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來源： 發(fā)布時間：2025-06-21

吉田半導體助力區(qū)域經(jīng)濟，構(gòu)建半導體材料生態(tài)圈，發(fā)揮企業(yè)作用，吉田半導體聯(lián)合上下游資源，推動東莞松山湖半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。
作為松山湖產(chǎn)業(yè)集群重要成員，吉田半導體聯(lián)合光刻機制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術輸出與資源共享，幫助本地企業(yè)提升工藝水平，促進產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。例如，與華中科技大學合作研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠，極限分辨率 120nm，工藝寬容度優(yōu)于日本信越同類產(chǎn)品，已實現(xiàn)量產(chǎn)并出口東南亞，為區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展注入新動能。水性感光膠推薦吉田 JT-1200，水油兼容配方，鋼片加工精度 ±5μm！江蘇油墨光刻膠多少錢

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國產(chǎn)替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610，已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年，國內(nèi)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率將從不足5%提升至10%。

 原材料國產(chǎn)化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%，八億時空的光刻膠樹脂產(chǎn)線預計2025年實現(xiàn)百噸級量產(chǎn)，其產(chǎn)品純度達到99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段（市占率超40%），與南大光電合作開發(fā)配套溶劑，打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產(chǎn)成本降低約20%。

 供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸，將進口周期從28天縮短至17天，碳排放減少18%。國內(nèi)在建12座光刻膠工廠（占全球總數(shù)58%），預計2025年產(chǎn)能達3000噸/年，較2023年增長150%。
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吉田半導體獲評 "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術標準，以技術創(chuàng)新與標準化生產(chǎn)為，吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號，樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領域的表現(xiàn)，吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規(guī)范》等行業(yè)標準，推動國產(chǎn)材料標準化進程。未來，吉田半導體將繼續(xù)以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景，深化技術研發(fā)與市場拓展，為全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻" 中國力量 "。

  1. 產(chǎn)品特點：耐溶劑型優(yōu)良，抗潮耐水性好，耐印率高；固含量高，流平性好，涂布性能優(yōu)良；經(jīng)特殊乳化聚合技術處理，網(wǎng)版平滑、無白點、無沙眼、亮度高；剝膜性好，網(wǎng)版可再生使用；解像性、高架橋性好，易做精細網(wǎng)點和線條；感光度高，曝光時間短，曝光寬容度大，節(jié)省網(wǎng)版作業(yè)時間，提高工作效率 。
  2. 應用范圍：適用于塑料、皮革、標牌、印刷電路板（PCB）、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產(chǎn)品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案，滿足皮革制品精細印刷需求，制作各類標牌保證圖案清晰，用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
負性光刻膠的工藝和應用場景。

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 晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。

? 細分場景：

? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發(fā)中）。

? 功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)（如加速度計、陀螺儀的懸臂梁）。

 芯片封裝（后道工藝）

? 先進封裝技術：

? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。

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定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區(qū)域溶解）相比，其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導體制造（尤其是制程）的主流選擇。

化學組成與工作原理

 主要成分

? 樹脂（成膜劑）：

? 傳統(tǒng)正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復合體系（PAC體系），占比約80%-90%。

? 化學增幅型（用于DUV/EUV）：含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配光酸發(fā)生器（PAG），通過酸催化反應提高感光度和分辨率。

? 溶劑：溶解樹脂和感光劑，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）、穩(wěn)定劑（防止暗反應）、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。

 工作原理

? 曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結(jié)合，形成不溶于堿性顯影液的復合物。

? 曝光時：

? 傳統(tǒng)PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發(fā)生光分解，生成羧酸，使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

? 化學增幅型：PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸，催化樹脂發(fā)生脫保護反應，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。

? 顯影后：曝光區(qū)域溶解去除，未曝光區(qū)域保留，形成正性圖案。
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