在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過(guò)諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層?？梢允褂胏vd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒(méi)有層240和層250?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！河北電容電阻回收量大從優(yōu)
每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12 。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。參照?qǐng)D10，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)saqp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達(dá)式3表示。河北電子料高價(jià)回收服務(wù)回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有想法可以來(lái)我司咨詢！
在圖5中的具有n＝1的單元線路結(jié)構(gòu)中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)，多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)包括圖5的左側(cè)的單元線路結(jié)構(gòu)以及圖5的右側(cè)的第二單元線路結(jié)構(gòu)，第二單元線路結(jié)構(gòu)在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結(jié)構(gòu)相鄰，并且第二單元線路結(jié)構(gòu)的形貌與單元線路結(jié)構(gòu)的形貌相同。參照?qǐng)D6，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標(biāo)簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。表達(dá)式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達(dá)式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照?qǐng)D7，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過(guò)saqp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述。
可以通過(guò)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來(lái)確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^(guò)電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負(fù)電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個(gè)電路行cr1至cr5的邊界。根據(jù)一些示例實(shí)施例，可以通過(guò)在第二方向y上延伸的電力網(wǎng)線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網(wǎng)線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網(wǎng)線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網(wǎng)線路321至324可以通過(guò)豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個(gè)可以連接到位于其邊界的兩個(gè)相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標(biāo)準(zhǔn)單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應(yīng)的電力軌對(duì)。根據(jù)示例實(shí)施例，如圖16中所示?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。
本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤(pán)進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢(shì)下的目標(biāo)。如中國(guó)發(fā) 明 公開(kāi)號(hào)“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開(kāi)了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個(gè)4×4的鍵盤(pán)，一個(gè) 處理器cpu，兩個(gè)鐵電存儲(chǔ)器32k×2和一個(gè)多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動(dòng)態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡(jiǎn)單。如中國(guó)發(fā)明專利公開(kāi)號(hào)“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的 公開(kāi)了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲(chǔ)器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過(guò)指紋觸摸對(duì)固定指令進(jìn)行操作，動(dòng)態(tài)輸入性較差。針對(duì)于目前工廠對(duì)產(chǎn)品制造良率的要求越來(lái)越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯(cuò)誤判的問(wèn)題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，歡迎您的來(lái)電！中國(guó)臺(tái)灣電子料上門回收網(wǎng)
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可以通過(guò)電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元高度ch?？梢匝刂c電力軌71和72平行的方向x定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元寬度cw。線路m1的節(jié)距會(huì)由于小節(jié)距規(guī)則而需要滿足限制。例如，線路m1會(huì)需要根據(jù)“前列到側(cè)面”約束和“圓角”約束來(lái)滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導(dǎo)電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成?？梢允褂胏vd方法、ald方法和/或電鍍方法來(lái)形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據(jù)一些示例實(shí)施例的集成電路可以對(duì)應(yīng)于各種標(biāo)準(zhǔn)單元的組合。盡管圖中未示出，但是根據(jù)示例實(shí)施例的用于形成單元線路結(jié)構(gòu)的列金屬線可以形成在第二層ly2上方的m2層或m3層中。圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)集成電路的方法的示圖。圖13的方法可以包括由設(shè)計(jì)工具執(zhí)行的設(shè)計(jì)集成電路的布圖的方法。在一些示例實(shí)施例中，設(shè)計(jì)工具可以包括包含可由處理器執(zhí)行的多個(gè)指令的編程軟件，即，以硬件(例如，處理器、asic等)的某種形式實(shí)現(xiàn)的軟件。參照?qǐng)D13，可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)(s10)。例如。河北電容電阻回收量大從優(yōu)
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