固定層110具有固定的磁取向,該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層114的磁沖擊。在一些實(shí)施例中,mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如,在一些實(shí)施例中,mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中,mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如,附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如,附加自由層、第二附加自由層等)以改進(jìn)mtj的性能。圖4b示出了對(duì)應(yīng)于圖2的存儲(chǔ)器陣列102的集成芯片414的一些可選實(shí)施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲(chǔ)單元202a,1。存儲(chǔ)單元202a,1包括工作mtj器件106和具有調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108。介電結(jié)構(gòu)404還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406f。多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406f包括互連層406a,互連層406a在存儲(chǔ)單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?;ミB層406a通過(guò)第二互連層406b和多個(gè)通孔412a連接至存儲(chǔ)單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。第三互連層406c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。上海海谷電子有限公司為您提供回收,歡迎新老客戶來(lái)電!天津晶振回收公司
寬度w1),并且第二調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的第二尺寸(例如,第二寬度w2)。調(diào)節(jié)mtj器件504的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件504更大的切換電流,這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中,工作mtj器件106具有與尺寸和第二尺寸不同的第三尺寸(例如,第三寬度w3)。圖6a至圖6b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例,存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖6a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元602a,1至602c,3的存儲(chǔ)器電路600的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元602a,1至602c,3分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件106提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108包括連接在字線wlx(x=1,2,3)和偏置電壓線bvly(y=1,2,3)之間的調(diào)節(jié)mtj器件604。工作mtj器件106連接在偏置電壓線bvly(y=1,2,3)和位線blz(z=1,2,3)之間。多個(gè)存儲(chǔ)單元602a,1至602c,3連接至控制電路607??刂齐娐?07包括被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線blz的位線解碼器116、被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wlx的字線解碼器118以及被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條偏置電壓線bvly的偏置電路606。在一些實(shí)施例中。四川電子芯片回收價(jià)格回收,就選上海海谷電子有限公司,讓您滿意,期待您的光臨!
信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率是可控制的。初,src電路104向驅(qū)動(dòng)器電路102提供一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率,并且驅(qū)動(dòng)器電路102驅(qū)動(dòng)信號(hào)dout,其中信號(hào)dout具有該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。該預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率可以是特定值,或者可以是一范圍中的數(shù)值。通常,一預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率被設(shè)計(jì)為滿足一規(guī)范的要求。在信號(hào)dout的電氣特性不理想的情況下,使用者在一使用者應(yīng)用端12上測(cè)試ic元件10。使用者應(yīng)用端12的一示波器120測(cè)量信號(hào)dout的一電壓,并且示波器120,基于測(cè)量結(jié)果,在使用者應(yīng)用端12的一使用者界面124上顯示一電壓波形122的圖表。使用者基于例如使用者界面124的顯示器上所示的電壓來(lái)查看和計(jì)算信號(hào)dout的一實(shí)際回轉(zhuǎn)率。接下來(lái),使用者發(fā)送命令(例如,二進(jìn)制數(shù)字)到src電路104。舉例來(lái)說(shuō),通過(guò)使用者界面124的鍵盤(pán)、鼠標(biāo)游標(biāo)、觸控顯示器、按鈕或其他控制件發(fā)送命令。替代地,使用者通過(guò)ic元件10的輸入端引腳或固件碼發(fā)送命令。src電路104,根據(jù)命令,增加或者降低信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。圖2的流程圖說(shuō)明參考圖1所示的比較方法的迭代流程。參照?qǐng)D2,迭代流程包括操作200、202、204、206和208。應(yīng)當(dāng)注意,操作206指的“評(píng)估”程序不軟件模塊的功能,而是在回到操作200的回轉(zhuǎn)率(slewrate。
從而使下文的本公開(kāi)詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開(kāi)的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)了解,可相當(dāng)容易地利用下文公開(kāi)的概念與特定實(shí)施例作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或工藝而實(shí)現(xiàn)與本公開(kāi)相同的目的。本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員亦應(yīng)了解,這類等效建構(gòu)無(wú)法脫離權(quán)利要求所界定的本公開(kāi)的精神和范圍。附圖說(shuō)明參閱實(shí)施方式與權(quán)利要求合并考量附圖時(shí),可得以更了解本公開(kāi)的公開(kāi)內(nèi)容,附圖中相同的元件符號(hào)是指相同的元件。圖1的示意圖說(shuō)明調(diào)整信號(hào)的回轉(zhuǎn)率的比較方法。圖2的流程圖說(shuō)明參考圖1所示的比較方法的迭代流程。圖3是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的具有一機(jī)器學(xué)習(xí)電路的一電路的示意圖。圖4是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)示意圖,其中該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過(guò)圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行任務(wù)。圖5是根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的通過(guò)圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行的程序的流程圖。圖6的流程圖說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的基于具有圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路的電路的迭代流程。圖7的流程圖說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的基于圖6的迭代流程的圖5的一訓(xùn)練階段和推斷階段。上海海谷電子有限公司致力于提供回收,有想法的可以來(lái)電咨詢!
本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,更具體地,涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù):許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開(kāi)電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種集成芯片,包括:工作磁隧道結(jié)(mtj)器件,連接至位線,其中,所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài);以及調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置,連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間,其中,所述調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,提供了一種集成電路,包括:互連層,布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi),其中,所述互連層通過(guò)所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開(kāi);以及工作mtj器件,布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài),其中,所述工作mtj器件通過(guò)包括多個(gè)互連層且不延伸穿過(guò)所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面,提供了一種形成集成電路的方法。上海海谷電子有限公司致力于提供回收,期待您的光臨!海南晶振回收市場(chǎng)
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可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的示圖。為了便于描述,在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照?qǐng)D4a至圖4i描述的心軸圖案對(duì)應(yīng),并且可以在中間過(guò)程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中,將參照?qǐng)D5、圖6和圖7描述通過(guò)sadp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照?qǐng)D5、圖6和圖7,單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個(gè)可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述,可以在列導(dǎo)電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標(biāo)簽“dpm”可以理解如下:“d”表示雙倍,“p”表示圖案,“m”表示金屬。例如,雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節(jié)距pdm并且雙倍心軸節(jié)距pdm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個(gè),可以使用三個(gè)雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。天津晶振回收公司
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