國產(chǎn)熱紅外顯微鏡大全

來源: 發(fā)布時間:2025-07-17

非破壞性分析(NDA)以非侵入方式分析樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)和性能,無需切割、拆解或化學處理,能保留樣品完整性,為后續(xù)研究留有余地,在高精度、高成本的半導體領(lǐng)域作用突出。

無損分析,通過捕捉樣品自身紅外熱輻射成像,全程無接觸,無需對晶圓、芯片等進行破壞性處理。在半導體制造中,可識別晶圓晶體缺陷;封裝階段,能檢測焊接點完整性或封裝層粘結(jié)質(zhì)量;失效分析時,可定位內(nèi)部短路或斷裂區(qū)域的隱性熱信號,為根源分析提供依據(jù),完美適配半導體行業(yè)對高價值樣品的保護需求。 量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導體的襯底熱阻、結(jié)溫分布,優(yōu)化散熱設(shè)計。國產(chǎn)熱紅外顯微鏡大全

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在微觀熱信號檢測領(lǐng)域,熱發(fā)射顯微鏡作為經(jīng)典失效分析工具,為半導體與材料研究提供了基礎(chǔ)支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡,并非簡單的名稱更迭,而是由技術(shù)工程師團隊在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡原理上,歷經(jīng)多代技術(shù)創(chuàng)新與功能迭代逐步演變進化而來。這一過程中,團隊針對傳統(tǒng)設(shè)備在視野局限、信號靈敏度、分析尺度等方面的痛點,通過光學系統(tǒng)重構(gòu)、信號處理算法升級、檢測維度拓展等創(chuàng)新,重新定義、形成了更適應現(xiàn)代微觀熱分析需求的技術(shù)體系。高分辨率熱紅外顯微鏡市場價芯片復雜度提升對缺陷定位技術(shù)的精度與靈敏度提出更高要求。

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熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具,但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異,尤其在失效分析等專業(yè)領(lǐng)域各有側(cè)重。

工作原理看,光學顯微鏡利用可見光(400-760nm 波長)的反射或透射成像,通過放大樣品的物理形態(tài)(如結(jié)構(gòu)、顏色、紋理)呈現(xiàn)細節(jié),其主要是捕捉 “可見形態(tài)特征”;而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射,通過檢測樣品自身發(fā)射的熱量差異生成熱分布圖,本質(zhì)是捕捉 “不可見的熱信號”。

主要功能上,光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結(jié)構(gòu)缺陷(如裂紋、變形),適合材料微觀結(jié)構(gòu)分析、生物樣本觀察等;熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析,能識別因電路缺陷、材料熱導差異等產(chǎn)生的溫度異常,即使是納米級的微小熱點(如半導體芯片的漏電區(qū)域)也能精確捕捉,這是光學顯微鏡無法實現(xiàn)的。

適用場景來看,光學顯微鏡是通用型觀測工具,廣泛應用于基礎(chǔ)科研、教學等領(lǐng)域;而熱紅外顯微鏡更偏向?qū)I(yè)細分場景,尤其在半導體失效分析中,可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發(fā)的熱異常,在新材料研發(fā)中能分析不同組分的熱傳導特性,為解決 “熱相關(guān)問題” 提供關(guān)鍵依據(jù)。

   在產(chǎn)品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析,它能定位失效部位,厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問題,都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上,進一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失效的重復發(fā)生。

作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié),失效分析的價值體現(xiàn)在對全鏈條潛在風險的追溯與排查:在設(shè)計(含選型)階段,可通過模擬失效驗證方案合理性;制造環(huán)節(jié),能鎖定工藝偏差導致的批量隱患;使用過程中,可解析環(huán)境因素對性能衰減的影響;質(zhì)量管理層面,則為標準優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。 熱紅外顯微鏡在電子產(chǎn)品研發(fā)階段,輔助優(yōu)化熱管理方案 。

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從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到致晟光電熱紅外顯微鏡的技術(shù)進化,不只是觀測精度與靈敏度的提升,更實現(xiàn)了對先進制程研發(fā)需求的深度適配。它以微觀熱信號為紐帶,串聯(lián)起芯片設(shè)計、制造與可靠性評估全流程。在設(shè)計環(huán)節(jié)助力優(yōu)化熱布局,制造階段輔助排查熱相關(guān)缺陷,可靠性評估時提供精細熱數(shù)據(jù)。這種全鏈條支撐,為半導體產(chǎn)業(yè)突破先進制程的熱壁壘提供了扎實技術(shù)保障,助力研發(fā)更小巧、運算更快、性能更可靠的芯片,推動其從實驗室研發(fā)穩(wěn)步邁向量產(chǎn)應用。
熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法,三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。高分辨率熱紅外顯微鏡方案

熱紅外顯微鏡在工業(yè)生產(chǎn)中,用于在線監(jiān)測電子器件的熱質(zhì)量 。國產(chǎn)熱紅外顯微鏡大全

在選擇 EMMI 微光顯微鏡時,需綜合考量應用需求、預算、技術(shù)參數(shù)及售后服務等因素。首先明確具體應用場景,例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍,而集成電路分析則對分辨率要求更高。預算方面,進口設(shè)備系列價格昂貴,但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產(chǎn)設(shè)備——如致晟光電自主全國產(chǎn)研發(fā)的RTTLIT 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)在性價比方面更好,且在靈敏度和各種參數(shù)功能上已接近進口水平,尤其在垂直芯片等場景中表現(xiàn)穩(wěn)定,適合預算有限的常規(guī)檢測。
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