天津正性光刻膠報(bào)價(jià)

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2025-05-22

吉田半導(dǎo)體水性感光膠 JT-1200：水油兼容，鋼片加工精度 ±5μm

JT-1200 水性感光膠解決鋼片加工難題，提升汽車(chē)電子部件制造精度。
針對(duì)汽車(chē)電子鋼片加工需求，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 JT-1200 水性感光膠實(shí)現(xiàn)水油兼容性達(dá) 100%，加工精度 ±5μm。其高粘接強(qiáng)度與耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿特性，確保復(fù)雜結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期可靠性。其涂布性能優(yōu)良，易做精細(xì)網(wǎng)點(diǎn)，適用于安全氣囊傳感器、車(chē)載攝像頭模組等精密部件。產(chǎn)品通過(guò) IATF 16949 汽車(chē)行業(yè)認(rèn)證，生產(chǎn)過(guò)程嚴(yán)格控制金屬離子含量，確保電子產(chǎn)品可靠性。
光刻膠的技術(shù)挑戰(zhàn)現(xiàn)在就是需要突破難關(guān)！天津正性光刻膠報(bào)價(jià)

天津正性光刻膠報(bào)價(jià),光刻膠

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題，提升行業(yè)生產(chǎn)效率，通過(guò)優(yōu)化材料配方與工藝，吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問(wèn)題，助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問(wèn)題，吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類(lèi)產(chǎn)品高 8%，密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù)，在顯影過(guò)程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本，推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。佛山光刻膠耗材光刻膠的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。

天津正性光刻膠報(bào)價(jià),光刻膠

光刻膠的納米級(jí)性能要求

 超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長(zhǎng)）的轟擊，避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm（3nm制程）。

 低缺陷率：納米級(jí)結(jié)構(gòu)對(duì)膠層中的顆?；蚧瘜W(xué)不均性極其敏感，需通過(guò)化學(xué)增幅型配方（如酸催化交聯(lián)）提升對(duì)比度和抗刻蝕性。

 多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向

? EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線寬波動(dòng)，開(kāi)發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。

? 無(wú)掩膜光刻：結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑，直接寫(xiě)入復(fù)雜納米圖案（如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列），縮短制備周期。

? 生物基光刻膠：開(kāi)發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。

吉田半導(dǎo)體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認(rèn)證，PCB 電路板制造

憑借抗深蝕刻性能與環(huán)保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業(yè)材料。
吉田半導(dǎo)體推出的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率達(dá) 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，適用于高密度電路板制造。產(chǎn)品通過(guò)歐盟 RoHS 認(rèn)證，采用無(wú)鹵無(wú)鉛配方，符合環(huán)保要求。其優(yōu)異的感光度與留膜率，確保復(fù)雜線路圖形的成型，已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。公司提供從材料選型到工藝優(yōu)化的全流程支持，助力客戶提升生產(chǎn)效率與良率。
吉田半導(dǎo)體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。

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納米制造與表面工程

? 納米結(jié)構(gòu)模板：作為納米壓印光刻（NIL）的母版制備材料，通過(guò)電子束光刻膠寫(xiě)出高精度納米圖案（如50nm以下的柱陣列、孔陣列），用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。

? 表面功能化：在基底表面構(gòu)建納米級(jí)粗糙度（如仿生荷葉超疏水表面）或化學(xué)圖案（引導(dǎo)細(xì)胞定向生長(zhǎng)的納米溝槽），用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料（如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu)）。

量子技術(shù)與精密測(cè)量

? 超導(dǎo)量子比特：在鈮酸鋰或硅基底上，通過(guò)光刻膠定義納米級(jí)約瑟夫森結(jié)陣列，構(gòu)建量子電路。

? 納米傳感器：制備納米級(jí)懸臂梁（表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極），用于探測(cè)單個(gè)分子的質(zhì)量或電荷變化（分辨率達(dá)亞納米級(jí)）。
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工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；

? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通過(guò)物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。

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標(biāo)簽： 錫片 光刻膠 錫膏