納米壓印光刻膠
微納光學器件制造:制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時,納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術,將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上,再經(jīng)過后續(xù)處理,可制造出具有特定光學性能的微納光學器件,應用于光通信、光學成像等領域。
生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面構建高精度的微納結構,用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現(xiàn)這些精細結構的制作,提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。
吉田半導體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展,推動產業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。安徽油性光刻膠
吉田半導體厚板光刻膠 JT-3001:國產技術助力 PCB 行業(yè)升級
JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國產 PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認證,已應用于華為 5G 基站主板量產。產品采用國產原材料與全自動化工藝,批次穩(wěn)定性達 99.5%,幫助客戶提升生產效率 20%,加速國產 PCB 行業(yè)技術升級,推動 PCB 行業(yè)國產化進程。
深圳水性光刻膠正性光刻膠生產廠家。
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導體材料有限公司始終將技術創(chuàng)新與產品質量視為重要發(fā)展動力。公司位于東莞松山湖產業(yè)集群,依托區(qū)域產業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導體材料解決方案。
公司產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等,原材料均嚴格選用美國、德國、日本等國的質量進口材料。通過全自動化生產設備與精細化工藝控制,確保每批次產品的穩(wěn)定性與一致性。例如,納米壓印光刻膠采用特殊配方,可耐受 250℃高溫及復雜化學環(huán)境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高分辨率和穩(wěn)定性,成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。
吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執(zhí)行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
松山湖光刻膠廠家吉田,2000 萬級產能,48 小時極速交付!
國產替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內企業(yè)加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610,已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年,國內KrF/ArF光刻膠國產化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%,八億時空的光刻膠樹脂產線預計2025年實現(xiàn)百噸級量產,其產品純度達到99.999%,金屬雜質含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段(市占率超40%),與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產成本降低約20%。
供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸,將進口周期從28天縮短至17天,碳排放減少18%。國內在建12座光刻膠工廠(占全球總數(shù)58%),預計2025年產能達3000噸/年,較2023年增長150%。
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LCD 光刻膠供應商哪家好?吉田半導體高分辨率 +低 VOC 配方!安徽油性光刻膠
市場拓展
? 短期目標:2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內市占率10%,半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。
? 長期愿景:成為全球的半導體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。
. 政策與產業(yè)鏈協(xié)同
? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金,獲設備采購補貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心,共同攻關光刻膠關鍵技術,縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。
. 挑戰(zhàn)與應對
? 技術壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標曝光劑量<10mJ/cm2)。
? 供應鏈風險:部分原材料(如樹脂)進口占比超60%,正推進“國產替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應。
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