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轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內(nèi)壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機(jī)構(gòu)2能夠方便散熱機(jī)構(gòu)3與芯片本體1進(jìn)行連接。散熱機(jī)構(gòu)3包括與l形桿23側(cè)壁固定連接的空心導(dǎo)熱塊31，空心導(dǎo)熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動(dòng)連接，空心導(dǎo)熱塊31的上表面固定連通有多個(gè)連通管32，多個(gè)同側(cè)連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個(gè)空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個(gè)第二連通管34，多個(gè)同側(cè)第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。第二空心散熱塊35的頂端固定連接有多個(gè)錐形塊4，錐形塊4能夠便捷水珠凝結(jié)。空心導(dǎo)熱塊31的外壁固定連通有導(dǎo)管5，導(dǎo)管5遠(yuǎn)離空心導(dǎo)熱塊31的一端螺紋連接有管蓋6，導(dǎo)管5便于向空心導(dǎo)熱塊32內(nèi)加水?？招膶?dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35的材質(zhì)均為不銹鋼，且能夠避免空心導(dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35銹蝕損壞。本實(shí)用新型中，當(dāng)芯片本體1與集塵電路板安裝的時(shí)候，首先把l形桿23插入螺紋塊21的凹槽22中，接著通過螺母25與螺紋塊21連接。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來電！云南電子料上門回收平臺(tái)

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個(gè)有源區(qū)ac在柵極絕緣層118上延伸，同時(shí)覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側(cè)壁、柵極線pc的側(cè)壁和掩模122的側(cè)壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導(dǎo)電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機(jī)ald方法和/或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)方法來形成金屬層和金屬氮化物層。導(dǎo)電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護(hù)層。此外，導(dǎo)電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導(dǎo)電層沉積的粘合層(例如，潤(rùn)濕層(wettinglayer))。安徽二極管回收量大從優(yōu)電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！

分類器電路80接收反映關(guān)于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過人工比較一預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來獲取參考分類。預(yù)設(shè)電壓vt的微分決定信號(hào)dout于規(guī)范中規(guī)定的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。隨后，分類器電路80通過比較預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來產(chǎn)生反映關(guān)于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓(xùn)練階段312中，分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預(yù)設(shè)電壓vt更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32的經(jīng)加權(quán)值。mlc42基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。在推理/分類階段314中，分類器電路80基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。圖10是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的測(cè)量電路60的電路圖。參照?qǐng)D10，測(cè)量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602，以及一減法器604。s/h電路600經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一電壓v1進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一第二電壓v2進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括任何已知的s/h電路。

本公開主張2018年12月06日申請(qǐng)的美國正式申請(qǐng)案第16/212,012號(hào)的優(yōu)先權(quán)及益處，該美國正式申請(qǐng)案的內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開關(guān)于一種集成電路元件和電路，特別涉及一種具有經(jīng)配置以大數(shù)據(jù)(bigdata)應(yīng)用的機(jī)器學(xué)習(xí)功能的集成電路元件。背景技術(shù)：集成電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可程序化的門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga)，可以包括執(zhí)行各種數(shù)學(xué)運(yùn)算的電路。舉例來說，一深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以在經(jīng)配置以機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的一個(gè)或多個(gè)集成電路元件中實(shí)現(xiàn)。集成電路元件可以執(zhí)行若干操作以輸出神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的結(jié)果。上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說明是提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“現(xiàn)有技術(shù)”說明公開本公開的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開的現(xiàn)有技術(shù)，且上文的“現(xiàn)有技術(shù)”的任何說明均不應(yīng)作為本公開的任一部分。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測(cè)量電路以及一分類器電路。該測(cè)量電路經(jīng)配置以獲取一實(shí)際電壓。該分類器電路經(jīng)配置以：通過比較一預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓來產(chǎn)生關(guān)于一不成熟分類的信息；接收關(guān)于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。上海海谷電子有限公司致力于電子料回收，有想法可以來我司咨詢！

化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個(gè)實(shí)施例中，襯底402可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個(gè)或多個(gè)管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個(gè)實(shí)施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖1000所示，在互連層406a的上表面上方形成多個(gè)底電極通孔408。多個(gè)底電極通孔408由介電層1002圍繞。在一些實(shí)施例中，介電層1002可以沉積在互連層406a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內(nèi)的沉積工藝形成多個(gè)底電極通孔408。在各個(gè)實(shí)施例中，介電層1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)底電極通孔408可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)底電極通孔408上方形成多個(gè)mtj器件106、204和206。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎您的來電哦！湖北晶振回收中心

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因應(yīng)于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經(jīng)學(xué)習(xí)電壓(w(i)*vt)。在進(jìn)入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。圖12的示意圖說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓(xùn)練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設(shè)一學(xué)習(xí)速率η是；一預(yù)設(shè)電壓vt為；一實(shí)際電壓vout為，小于預(yù)設(shè)電壓vt。在理想狀況下，比較器800應(yīng)該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)或低噪聲邊界的不良結(jié)果所引起的。使用者人工識(shí)別這種錯(cuò)誤分類。使用者向減法器電路802提供邏輯低(“0”)。據(jù)此，減法器電路802向分壓器804提供邏輯高(“1”)。加法器電路806將差值*(v1(i)-vc(i)加至數(shù)值為1的預(yù)設(shè)權(quán)重，并提供反相經(jīng)更新權(quán)重的。反相器810反相反相經(jīng)更新權(quán)重，并提供經(jīng)更新權(quán)重的。暫存器812將預(yù)設(shè)權(quán)重的1更新為更新權(quán)重的。乘法器814將預(yù)設(shè)電壓的，并將經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。暫存器816將預(yù)設(shè)電壓的，經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的。如果隨后的實(shí)際電壓vout接近先前的實(shí)際電壓vout，則獲得正確分類的機(jī)率隨著經(jīng)學(xué)習(xí)電壓的，相較于預(yù)設(shè)電壓的。結(jié)果。云南電子料上門回收平臺(tái)

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