并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料806。側(cè)板808可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板808。能夠移除的一個或多個彈性夾810可定位在側(cè)板808周圍，以將側(cè)板808壓靠在熱接口材料806上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖9示出了根據(jù)一個實(shí)施例的流程900。盡管流程的步驟以特定順序示出，這些步驟的部分或全部可以以其他順序執(zhí)行、并行地執(zhí)行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖9，在902處，提供兩個印刷電路裝配件400。每個印刷電路裝配件400包括：系統(tǒng)板402；平行地安裝在系統(tǒng)板402上的多個印刷電路板插座404；和多個冷卻管406，每個所述冷卻管安裝在系統(tǒng)板402上、平行且鄰接于所述印刷電路板插座404中對應(yīng)的一個印刷電路板插座404，所述冷卻管406中的每個冷卻管406具有在冷卻管406與系統(tǒng)板402相對的一側(cè)上粘附至冷卻管406的熱接口材料層408。在904處，流程900包括提供多個集成電路模塊。例如，集成電路模塊可以包括一個或多個雙列直插式存儲模塊組件200。每個集成電路模塊包括：印刷電路板202，所述印刷電路板202具有布置在印刷電路板插座404中的一個印刷電路板插座中的連接側(cè)304；安裝在印刷電路板202上的一個或多個集成電路204。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有想法可以來我司咨詢！江西呆滯料回收中心
因應(yīng)于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。在進(jìn)入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調(diào)整信號dout的回轉(zhuǎn)率。圖12的示意圖說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓(xùn)練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設(shè)一學(xué)習(xí)速率η是；一預(yù)設(shè)電壓vt為；一實(shí)際電壓vout為，小于預(yù)設(shè)電壓vt。在理想狀況下，比較器800應(yīng)該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)或低噪聲邊界的不良結(jié)果所引起的。使用者人工識別這種錯誤分類。使用者向減法器電路802提供邏輯低(“0”)。據(jù)此，減法器電路802向分壓器804提供邏輯高(“1”)。加法器電路806將差值*(v1(i)-vc(i)加至數(shù)值為1的預(yù)設(shè)權(quán)重，并提供反相經(jīng)更新權(quán)重的。反相器810反相反相經(jīng)更新權(quán)重，并提供經(jīng)更新權(quán)重的。暫存器812將預(yù)設(shè)權(quán)重的1更新為更新權(quán)重的。乘法器814將預(yù)設(shè)電壓的，并將經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。暫存器816將預(yù)設(shè)電壓的，經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。如果隨后的實(shí)際電壓vout接近先前的實(shí)際電壓vout，則獲得正確分類的機(jī)率隨著經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的，相較于預(yù)設(shè)電壓的。結(jié)果。江蘇進(jìn)口晶振回收價格電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有想法的不要錯過哦！
可以使用光刻工藝形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工藝和軟焙工藝在層250上形成抗蝕劑層。然后，使用針對圖4c的心軸圖案231、232和233而定義的掩模將抗蝕劑層暴露于輻射。心軸圖案231、232和233將提供基于231、232和233創(chuàng)建圖4e中所示的側(cè)壁間隔件261至266的基礎(chǔ)。終將蝕刻掉心軸圖案231、232和233。使用曝光后烘焙、顯影和硬烘焙來使曝光的抗蝕劑層顯影，從而在層250上方形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3在方向x上具有節(jié)距p1和寬度w1。參照圖4c，通過抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的開口蝕刻層250、240和230以形成心軸圖案231、232和233。蝕刻工藝可以包括干法(或等離子體)蝕刻、濕法蝕刻或其他合適的蝕刻方法。之后使用合適的工藝(諸如，濕法剝離或等離子體灰化)去除抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。還使用一個或更多個蝕刻工藝去除層250和層240，從而在中間層220上方產(chǎn)生圖4c中所示的心軸圖案231、232和233。考慮到通過上述圖案化工藝的特征變化，心軸圖案231、232和233在方向x上具有分別與節(jié)距p1和寬度w1基本匹配的節(jié)距p2和寬度w2。參照圖4d，在介電層220上方、在心軸圖案231、232和233上方以及在心軸圖案231、232和233的側(cè)壁上形成間隔層260。
所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在所述方法的一些實(shí)施例中，所述多條金屬線通過自對準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)或自對準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實(shí)施例中，單元線路結(jié)構(gòu)是未被劃分為至少兩個相等的子線路結(jié)構(gòu)的小單元結(jié)構(gòu)。此外，提供一種設(shè)計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)；設(shè)置包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫；基于輸入數(shù)據(jù)和標(biāo)準(zhǔn)單元庫執(zhí)行布局和布線；以及基于布局和布線的結(jié)果生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)，其中，所述集成電路包括：半導(dǎo)體基底，多條柵極線，形成在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導(dǎo)電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實(shí)施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實(shí)施例，一種集成電路包括：半導(dǎo)體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中，其中。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎您的來電！
根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標(biāo)準(zhǔn)單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實(shí)質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實(shí)施例的所有特征。圖2示出在一些實(shí)施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。圖5和圖7示出單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實(shí)施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實(shí)施例。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)的標(biāo)準(zhǔn)單元scl的一部分。圖12a是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線a-a'的截面圖。圖12b是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿b-b'線的截面圖。圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線c-c'的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標(biāo)準(zhǔn)單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。上海海谷電子有限公司電子料回收獲得眾多用戶的認(rèn)可。重慶電子料庫存回收服務(wù)
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圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進(jìn)行說明。圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。江西呆滯料回收中心
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