同時(shí),我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行深入交流。在這里,我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程,從基礎(chǔ)功能到高級(jí)應(yīng)用,一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對(duì)您在設(shè)備選型、使用場(chǎng)景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問,我們也會(huì)給予細(xì)致入微的解答,讓您對(duì)失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢(shì)與適用范圍。
這種面對(duì)面的深度溝通,旨在讓合作過程更加透明,讓您對(duì)我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心,合作也更顯安心。 針對(duì)光器件,能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點(diǎn),為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。工業(yè)檢測(cè)微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)
可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況
一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current))多晶硅晶須(Poly-silicon Filaments)襯底損傷(Substrate Damage)物理損傷(Mechanical Damage)等。
二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管(Saturated/Active Bipolar Transistors)飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動(dòng)態(tài) CMOS(Saturated MOS/Dynamic CMOS)正向偏置二極管 / 反向偏置二極管(擊穿狀態(tài))(Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown))等。 高分辨率微光顯微鏡原理微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能,可縮短設(shè)備啟動(dòng)至正常工作的時(shí)間,提高檢測(cè)效率。
考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場(chǎng)景,我們還提供Thermal&EMMI的個(gè)性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結(jié)構(gòu)適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計(jì)與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和成熟的生產(chǎn)體系,定制項(xiàng)目通常在 2-3 個(gè)月內(nèi)即可完成交付,在保證定制靈活性的同時(shí),充分兼顧了交付效率,讓您的特殊需求得到及時(shí)且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù),期待與您攜手共進(jìn),共創(chuàng)佳績。
得注意的是,兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(cè)(從器件有源區(qū)一側(cè)觀測(cè))與背面檢測(cè)(透過硅襯底觀測(cè)),可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測(cè)角度,確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)(如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷)。在實(shí)際失效分析流程中,PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域,隨后結(jié)合去層處理(逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等)、掃描電子顯微鏡(SEM)的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察,進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)(如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等),終追溯失效機(jī)理(如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等)并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán),使得PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件與集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了關(guān)鍵的應(yīng)用。在航空航天芯片檢測(cè)中,它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷,為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。
InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處,均依賴于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而,InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度,并且其探測(cè)波長范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm,而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測(cè)波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測(cè)能力,從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言,InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢(shì)使其在多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。在半導(dǎo)體材料研究中,InGaAs微光顯微鏡能夠探測(cè)到更長的波長,這對(duì)于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。紅外成像可以不破壞芯片封裝,嘗試定位未開封芯片失效點(diǎn)并區(qū)分其在封裝還是 Die 內(nèi)部,利于評(píng)估芯片質(zhì)量。工業(yè)檢測(cè)微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)
熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子,在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。工業(yè)檢測(cè)微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)
失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測(cè)、實(shí)驗(yàn)和分析手段,探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?;蚴У母驹颍M(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié),**在于精細(xì)定位失效根源,而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導(dǎo)體行業(yè),失效分析具有不可替代的應(yīng)用價(jià)值,貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。
在研發(fā)階段,針對(duì)原型芯片的失效問題(如邏輯錯(cuò)誤、漏電、功耗過高等),通過微光顯微鏡、探針臺(tái)等設(shè)備進(jìn)行失效點(diǎn)定位,結(jié)合電路仿真、材料分析等手段,可追溯至設(shè)計(jì)缺陷(如布局不合理、時(shí)序錯(cuò)誤)或工藝參數(shù)偏差,為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化提供直接依據(jù);在量產(chǎn)環(huán)節(jié),當(dāng)出現(xiàn)批量性失效時(shí),失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩(wěn)定性問題,還是原材料(如晶圓、光刻膠)的質(zhì)量波動(dòng),幫助生產(chǎn)線及時(shí)調(diào)整參數(shù),降低報(bào)廢率;在應(yīng)用端,針對(duì)芯片在終端設(shè)備(如手機(jī)、汽車電子)中出現(xiàn)的可靠性失效(如高溫環(huán)境下性能衰減、長期使用后的老化失效),通過環(huán)境模擬測(cè)試、失效機(jī)理分析,可推動(dòng)芯片在封裝設(shè)計(jì)、材料選擇上的改進(jìn),提升產(chǎn)品在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定性。 工業(yè)檢測(cè)微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)