本發(fā)明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調(diào)節(jié)磁隧道結器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來電咨詢！江蘇電子料上門回收網(wǎng)
在一些實施例中，每個單元線路結構的四條柵極線通過例如sadp形成，并且每個單元線路結構的四條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。通常，在一些實施例中，作為另一示例，每個單元線路結構的四條柵極線通過例如自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的四條柵極線在方向上布置成順序地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。在一些實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過單圖案化形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成具有相等的柵極節(jié)距。在一些實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。此外，例如。遼寧二極管回收聯(lián)系方式上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的可以來電咨詢！
調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列102通過多條位線bl1至bl2和多條字線wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實施例中，控制電路115包括連接至多條位線bl1至bl2的位線解碼器116和連接至多條字線wl1至wl2的字線解碼器118。調(diào)節(jié)訪問裝置108連接在字線wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之間，而工作mtj器件106連接在調(diào)節(jié)訪問裝置108和位線bly(y＝1或2)之間。為了訪問工作mtj器件106。
與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲液器114與分流管606a和第二分流管606b流體流通地耦聯(lián)。流程900包括操作泵110以將液體傳送通過各冷卻管406。如本文所使用的，術語“或”可以解釋為包含性或排除性的意義兩者。此外，以單數(shù)形式對資源、操作或結構的描述不應解讀為排除復數(shù)形式。其中，諸如“能夠”、“可以”、“可能”、或“可”的條件語句，除非另有明確說明，或在所使用的上下文中另有理解，一般旨在傳達某些實施例包含特定特征、元素和/或步驟，而其他實施例不包含這些特定特征、元素和/或步驟。除非另有特別說明?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！
每個單元線路結構的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達式1表示。表達式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結構uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws1的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg1。柵極節(jié)距pg1可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。圖5示出了均具有相同的布圖或相同的形貌(topography)的兩個單元線路結構：左側的一個被標識為uws1，在x軸上向右側移位的一個也被標識為uws1。圖5的左側的uws1內(nèi)的空間關系與右側的uws1內(nèi)的空間關系相同?？臻g關系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之間的節(jié)距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之間的節(jié)距還有ccl和gtl中的特征之間的相對節(jié)距。圖5表示其中存在6n條金屬線和4n條柵極線的通常示例。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。湖南電子料高價回收價格
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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。江蘇電子料上門回收網(wǎng)
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