整個科技行業(yè)是個倒金字塔，可以分為四個層次，較上面是軟件網(wǎng)絡(luò)等，第二層是單子系統(tǒng)，第三層芯片制造4000億美金，第四層芯片前端設(shè)備300-400億美元，年總投資>700億美元；反過來看，軟件網(wǎng)絡(luò)等公司有數(shù)百萬家，電子系統(tǒng)公司數(shù)十萬家，芯片制造公司只...

晶圓制造工藝1、表面清洗晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護之,在制作前必須進行化學(xué)刻蝕和表面清洗。2、初次氧化有熱氧化法生成SiO2緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2àSiO2(固)和...

在半導(dǎo)體的整個制造流程上,可簡單的分成IC設(shè)計、晶圓制造、晶圓測試以及晶圓封裝。晶圓測試又可區(qū)分為晶圓針測與晶粒封裝后的后面的測試(FinalTesting),而兩個測試的差別是晶圓測試是是針對芯片上的晶粒進行電性以及功能方面的測試,以確保在進入后...

IC測試主要分為晶圓探針卡測以及廢品測試，其主要功用為檢測出IC在制造過程中所發(fā)作的瑕疵并找出其中基本緣由，以確保產(chǎn)品良率正常及提供測試材料作為IC設(shè)計及IC制造剖析之用。晶圓探針卡測是針對整個芯片上的完好晶粒，以探針的方式扎在每顆晶粒上的焊墊停止...

整個過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動過程中要處理兩個或多個晶片。然后，將晶圓運送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了...

探針卡的發(fā)展也應(yīng)該堅持結(jié)合國內(nèi)的實際現(xiàn)狀,不能盲目跟從國外的發(fā)展,技術(shù)也可以引進,但是創(chuàng)新能力是無法引進的,必須依靠自身的積聚,才能使探針卡能更好的走下去。探針卡廠家要轉(zhuǎn)變生產(chǎn)、管理模式,順應(yīng)信息、網(wǎng)絡(luò)新環(huán)境。探針卡要想發(fā)展,就要堅持自己的創(chuàng)新,在...

探針卡是一種測試接口,主要對裸芯進行測試,通過連接測試機和芯片,通過傳輸信號,對芯片參數(shù)進行測試。探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達到自動化量測的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvaporde...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費、驅(qū)動、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，輸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當細微的一環(huán)。當IC設(shè)計完成后，會下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)...

在半導(dǎo)體的整個制造流程上,可簡單的分成IC設(shè)計、晶圓制造、晶圓測試以及晶圓封裝。晶圓測試又可區(qū)分為晶圓針測與晶粒封裝后的后面的測試(FinalTesting),而兩個測試的差別是晶圓測試是是針對芯片上的晶粒進行電性以及功能方面的測試,以確保在進入后...

整個過程始于fab，在那里使用各種設(shè)備在晶片上處理芯片。晶圓廠的該部分稱為生產(chǎn)線前端（FEOL）。在混合鍵合中，在流動過程中要處理兩個或多個晶片。然后，將晶圓運送到晶圓廠的另一部分，稱為生產(chǎn)線后端（BEOL）。使用不同的設(shè)備，晶圓在BEOL中經(jīng)歷了...

測試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點材質(zhì)來決定，一般常見的測試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強的破壞性，不適用于薄膜的測試場合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點，提供比鎢...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)...

在我們現(xiàn)在生活的環(huán)境里面使用晶圓探針卡的地方越來越多，但是還是有很多的消費者對晶圓探針卡原理不是很了解，我們下面來了解一下說一下晶圓探針卡廠家發(fā)展前景如何，這樣一來我們對其原理也會有所了解。首先在當今的市場上面晶圓探針卡的種類越來越多，我們晶圓探針...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個平臺。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進的解決方案，在一個平臺中結(jié)合了多種基...

TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(IntegratedFanOut)是臺積電推出的2.5D封裝技術(shù)，稱為晶圓級封裝。臺積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上，并使用硅載片上的...

晶圓探針卡的制造方法測試母板包含一個凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測待測物外力；軟性電路基板位于測試母板朝向待測物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強其硬度，增強其抗形變力，進...

整個科技行業(yè)是個倒金字塔，可以分為四個層次，較上面是軟件網(wǎng)絡(luò)等，第二層是單子系統(tǒng)，第三層芯片制造4000億美金，第四層芯片前端設(shè)備300-400億美元，年總投資>700億美元；反過來看，軟件網(wǎng)絡(luò)等公司有數(shù)百萬家，電子系統(tǒng)公司數(shù)十萬家，芯片制造公司只...

從IC器件角度看，2016年邏輯類ASIC/ASSP芯片占全部半導(dǎo)體市場比例位22%；較好的手機、平板電腦市場推動了高容量NAND閃存的需求；DRAM供不應(yīng)求的現(xiàn)象持續(xù)到15年底，但隨著各大廠的新產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，16年將再度出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象；智能手...