什么是混合鍵合技術(shù)對(duì)于高級(jí)芯片封裝，該行業(yè)還致力于管芯對(duì)晶片和管芯對(duì)管芯的銅混合鍵合。這涉及將裸片堆疊在晶片上，將裸片堆疊在中介層上或?qū)⒙闫询B在裸片上。這比晶片間接合更困難。Uhrmann說(shuō)：“對(duì)于管芯對(duì)晶圓的混合鍵合而言，處理不帶顆粒添加劑的管...

熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的...

晶圓探針卡的制造方法測(cè)試母板包含一個(gè)凹穴形成于下表且向內(nèi)凹入；填充緩沖物形成于凹穴內(nèi)吸收待測(cè)待測(cè)物外力；軟性電路基板位于測(cè)試母板朝向待測(cè)物面；垂直探針形成于軟件電路板上；絕緣材質(zhì)固定垂直探針；硬性件導(dǎo)電材質(zhì)包覆垂直探針加強(qiáng)其硬度，增強(qiáng)其抗形變力，進(jìn)...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。較廣的用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝...

探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多,探針間的pitch越來(lái)越小,對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率,減少探針卡測(cè)試問(wèn)題,防止探針卡的異常損壞,延長(zhǎng)探針卡的使用壽命,降低測(cè)試成本,提高測(cè)試良率和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測(cè)試中重要的技術(shù)。因...

探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，針對(duì)裸晶系以探針做功能測(cè)試，篩選出不良品、再進(jìn)行之后的封裝工程。因此，探針卡是IC制造中對(duì)制造成本...

在半導(dǎo)體的整個(gè)制造流程上,可簡(jiǎn)單的分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試以及晶圓封裝。晶圓測(cè)試又可區(qū)分為晶圓針測(cè)與晶粒封裝后的后面的測(cè)試(FinalTesting),而兩個(gè)測(cè)試的差別是晶圓測(cè)試是是針對(duì)芯片上的晶粒進(jìn)行電性以及功能方面的測(cè)試,以確保在進(jìn)入后...

真空蒸發(fā)法（ Evaporation Deposition ）采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子（或原子）的平均自由程長(zhǎng)（ 10 -4 Pa 以下，達(dá)幾十米），所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝...

VG7300是蕞先近的EVG解決方案，可將多種基于UV的工藝（例如納米壓印光刻(NIL)、透鏡成型和透鏡堆疊（UV鍵合））集成在一個(gè)平臺(tái)。EVG7300SmartNIL?納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)是一種多功能、先進(jìn)的解決方案，在一個(gè)平臺(tái)中結(jié)合了多種基...

懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測(cè)試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長(zhǎng)度彎曲后，再用環(huán)氧樹(shù)脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-...

探針卡是一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸芯進(jìn)行測(cè)試,通過(guò)連接測(cè)試機(jī)和芯片,通過(guò)傳輸信號(hào),對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。探針卡是將探針卡上的探針直接與芯片上的焊墊或凸塊直接接觸，引出芯片訊號(hào)，再配合周邊測(cè)試儀器與軟件控制達(dá)到自動(dòng)化量測(cè)的目的。探針卡應(yīng)用在IC尚未封裝前，...

薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemicalvapordeposition)法以及物理現(xiàn)象的PVD(physicalvaporde...

美光主推HMC技術(shù)HMC(HybridMemoryCube)標(biāo)準(zhǔn)由美光主推，目標(biāo)市場(chǎng)是較高的服務(wù)器市場(chǎng)，尤其是針對(duì)多處理器架構(gòu)。HMC使用堆疊的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)更大的內(nèi)存帶寬。另外HMC通過(guò)3DIC異質(zhì)集成技術(shù)把內(nèi)存控制器(memorycontroller)集...

隨著晶圓的集成度提高，探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多，探針間的pitch越來(lái)越小，對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率，減少探針卡探測(cè)問(wèn)題，防止探針卡的異常損壞，延長(zhǎng)探針卡的使用壽命，降低測(cè)試成品，提高測(cè)試兩濾和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性，成為晶...

混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過(guò)程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級(jí)缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對(duì)微小的納米級(jí)缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓...

濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來(lái)，利用這一現(xiàn)象來(lái)形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對(duì)面的基片表面形成薄膜。濺射法與真...

、探針與針套必須使用相同廠牌相互匹配。2、探針?lè)湃脶樚椎臅r(shí)候必須使用特有的平口鉗放入針套，預(yù)防針管變形使針管內(nèi)的彈簧于管壁力變大，摩擦從而增大，則壓力就變大，造成探針壽命變短和對(duì)所測(cè)試產(chǎn)品損壞。3、探針的針管頂端于針套的頂端必須是保持垂直（90°）針管低入針套...

晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱“Probecard”。較廣的用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測(cè)試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)細(xì)微的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝...

隨著晶圓的集成度提高，探針卡的探針個(gè)數(shù)越來(lái)越多，探針間的pitch越來(lái)越小，對(duì)探針卡的質(zhì)量要求越來(lái)越高。保證晶圓測(cè)試成品率，減少探針卡探測(cè)問(wèn)題，防止探針卡的異常損壞，延長(zhǎng)探針卡的使用壽命，降低測(cè)試成品，提高測(cè)試兩濾和測(cè)試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性，成為晶...

晶圓測(cè)試Waferprobe在半導(dǎo)體制程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程（WaferFabrication，簡(jiǎn)稱WaferFab）、晶圓測(cè)試（WaferProbe），及晶圓封裝（Packaging）。晶圓測(cè)試是對(duì)芯片上的每個(gè)晶粒進(jìn)行針測(cè)，在檢測(cè)頭裝...

測(cè)試探針材料的選用，必須搭配芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)材質(zhì)來(lái)決定，一般常見(jiàn)的測(cè)試探針金屬選用鎢、鈸銅、鎢錸及鈀合金等。鎢具有較高的度，可以輕易刺破焊區(qū)與凸點(diǎn)氧化鋁層，降低接觸阻抗，但具有較強(qiáng)的破壞性，不適用于薄膜的測(cè)試場(chǎng)合；鈹銅合金一般應(yīng)用在鍍金的芯片焊區(qū)或凸點(diǎn)，提供比鎢...

熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)...

本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓（晶粒）測(cè)試、分類、各類IC成品測(cè)試以及其它與測(cè)試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測(cè)試設(shè)備，及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后，是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的...

FormFactor發(fā)表Harmony全區(qū)12寸晶圓針測(cè)解決方案的靠前的成員——Harmony晶圓級(jí)預(yù)燒(Wafer-LevelBurn-In，WLBI)探針卡。HarmonyWLBI探針卡能提高作業(yè)流量，并且確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度。Harm...

EVGroup企業(yè)技術(shù)總監(jiān)ThomasGlinsner表示：“憑借20多年的納米壓印技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，EVGroup繼續(xù)開(kāi)拓這一關(guān)鍵領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)創(chuàng)新解決方案，以滿足客戶不斷變化的需求?！薄拔覀冝┬峦瞥龅募{米壓印解決方案系列EVG7300將我們的SmartNI...

自去年末以來(lái)，蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市，且市場(chǎng)表現(xiàn)持續(xù)熱賣，將會(huì)對(duì)中國(guó)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣，連新...

c)b0c臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者指出，由于大尺寸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)被看好，造成需求量向來(lái)比較大的中小尺寸平板電腦出貨量持續(xù)走弱，因此業(yè)界普遍不看好2015年平板電腦相關(guān)芯片的訂單量。9q"g`/O1K3c:[3T2~、低階智能型手機(jī)及平板電腦出貨疲軟造成沖擊，近...

據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)，2015年全球半導(dǎo)體營(yíng)收3670億美元，預(yù)計(jì)2016年增長(zhǎng)，達(dá)到3730億美元。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)約1520億美元，預(yù)計(jì)2019年達(dá)到1790億美元，五年復(fù)合增長(zhǎng)。中國(guó)占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)比例未來(lái)幾年維持在43%左右。與國(guó)內(nèi)行業(yè)協(xié)會(huì)口徑有差異...