即是在大功率范圍應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 具有較高的開關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強(qiáng)的過(guò)載能力。短時(shí)過(guò)載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時(shí)，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時(shí)，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓。給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小...

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過(guò)程，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其...

超結(jié)MOSFET的應(yīng)用超結(jié)MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在以下幾個(gè)方面： 1、開關(guān)電源超結(jié)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關(guān)電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動(dòng)汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動(dòng)化在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理應(yīng)用中。它們的高效能...

超結(jié)MOS的特點(diǎn): 1、低導(dǎo)通電阻通過(guò)在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個(gè)P型和N型層的超結(jié)設(shè)計(jì)，極大地降低了功率器件的導(dǎo)通電阻，在高電壓應(yīng)用中尤為明顯。 2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時(shí)會(huì)增加導(dǎo)通電阻，而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布，使其在保持高耐壓的同時(shí)仍能保持較低的導(dǎo)通電阻。 3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開關(guān)速度和低損耗特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 4、較低的功耗由于導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的降低，超結(jié)MOS在工作時(shí)的能量損耗也明顯減少，有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低.臺(tái)...

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí)。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn)，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周...

功率器件主要應(yīng)用領(lǐng)域： 電源：開關(guān)電源、不間斷電源、充電器（手機(jī)、電動(dòng)車快充）、逆變器。 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器、家用電器（如空調(diào)壓縮機(jī)、洗衣機(jī)電機(jī)控制）。 電力轉(zhuǎn)換與控制：太陽(yáng)能/風(fēng)能發(fā)電并網(wǎng)逆變器、高壓直流輸電、工業(yè)電源。 照明：LED驅(qū)動(dòng)電源。 消費(fèi)電子：大功率音響功放、大型顯示設(shè)備背光電。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，功率器件就是“電力世界的大力士開關(guān)”，負(fù)責(zé)在高壓大電流環(huán)境下高效地控制、切換和傳輸電能。 它的性能和效率對(duì)能源利用、電子設(shè)備性能有著至關(guān)重要的影響。 作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在 具有較高的開關(guān)速度。應(yīng)用場(chǎng)景功率器件MOS產(chǎn)...

功率器件是專門用來(lái)處理和控制高電壓、大電流電能的半導(dǎo)體器件，是電力電子電路的重要執(zhí)行元件。 它的主要作用和特點(diǎn)包括： 高功率處理能力：能夠在高電壓（可達(dá)數(shù)千伏甚至更高）和大電流（可達(dá)數(shù)百甚至數(shù)千安培）的條件下工作。主要作用是轉(zhuǎn)換、分配和管理電能，而非處理微弱信號(hào)。 開關(guān)作用：最常見的功能是作為開關(guān)。它需要能快速地開啟（導(dǎo)通）或關(guān)閉（關(guān)斷）高功率的電能流，控制電能輸送到負(fù)載的時(shí)間或大小。效率是關(guān)鍵：理想狀態(tài)下導(dǎo)通時(shí)電阻極?。▔航档汀p耗?。?，關(guān)斷時(shí)電阻極大（漏電流極小、損耗?。?。 承受大功耗，需要高效散熱：由于工作在高壓大電流下，即使效率很高，器件本身也會(huì)產(chǎn)生較大的熱...

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國(guó)的實(shí)際看，因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國(guó)用電量的1/3，若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來(lái)越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開關(guān)速度快,控制簡(jiǎn)單，逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)...

20世紀(jì)50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來(lái)的晶閘管，因其工作可靠、壽命長(zhǎng)、體積小、開關(guān)速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應(yīng)用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

SGT MOS結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)電場(chǎng)優(yōu)化與高耐壓： 屏蔽柵的電場(chǎng)屏蔽作用：屏蔽柵將漏極的高電場(chǎng)從控制柵下方轉(zhuǎn)移至溝槽側(cè)壁，避免柵氧化層因電場(chǎng)集中而擊穿。橫向電場(chǎng)均勻化：通過(guò)電荷平衡技術(shù)（類似超結(jié)原理），漂移區(qū)的電場(chǎng)分布從傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的“三角形”變?yōu)椤熬匦巍保?**提升擊穿電壓（BV）。 BV提升實(shí)例：在相同外延層參數(shù)下，SGT的BV比傳統(tǒng)溝槽MOS提高15%-25%（例如原設(shè)計(jì)100V的器件可達(dá)120V）。低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：垂直電流路徑：消除平面MOS中的JFET效應(yīng)，漂移區(qū)電阻（Rdrift）降低40%-60%。短溝道設(shè)計(jì)：分柵結(jié)構(gòu)允許更短的溝道長(zhǎng)度（可至0.1μm以下），溝道...

1、超級(jí)結(jié)的性能提升方法使溝槽和溝槽間距盡可能小和深。SJ-MOS可以設(shè)計(jì)為具有較低電阻的N層，從而實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。2、超級(jí)結(jié)存在的問(wèn)題本質(zhì)上超級(jí)結(jié)MOSFET比平面MOSFET具有更大的pn結(jié)面積，因此trr比平面MOSFET快，但更大的irr流動(dòng)。內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復(fù)時(shí)間trr會(huì)影響晶體管關(guān)斷開關(guān)特性。 二、超結(jié)MOS的結(jié)構(gòu)超結(jié)MOSFET的創(chuàng)新在于其“超結(jié)”結(jié)構(gòu)。這個(gè)結(jié)構(gòu)通過(guò)在垂直方向上交替排列的P型和N型區(qū)域來(lái)實(shí)現(xiàn)。每個(gè)P型區(qū)域和其旁邊的N型區(qū)域共同構(gòu)成一個(gè)“超結(jié)單元”，這些單元在整個(gè)器件中交替排列。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得在導(dǎo)通狀態(tài)下，電流可以通過(guò)較低的電阻路徑...

晶體管外形封裝（TO） TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設(shè)計(jì)。這種封裝形式以其高耐壓和強(qiáng)抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應(yīng)用中，TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。 雙列直插式封裝（DIP） DIP封裝以其兩排引腳設(shè)計(jì)而聞名，被設(shè)計(jì)為插入到具有相應(yīng)DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封裝類型多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP等，其優(yōu)勢(shì)在于與主板的兼容性較好。然而，DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度，可靠性相對(duì)較低。 外形晶體管封裝（SOT） SOT是一種貼...

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連；開關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時(shí),其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級(jí)）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。常用功率MOS 管 無(wú)錫商甲半導(dǎo)體 交貨快 品質(zhì)好.淮安12...

功率MOSFET是70年代末開始應(yīng)用的新型電力電子器件，適合于數(shù)千瓦以下的電力電子裝置，能***縮小裝置的體積并提高其性能，預(yù)期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)是提高容量，普及應(yīng)用，與其他器件結(jié)合構(gòu)成復(fù)合管，將多個(gè)元件制成組件和模塊，進(jìn)而與控制線路集成在一個(gè)模塊中（這將會(huì)更新電力電子線路的概念）。此外，隨著頻率的進(jìn)一步提高，將出現(xiàn)能工作在微波領(lǐng)域的大容量功率MOSFET。這些參數(shù)反映了功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在開關(guān)工作狀態(tài)下的瞬間響應(yīng)特性，在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于電機(jī)控制等用途時(shí)特別有用。采購(gòu)MOSFET請(qǐng)選擇無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司.寧波功率器件MOS產(chǎn)品選型供應(yīng)商 按照電力電子...

事實(shí)表明，無(wú)論是電力、機(jī)械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，還是通信、激光、機(jī)器人、環(huán)保、原子能、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都迫切需要高質(zhì)量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔埽瑢?shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段，它已經(jīng)成為弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行之間、信息技術(shù)與先進(jìn)制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來(lái)一場(chǎng)電力電子技術(shù)的**。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟，它對(duì)裝置的總價(jià)值，尺寸、重量、動(dòng)態(tài)性能，過(guò)載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用 [3]。功率半導(dǎo)體器...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

功率MOSFET的基本特性 動(dòng)態(tài)特性MOSFET其測(cè)試電路和開關(guān)過(guò)程。開通過(guò)程；開通延遲時(shí)間td(on)—Up前沿時(shí)刻到UGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時(shí)刻間的時(shí)間段；上升時(shí)間tr—UGS從UT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時(shí)間段；iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開通時(shí)間ton—開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)—Up下降到零起，Cin通過(guò)RS和RG放電，UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時(shí)，iD開始減小為零的時(shí)間段。下降時(shí)間tf...

超結(jié)MOSFET的應(yīng)用超結(jié)MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，尤其是在以下幾個(gè)方面： 1、開關(guān)電源超結(jié)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用于開關(guān)電源中，能夠提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損失。 2、電動(dòng)汽車（EV）超結(jié)MOSFET被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中。它們的高效能和優(yōu)異的熱性能能夠提升整車的性能和可靠性。 3、光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電流，超結(jié)MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)使其成為這些系統(tǒng)中的理想選擇，能夠提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱量損耗。 4、工業(yè)自動(dòng)化在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，超結(jié)MOSFET被用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理應(yīng)用中。它們的高效能...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-220 封裝TO-220 封裝是一種較為經(jīng)典且常見的封裝形式，具有通用性強(qiáng)、成本低的特點(diǎn)。它通常采用塑料材質(zhì)，引腳呈直插式，便于焊接和安裝。TO-220 封裝的 MOS 管帶有一個(gè)較大的金屬散熱片，該散熱片與 MOS 管的漏極相連，能夠?qū)⑿酒a(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至外部。在自然對(duì)流的情況下，TO-220 封裝的 MOS 管散熱能力一般，熱阻約為 60 - 80℃/W 。但如果配合散熱片使用，散熱性能可得到***提升，熱阻能降低至 10 - 20℃/W，適用于功率在 10 - 50W 左右的**率電路。 汽車電子?：電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-92封裝 TO-92封裝主要適用于低壓MOS管，其電流控制在10A以下，耐壓值不超過(guò)60V。此外，高壓1N60/65也采用了這種封裝方式，旨在幫助降低產(chǎn)品成本。 TO-263封裝 TO-263封裝，作為TO-220封裝的衍生品，旨在提升生產(chǎn)效率和散熱性能。它能夠支持極高的電流和電壓，特別適用于中壓大電流MOS管，其電流范圍在150A以下，電壓則超過(guò)30V。這種封裝方式在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。TO-252封裝 TO-252封裝，作為當(dāng)前主流的封裝方式之一，其適用范圍***。在高壓環(huán)境下，它能夠承受7N以下的壓力；...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時(shí)，由于成本因素，TO-220的價(jià)格也相對(duì)較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場(chǎng)合，其電流范圍在120A以下，同時(shí)也可用于高壓大電流場(chǎng)合，但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時(shí)也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。 對(duì)于高功率場(chǎng)景，優(yōu)先...

功率MOSFET的基本特性 動(dòng)態(tài)特性MOSFET其測(cè)試電路和開關(guān)過(guò)程。開通過(guò)程；開通延遲時(shí)間td(on)—Up前沿時(shí)刻到UGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時(shí)刻間的時(shí)間段；上升時(shí)間tr—UGS從UT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時(shí)間段；iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開通時(shí)間ton—開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)—Up下降到零起，Cin通過(guò)RS和RG放電，UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時(shí)，iD開始減小為零的時(shí)間段。下降時(shí)間tf...

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過(guò)程，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型服務(wù) 封裝選擇關(guān)鍵因素 功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。 **功率（信號(hào)級(jí)）：SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強(qiáng)制散熱或大面積PCB銅箔散熱時(shí)，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。 自然散熱場(chǎng)景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計(jì)）。 空間限制 緊湊型設(shè)備（如手機(jī)、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。 工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應(yīng)用（>1MH...

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其特性一、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件，在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管中較多采用的是V溝槽工藝，這種工藝生產(chǎn)地管稱為VMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的柵極做成V型，有溝道短、耐壓能力強(qiáng)、跨導(dǎo)線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，故在功率應(yīng)用領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，出現(xiàn)一種更好的叫TMOS管，它是在VMOS管基礎(chǔ)上改進(jìn)而成的，沒有V形槽，只形成了很短的導(dǎo)通溝槽。二、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)及符號(hào)1.極限參數(shù)和符號(hào)（1） 漏源極間短路時(shí)，柵漏極間的耐壓VGDS（2） 漏源極間開路時(shí)，柵漏極間的耐壓VGSO（3） 柵源極在規(guī)定的偏壓下，漏源極間耐壓VDSX（4） 擊穿電壓BVDS（5） 柵極電流IG（6） 比...

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）?是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，主要用于功率放大和開關(guān)應(yīng)用。它屬于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的一種，具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)速度快、工作頻率高等特點(diǎn)。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。 隨著電子技術(shù)在工業(yè)、交通、消費(fèi)、醫(yī)療等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，當(dāng)代社會(huì)對(duì)電力電子設(shè)備的要求也越來(lái)越高，功率半導(dǎo)體就是影響這些電力電子設(shè)備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來(lái)，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色，功率MOSFET是...

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-247 封裝 TO-247 封裝與 TO-220 封裝類似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大，散熱能力更強(qiáng)，在自然對(duì)流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等。不過(guò)，由于其體積較大，在一些對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路板上使用會(huì)受到限制。 SOT-23 封裝 SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢(shì)。它的引腳數(shù)量較少，一般為 ...

MOSFET的原理 MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡(jiǎn)稱功率MOSFET（PowerMOSFET）。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（StaticInductionTransistor——SIT）。其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電...