三極管|光敏晶體管|低頻放大三極管|功率開(kāi)關(guān)晶體管|其他三極管⑷電子材料|電容器極板材料|導(dǎo)電材料|電極材料|光學(xué)材料|測(cè)溫材料|半導(dǎo)體材料|屏蔽材料|真空電子材料|覆銅板材料|壓電晶體材料|電工陶瓷材料|光電子功能材料|強(qiáng)電、弱電用接點(diǎn)材料|激光工質(zhì)|電子元...

因應(yīng)于不成熟分類(lèi)和參考分類(lèi)之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。在進(jìn)入推理/分類(lèi)階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。圖12的示意圖說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的圖9的...

可以通過(guò)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線(xiàn)來(lái)確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^(guò)電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過(guò)使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。...

所述多條金屬線(xiàn)布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n條金屬線(xiàn)和4n條柵極線(xiàn)形成單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過(guò)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。附圖...

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層114的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中，mt...

每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線(xiàn)gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)...

基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)獲取經(jīng)加權(quán)值36。接下來(lái)，進(jìn)入推理/分類(lèi)階段314。在推理/分類(lèi)階段314中，mlc42基于經(jīng)加權(quán)值36對(duì)驗(yàn)證數(shù)據(jù)進(jìn)行分類(lèi)。在驗(yàn)證數(shù)據(jù)的分類(lèi)之后，使用者將這種分類(lèi)與參考分類(lèi)進(jìn)行比較，從而獲得一校正率。如果這樣的校正率滿(mǎn)足在操作504中在規(guī)范中獲得的...

信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率是可控制的。初，src電路104向驅(qū)動(dòng)器電路102提供一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率，并且驅(qū)動(dòng)器電路102驅(qū)動(dòng)信號(hào)dout，其中信號(hào)dout具有該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率可以是特定值，或者可以是一范圍中的數(shù)值。通常，一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率被設(shè)計(jì)為滿(mǎn)足一規(guī)范的要求。在信...

以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。在一些實(shí)施例中，該實(shí)際電壓的微分決定一信號(hào)的實(shí)際回轉(zhuǎn)率，并且該預(yù)設(shè)電壓的微分決定該信號(hào)的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。在一些實(shí)施例中，該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一經(jīng)加權(quán)值。在一些實(shí)施例中，該測(cè)量電路包括一取樣保持電路以及一第...

大時(shí)代下，要努力告別情懷了！2016年，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的邏輯思維圖是，我有錢(qián)→買(mǎi)買(mǎi)買(mǎi)→買(mǎi)不到→自力更生！細(xì)細(xì)品味，這個(gè)思維圖可能是2016年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)適合的總結(jié)陳詞。我有錢(qián)2016年，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)迎來(lái)了好的資本時(shí)代！據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，大基金，地方...

圖中：1芯片本體、2連接機(jī)構(gòu)、21螺紋塊、22凹槽、23l形桿、24轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)、25螺母、3散熱機(jī)構(gòu)、31空心導(dǎo)熱塊、32連通管、33空心散熱塊、34第二連通管、35第二空心散熱塊、4錐形塊、5導(dǎo)管、6管蓋。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用...

1947年12月23日圣誕節(jié)前夕，在美國(guó)新澤西州貝爾實(shí)驗(yàn)室里，3位科學(xué)家肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士正有條不紊地進(jìn)行著用半導(dǎo)體晶體把聲音信號(hào)放大的實(shí)驗(yàn)。他們驚奇地發(fā)現(xiàn)，器件中通過(guò)的一部分微弱電流，竟然可以控制另一部分大得多的電流，產(chǎn)生放大效應(yīng)。當(dāng)時(shí)人們還未...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個(gè)，可以使用三個(gè)四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形...

化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底402可以是任何類(lèi)型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類(lèi)型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層904可以包括一...

并且也可以包括在部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述，在此...

字線(xiàn)解碼器118被配置為選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條字線(xiàn)wl1至wl6，并且位線(xiàn)解碼器116被配置成選擇性地將信號(hào)施加至連接至存儲(chǔ)器陣列102的一條或多條位線(xiàn)bl1至bl3。通過(guò)選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線(xiàn)wl1至wl6和一條或...

接收關(guān)于一參考分類(lèi)的信息，該參考分類(lèi)是通過(guò)人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓獲得的；基于該不成熟分類(lèi)和該參考分類(lèi)，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓；以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。本公開(kāi)還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法...

可以通過(guò)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線(xiàn)來(lái)確定集成電路300的布圖。可以通過(guò)電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的...

2v)和第四非零偏置電壓v4(例如，4v)之間的差異使得第二電流i2流過(guò)第二存儲(chǔ)單元202a,2內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，第二電流i2的兩倍小于切換電流isw，因此沒(méi)有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入至第二存儲(chǔ)單元202a,2內(nèi)的工作mtj器件。類(lèi)似地，連接至字線(xiàn)wl3和wl4...

本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。背景技術(shù)：由于新能源的大...

本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開(kāi)電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取...

如參考圖5詳細(xì)描述的。在訓(xùn)練階段之后，mlc42進(jìn)入推理/分類(lèi)階段，如參考圖5詳細(xì)描述的，以控制src電路104以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。接下來(lái)，mlc42進(jìn)入預(yù)測(cè)階段316，如參考圖5詳細(xì)描述的以執(zhí)行預(yù)測(cè)。一旦進(jìn)入預(yù)測(cè)階段316并且在完成mlc42的訓(xùn)練之...

即先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小。然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。D.使用萬(wàn)用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動(dòng)幅度的大小，可估測(cè)出電解電容的容量。3、可變電...

電子元器件一般分為國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口元器件，國(guó)內(nèi)正常的采購(gòu)流程：尋找廠商（可通過(guò)網(wǎng)絡(luò)等渠道進(jìn)行搜索生產(chǎn)廠商）-報(bào)價(jià)-取樣-比價(jià)（議價(jià)）-下單-跟進(jìn)-進(jìn)料-異常處理-對(duì)帳（有些公司財(cái)務(wù)完成）等，而國(guó)外進(jìn)口部分則需通過(guò)元器件品牌找到原廠代理商或分銷(xiāo)商，然后選擇有利的溝通方...

阻值小的一次，紅表筆所接的電極為集電極。對(duì)于NPN型管阻值小的一次，黑表筆所接的電極為集電極。8．電位器的好壞判別先測(cè)電位器的標(biāo)稱(chēng)阻值。用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)“l(fā)”、“3”兩端(設(shè)“2”端為活動(dòng)觸點(diǎn))，其讀數(shù)應(yīng)為電位器的標(biāo)稱(chēng)值，如萬(wàn)用表的指針不動(dòng)、阻值不動(dòng)或阻值相...

如萬(wàn)用表的指針不動(dòng)或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。B）檢測(cè)電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)“1”、“2”（或“2”、“3”）兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針?lè)较蛐两咏瓣P(guān)”的位置，這時(shí)電阻值越小越好。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐...

6、溫度循環(huán)：確定光電子器件承受極高溫度和極低溫度的能力，以及極高溫度和極低溫度交替變化對(duì)光電子器件的影響。7、恒定濕熱：確定密封和非密封光電子器件能否同時(shí)承受規(guī)定的溫度和濕度。8、高溫壽命：確定光電子器件高溫加速老化失效機(jī)理和工作壽命。加速老化試驗(yàn)在...

由此能夠縮短s34的處理所需的時(shí)間。在s34的處理之后，元件保持狀態(tài)確認(rèn)處理(s3)進(jìn)行基于測(cè)定部135的控制，測(cè)定根據(jù)特定位置信息識(shí)別出的元件保持部35的位置(中心坐標(biāo)35p的位置)與根據(jù)在s34的處理中得到的元件圖像g識(shí)別出的元件p的位置之間的位置偏差量(...

安裝控制部120對(duì)從設(shè)置于元件安裝機(jī)1的各種傳感器輸出的信息、各種識(shí)別處理的結(jié)果等進(jìn)行輸入。而且，安裝控制部120基于存儲(chǔ)于存儲(chǔ)裝置110的控制程序、控制信息、各種傳感器的信息、圖像處理、識(shí)別處理的結(jié)果，向馬達(dá)控制裝置140發(fā)送控制信號(hào)。圖像處理部130獲取基...