化學(xué)機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖1000所示，在互連層406a的上表面上方形成多個底電極通孔408。多個底電極通孔408由介電層1002圍繞。在一些實施例中，介電層1002可以沉積在互連層406a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個底電極通孔408。在各個實施例中，介電層1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔408可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔408上方形成多個mtj器件106、204和206?；厥?，就選上海海谷電子有限公司。江蘇電子料庫存回收平臺
contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個有源區(qū)ac在柵極絕緣層118上延伸，同時覆蓋每個有源區(qū)ac的上表面和兩個側(cè)壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側(cè)壁、柵極線pc的側(cè)壁和掩模122的側(cè)壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導(dǎo)電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機ald方法和/或金屬有機化學(xué)氣相沉積(mocvd)方法來形成金屬層和金屬氮化物層。導(dǎo)電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護層。此外，導(dǎo)電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導(dǎo)電層沉積的粘合層(例如，潤濕層(wettinglayer))。黑龍江呆滯料回收價格上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來我司咨詢。
1至202c,3分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件106的電流而選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至工作mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。例如，調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206可以都連接至工作mtj器件106的固定層110。在一些實施例中，調(diào)節(jié)mtj器件204連接在工作mtj器件106和字線wlx之間(x＝1,3,5)，并且第二調(diào)節(jié)mtj器件206連接在工作mtj器件106和第二字線wly(y＝2,4,6)之間。例如，在存儲單元202a,1中，調(diào)節(jié)mtj器件204連接在工作mtj器件106和字線wl1之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件206連接在工作mtj器件106和字線wl2之間。調(diào)節(jié)mtj器件204、第二調(diào)節(jié)mtj器件206和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層112可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實施例中，自由層114可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。
具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當(dāng)芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)，本實用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結(jié)構(gòu)示意圖。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！
減法器604經(jīng)配置以通過從第二電壓v2減去電壓v1來提供實際電壓vout。因此，實際電壓vout與電壓v1和第二電壓v2相關(guān)聯(lián)。圖11是根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80的電路圖。參考圖11，分類器電路80包括一比較器800、一減法器電路802、一分壓器804、一加法器電路806、一反相器810、一暫存器812、一乘法器814和一暫存器816。在圖11中，符號(i)表示當(dāng)前的特性；符號(i+1)表示下一次的特性。比較器800具有耦合到實際電壓vout(i)的一輸入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的電壓的另一輸入端，以及耦合到一節(jié)點n0的一輸出端，其中在式子中的w(i)表示神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32的權(quán)重，以及vt表示預(yù)設(shè)電壓。權(quán)重w(i)初是1，并且被稱為一預(yù)設(shè)權(quán)重。因此，比較器800的另一輸入端初耦合到預(yù)設(shè)電壓vt。比較器800經(jīng)配置以通過將預(yù)設(shè)電壓vt與實際電壓vout進行比較來產(chǎn)生關(guān)于不成熟分類的信息。減法器電路802具有耦合到比較器800的一輸出端的一輸入端和耦合到一參考電壓vc(i)的另一輸入端，從而從電壓v1(i)中減去參考電壓vc(i)。因此，減法器電路802向分壓器804提供一電壓(v1(i)-vc(i))。因此，分壓器804提供電壓η(v1-vc)，其中η表示學(xué)習(xí)速率，以及η的范圍從大約0到大約1?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！河南集成電路回收
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1可以包括工作mtj器件106和調(diào)節(jié)訪問裝置108，調(diào)節(jié)訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調(diào)節(jié)mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據(jù)與關(guān)于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。圖9示出了對應(yīng)于步驟1302的一些實施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。圖10示出了對應(yīng)于步驟1304的一些實施例的截面圖1000。在步驟1306中。江蘇電子料庫存回收平臺
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