吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠:半導(dǎo)體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過(guò)程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證,良率達(dá) 98% 以上,生產(chǎn)過(guò)程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn),幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求,為國(guó)產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
光刻膠的技術(shù)挑戰(zhàn)現(xiàn)在就是需要突破難關(guān)!深圳阻焊光刻膠廠家
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。
? 細(xì)分場(chǎng)景:
? 邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒(méi)式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,研發(fā)中)。
? 功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過(guò)高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁)。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進(jìn)封裝技術(shù):
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(diǎn)(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開(kāi)口(直徑5-50μm)。
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國(guó)家大基金三期:注冊(cè)資本3440億元,明確將光刻膠列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超500億元支持樹(shù)脂、光引發(fā)劑等原料研發(fā),相當(dāng)于前兩期投入總和的3倍。
地方專項(xiàng)政策:湖北省對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的光刻膠企業(yè)給予設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼+稅收減免,武漢太紫微憑借全流程國(guó)產(chǎn)化技術(shù)獲中芯國(guó)際百萬(wàn)級(jí)訂單;福建省提出2030年化工新材料自給率達(dá)90%,光刻膠是重點(diǎn)突破方向。
研發(fā)專項(xiàng):科技部“雙十計(jì)劃”設(shè)立20億元經(jīng)費(fèi),要求2025年KrF/ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率突破10%,并啟動(dòng)EUV光刻膠預(yù)研。
光刻膠的工作原理:
1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過(guò)掩膜(或直接電子束掃描)對(duì)特定區(qū)域曝光。
2. 化學(xué)變化:曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)(正性膠曝光后溶解,負(fù)性膠曝光后交聯(lián)不溶)。
3. 顯影與刻蝕:溶解未反應(yīng)的部分,留下圖案化的膠層,作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。
在納米技術(shù)中,關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(shù)(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。
吉田市場(chǎng)定位與未來(lái)布局。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域,形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng)、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購(gòu)服務(wù)。
市場(chǎng)與榮譽(yù):
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產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū),客戶包括電子制造服務(wù)商(EMS)及半導(dǎo)體廠商。
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獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”,并通過(guò)技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。
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生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備,年產(chǎn)能超千噸,滿足大規(guī)模訂單需求。
未來(lái)展望:
公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模,聚焦第三代半導(dǎo)體材料研發(fā),如 GaN、SiC 相關(guān)光刻膠技術(shù)。同時(shí),深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設(shè)立分支機(jī)構(gòu),強(qiáng)化本地化服務(wù)能力。
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正性光刻膠(如 YK-300)
應(yīng)用場(chǎng)景:用于芯片的精細(xì)圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
特點(diǎn):高分辨率(可達(dá)亞微米級(jí)),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
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負(fù)性光刻膠(如 JT-1000)
應(yīng)用場(chǎng)景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
特點(diǎn):抗蝕刻能力強(qiáng),適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
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納米壓印光刻膠(JT-2000)
應(yīng)用場(chǎng)景:第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC)芯片、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn):耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,降低芯片的制造成本。
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