MOS管常用封裝
隨著電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,如今主板和顯卡的PCB板更傾向于采用表面貼裝式封裝的MOSFET,而非傳統(tǒng)的直插式封裝。因此,本文將重點(diǎn)探討表面貼裝式封裝的MOSFET,并深入介紹MOS管的外部封裝技術(shù)、內(nèi)部封裝改進(jìn)技術(shù)、整合式DrMOS、MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)以及具體的MOSFET實(shí)例等。接下來(lái),我們將對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的封裝形式進(jìn)行概述,包括TO(晶體管輪廓)封裝等。
TO(TransistorOut-line)即“晶體管外形”,是一種早期的封裝規(guī)格。其中,TO-92、TO-92L、TO-220以及TO-252等都是采用插入式封裝設(shè)計(jì)。
隨著表面貼裝市場(chǎng)的需求不斷增長(zhǎng),TO封裝也逐漸演進(jìn)為表面貼裝式封裝。特別是TO252和TO263,這兩種表面貼裝封裝方式得到了廣泛應(yīng)用。值得注意的是,TO-252也被稱為D-PAK,而TO-263則被稱為D2PAK。
SOT(Small Out-Line Transistor)封裝,即“小外形晶體管封裝”,是一種貼片型小功率晶體管封裝方式。相較于傳統(tǒng)的TO封裝,其體積更為緊湊,特別適用于小功率MOSFET的封裝需求。 商甲半導(dǎo)體 MOSFET 開(kāi)啟送樣,再嚴(yán)苛的環(huán)境也能扛住~ 專業(yè)供應(yīng),實(shí)力在線。廣西UPS電子元器件MOSFET
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn):貼片場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管
1:場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。
2:場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。
3:場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定,晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說(shuō),場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量,晶體管的放大能力用β衡量。
4:場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大,輸入電流極??;晶體管輸入阻抗很小,在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。
5:一般場(chǎng)效應(yīng)管功率較小,晶體管功率較大。 南通新型電子元器件MOSFET商甲半導(dǎo)體總部位于江蘇省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。
利用技術(shù)優(yōu)勢(shì),以國(guó)內(nèi)新技術(shù)代Trench/SGT產(chǎn)品作為一代產(chǎn)品;產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)優(yōu)勢(shì),結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度;打造全系列N/P溝道車規(guī)級(jí)MOSFET,為日益增長(zhǎng)的汽車需求助力;打造全系列CSPMOSFET,聚焦SmallDFN封裝;未來(lái)兩年內(nèi)做全硅基產(chǎn)品線并拓展至寬禁帶領(lǐng)域;
TO-252/SOT-23/PNDF5X6-8L/PDNF3X3-8L/SOT-23-3L/SOP-8/TO-220/TO-263/TOLL/SOT89-3L/DFN2030/SOT-89/TO-92/TO-251/TO-220F/TO-247/TO-263-7
公司目前已經(jīng)與國(guó)內(nèi)的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作,多平臺(tái)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量 產(chǎn),產(chǎn)品在開(kāi)關(guān)特性、導(dǎo)通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好,得到多家客戶的好評(píng)。公司定位新型Fabless 模式,在設(shè)計(jì)生產(chǎn)高性能產(chǎn)品基礎(chǔ)上,提供個(gè)性化參數(shù)調(diào)控,量身定制,多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產(chǎn)品齊全,可廣泛應(yīng)用于工控、光伏、 儲(chǔ)能、家電、照明、5G 通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域。公司在功率器件重要業(yè)務(wù)領(lǐng)域 已形成可觀的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和市場(chǎng)地位。
SOP(SmallOut-LinePackage)的中文釋義為“小外形封裝”它屬于表面貼裝型封裝技術(shù),其引腳設(shè)計(jì)呈海鷗翼狀(L字形),從封裝兩側(cè)引出。這種封裝方式可使用塑料或陶瓷兩種材料。此外,SOP也被稱為SOL和DFP。2、SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多種規(guī)格,其中數(shù)字部分表示引腳數(shù)量。在MOSFET的封裝中,SOP-8規(guī)格被采用,且業(yè)界常將P*部分省略,簡(jiǎn)稱為so(SmallOut-Line)。
SO-8采用塑料封裝,未配備散熱底板,因此散熱效果一般,主要適用于小功率MOSFET。
SO-8封裝技術(shù)初由PHILIP公司開(kāi)發(fā),隨后逐漸演變?yōu)門SOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)以及TSSOP(薄的縮小型SOP)等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。 無(wú)刷直流電機(jī)具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)工具、風(fēng)機(jī)、吸塵器、電風(fēng)扇、電動(dòng)自行車、電動(dòng)汽車等.
選擇合適的MOSFET是一個(gè)涉及多個(gè)因素的決策過(guò)程,這些因素包括但不限于器件的類型(N溝道或P溝道)、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟,用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET:
1.確定MOSFET的類型:選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中更為常見(jiàn)(用于開(kāi)關(guān)對(duì)地導(dǎo)通),而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用(用于對(duì)電源導(dǎo)通)。
2.選擇封裝類型:封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率,因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度來(lái)選擇封裝。在這個(gè)過(guò)程中,要充分計(jì)算熱阻,從而選擇合適的封裝,獲取優(yōu)異的散熱性能,從而提升MOSFET的可靠性和耐久性。 商家半導(dǎo)體60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車雨刷、汽車音響;泰州應(yīng)用電子元器件MOSFET
商甲產(chǎn)品參數(shù)一致性好,降低產(chǎn)品失效概率;可靠性高,滿足極端條件應(yīng)用需求,多方面保障電池安全穩(wěn)定運(yùn)行。廣西UPS電子元器件MOSFET
M?OS管應(yīng)用場(chǎng)景:
機(jī)器人
MOS管在機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用非常光,它可以作為放大器,能夠調(diào)節(jié)輸入信號(hào)的電壓,從而在不失真的情況下放大信號(hào),提升機(jī)器人傳感器系統(tǒng)的靈敏度和準(zhǔn)確性,這對(duì)于機(jī)器人在各種復(fù)雜環(huán)境和任務(wù)中的精確感知至關(guān)重要?。它還可以作為開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)精確控制?,能夠在不同的電壓和電流條件下控制電路的通斷,實(shí)現(xiàn)對(duì)機(jī)器人系統(tǒng)的精確控制,這種精確的控制能力使得機(jī)器人能夠執(zhí)行精細(xì)的動(dòng)作和復(fù)雜的任務(wù)。
作為智能集成度非常高的產(chǎn)品,智能機(jī)器人通常需要多種電源來(lái)滿足不同組件的電能需求,包括高壓和低壓電源。MOS功率放大器和開(kāi)關(guān)電源在機(jī)器人電源管理中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,能夠有效地管理這些電源,提供穩(wěn)定可靠的電能供應(yīng)。在機(jī)器人通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用?,現(xiàn)代智能機(jī)器人通常需要與其他設(shè)備、機(jī)器人或控制系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)通信。MOS管作為信號(hào)處理和調(diào)制的關(guān)鍵組成部分,確保信號(hào)的傳輸和接收的穩(wěn)定性和可靠性。 廣西UPS電子元器件MOSFET