紅外光譜微光顯微鏡設備制造

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進制程產品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應用上具有相似性，但InGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢：

1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測到微弱電流及先進制程中的缺陷；

3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對硅基板具有較高的穿透率。 微光顯微鏡能檢測半導體器件微小缺陷和失效點，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障設備可靠運行、提升通信質量。紅外光譜微光顯微鏡設備制造

選擇國產 EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產業(yè)化應用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構建起產學研深度融合的技術研發(fā)體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 國產微光顯微鏡范圍其低噪聲電纜連接設計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。

例如，當某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關鍵前提?？梢哉f，我們的設備是半導體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎。

在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產過程中，它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產線調整爭取寶貴時間，降低損失；在產品應用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產檢測，我們的設備都以其獨特的技術優(yōu)勢，成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環(huán)，為半導體企業(yè)的高效運轉和技術升級提供有力支撐。

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實驗和分析手段，探究產品或器件在設計、生產、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹颍M而提出改進措施以預防同類問題再次發(fā)生的技術過程。它是連接產品問題與解決方案的關鍵環(huán)節(jié)，**在于精細定位失效根源，而非*關注表面現(xiàn)象。在半導體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應用價值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產的全生命周期。

在研發(fā)階段，針對原型芯片的失效問題（如邏輯錯誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺等設備進行失效點定位，結合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設計缺陷（如布局不合理、時序錯誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設計優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產環(huán)節(jié)，當出現(xiàn)批量性失效時，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩(wěn)定性問題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質量波動，幫助生產線及時調整參數(shù)，降低報廢率；在應用端，針對芯片在終端設備（如手機、汽車電子）中出現(xiàn)的可靠性失效（如高溫環(huán)境下性能衰減、長期使用后的老化失效），通過環(huán)境模擬測試、失效機理分析，可推動芯片在封裝設計、材料選擇上的改進，提升產品在復雜工況下的穩(wěn)定性。 晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對復合產生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測靈敏度，并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測能力，從而拓寬了其應用領域。進一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢使其在多個科研與工業(yè)領域展現(xiàn)出獨特價值。在半導體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測到更長的波長，這對于分析材料的缺陷、雜質以及能帶結構等方面具有重要意義。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。國產微光顯微鏡范圍

紅外成像可以不破壞芯片封裝，嘗試定位未開封芯片失效點并區(qū)分其在封裝還是 Die 內部，利于評估芯片質量。紅外光譜微光顯微鏡設備制造

半導體企業(yè)購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內部微弱發(fā)光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產工藝、提升芯片性能提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時通過提升產品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業(yè)在技術迭代與市場爭奪中保持優(yōu)勢的邏輯。紅外光譜微光顯微鏡設備制造