甘肅正性光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時間：2025-06-20

憑借多年研發(fā)積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品線。在焊接材料方面，不僅提供常規(guī)錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發(fā)了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產(chǎn)品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時，感光膠系列產(chǎn)品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣泛應(yīng)用于印刷電路板制造。

公司產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球，并與多家跨國企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作關(guān)系。通過在重點(diǎn)區(qū)域設(shè)立辦事處，提供快速響應(yīng)的技術(shù)支持與售后服務(wù)。依托東莞 “世界工廠” 的產(chǎn)業(yè)資源，公司強(qiáng)化供應(yīng)鏈協(xié)同，縮短交付周期，為客戶提供高效解決方案。

未來，廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司將繼續(xù)深化技術(shù)創(chuàng)新，拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，以可靠的產(chǎn)品與專業(yè)的服務(wù)，持續(xù)鞏固其在半導(dǎo)體材料行業(yè)的重要地位。

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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn)，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝，滿足半導(dǎo)體器件對光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性，適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。 甘肅正性光刻膠感光膠光刻膠解決方案找吉田，ISO 認(rèn)證 +8S 管理，良率達(dá) 98%!

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技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

 更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標(biāo)＜5nm），通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。

 缺陷控制：

? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

 國產(chǎn)化突破：

? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機(jī)溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點(diǎn)）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。

吉田半導(dǎo)體獲評 "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為，吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號，樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn)，吉田半導(dǎo)體獲評 "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔(dān)多項(xiàng)國家 02 專項(xiàng)課題。公司主導(dǎo)制定《半導(dǎo)體光刻膠用樹脂技術(shù)規(guī)范》等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，推動國產(chǎn)材料標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以" 中國半導(dǎo)體材料方案提供商 "為愿景，深化技術(shù)研發(fā)與市場拓展，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)" 中國力量 "。吉田半導(dǎo)體公司基本概況。

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技術(shù)驗(yàn)證周期長
半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。

 原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進(jìn)口，如KrF光刻膠樹脂的單體國產(chǎn)化率不足10%。國內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。

 未來技術(shù)路線

? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證。

? 電子束光刻膠：中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達(dá)1nm，適用于量子芯片制造。

? AI驅(qū)動材料設(shè)計(jì)：華為與中科院合作，利用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方，研發(fā)周期縮短50%。

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技術(shù)趨勢與挑戰(zhàn)

 半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個/cm2）。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產(chǎn)化率超60%；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造。

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標(biāo)簽： 錫膏 錫片 光刻膠