duì)可見(jiàn)光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí),失效區(qū)域(如短路、漏電點(diǎn))會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫,其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過(guò)檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異,生成溫度分布圖像,以此定位發(fā)熱異常點(diǎn),探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)(紅外波段輻射)。我司微光顯微鏡探測(cè)芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子,快速定位短路位置,優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。直銷微光顯微鏡價(jià)格
微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能,可縮短設(shè)備啟動(dòng)至正常工作的時(shí)間,提高檢測(cè)效率。鎖相微光顯微鏡校準(zhǔn)方法
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