12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術(shù)

MOS管選型指南

選擇合適品牌

市場(chǎng)中有不同品牌和類(lèi)型的MOS管，選擇時(shí)需平衡品牌質(zhì)量與成本。在市場(chǎng)上，歐美系企業(yè)的產(chǎn)品種類(lèi)齊全，技術(shù)及性能也很出色，因此常常成為優(yōu)先。日系品牌，如瑞薩和東芝，也以其品質(zhì)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)上占據(jù)一席之地，但價(jià)格相對(duì)較高。

國(guó)內(nèi)企業(yè)價(jià)格更為親民，性?xún)r(jià)比相對(duì)較高，因此也受到不少客戶(hù)的青睞。

中國(guó)大陸的本土企業(yè)則憑借低成本優(yōu)勢(shì)和快速響應(yīng)的客戶(hù)服務(wù)，在中低端及細(xì)分領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。商甲半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代，并不斷向高產(chǎn)品線發(fā)起挑戰(zhàn)，以滿(mǎn)足本土客戶(hù)的需求。 商甲半導(dǎo)體提供的20V~100V Complementary（N+P型互補(bǔ)式）MOSFET產(chǎn)品。12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術(shù)

選擇MOS管的指南

 第一步: 明確N溝道與P溝道首先，需要明確N溝道與P溝道的選擇。N溝道適用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān)，P溝道適用于高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。由于MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式——N溝道型和P溝道型，這兩種結(jié)構(gòu)的電壓極性有所不同。因此，在做出選擇之前，務(wù)必先確定您的應(yīng)用場(chǎng)景需要哪種類(lèi)型的MOS管

MOS管的兩種結(jié)構(gòu)在電子應(yīng)用中，MOS管通常有兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型。這兩種結(jié)構(gòu)各有其特定的應(yīng)用場(chǎng)景。例如，在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，因?yàn)檫@類(lèi)器件在關(guān)閉或?qū)〞r(shí)所需電壓較低。相反，在高壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，則更常選用P溝道MOS管。 淮安電子元器件MOSFET高壓MOS產(chǎn)品商甲半導(dǎo)體的SGT系列MOSFET產(chǎn)品具備低內(nèi)阻、低電容、低熱阻的特點(diǎn)。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管

1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類(lèi)：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱(chēng)為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

3、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱(chēng)為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱(chēng)為增強(qiáng)型。

選擇MOS管的指南

評(píng)估熱性能

選定額定電流后，還需計(jì)算導(dǎo)通損耗。實(shí)際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時(shí)會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計(jì)者需評(píng)估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時(shí)需要考慮結(jié)溫和熱阻。

功率損耗PTRON可通過(guò)公式Iload2×RDS(ON)計(jì)算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會(huì)相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越?。环粗嗳?。

功率因數(shù)校正（PFC），MOSFET用于提高電源系統(tǒng)的功率因數(shù)。

如何選擇合適的MOSFET管

1.考慮開(kāi)關(guān)特性：包括柵極電荷(Qg)、輸入電容(Ciss)等參數(shù)，這些參數(shù)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和損耗，特別是在高速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)，必須確認(rèn)MOS的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。

2.使用在線工具簡(jiǎn)化選型：一些電子元件供應(yīng)商提供了在線篩選器，可以根據(jù)電壓、電流、封裝等參數(shù)快速篩選合適的MOSFET。

3.查看數(shù)據(jù)手冊(cè)：在選擇之前，仔細(xì)閱讀MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)，了解其電氣特性和工作條件。

4考慮品牌和成本：根據(jù)項(xiàng)目預(yù)算和對(duì)品牌的信任度，選擇信譽(yù)良好的品牌。目前，功率半導(dǎo)體的發(fā)展非常迅速，SIC，IGBT等隨電動(dòng)汽車(chē)的發(fā)展快速發(fā)展，成本是其中非常重要的選擇要素之一，國(guó)產(chǎn)品牌的成本具有較大優(yōu)勢(shì)，可以選擇商甲半導(dǎo)體。 MOSFET用于直流電機(jī)的速度和方向控制，例如在電動(dòng)工具、機(jī)器人和汽車(chē)電子中。上海500V至900V SJ超結(jié)MOSFET電子元器件MOSFET

商甲半導(dǎo)體的團(tuán)隊(duì)人員在國(guó)際功率半導(dǎo)體企業(yè)工作多年，積累了豐富的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)和資源。12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。

按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；

按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?

2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。 12V至200V P MOSFET電子元器件MOSFET技術(shù)