所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內。本發(fā)明技術方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側設置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內圈內側設置有若干內過孔。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發(fā)明技術效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法可以來我司咨詢！遼寧電感元件回收公司
在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結構、鰭狀半 導體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術形成所述介電層。參照圖4b，在設置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。天津晶振回收量大從優(yōu)回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！
圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內過孔；12-環(huán)次級繞組內過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內過孔；16-第二環(huán)次級繞組內過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內過孔；20-第三環(huán)次級繞組內過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結 合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。
技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現(xiàn)有技術的不足之處。本實用新型的目的通過下述技術方案來實現(xiàn)：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠程后臺服務器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連；所述數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊傳輸連接。作為方式之一，所述電容式觸摸模塊包括感應觸控芯片，感應觸控芯片與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊數(shù)據(jù)傳輸連接。作為方式之一，所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種方式之一，所述遠程后臺服務器通過tcp/ip協(xié)議與無線網(wǎng)關裝置相連。作為一種方式之一，無線網(wǎng)關裝置通過無線傳輸方式與通訊模塊相連。本實用新型針對工廠需求，治具與電腦結合來提升產品的質量。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來電咨詢！
本發(fā)明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統(tǒng)光耦技術效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F(xiàn)有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數(shù)太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司回收獲得眾多用戶的認可。湖南電感元件回收
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等的半導體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結構?；?10可以包括導電區(qū)域，例如，摻雜雜質的阱或摻雜雜質的結構。標準單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區(qū)ac之間。多個有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個有源區(qū)ac的上表面和側壁以及器件隔離層112的上表面。多個金屬氧化物半導體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個側壁中形成溝道的三維結構。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。遼寧電感元件回收公司
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