從標(biāo)準(zhǔn)化到定制化:非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備的發(fā)展路徑
鋰電池自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)線的發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)創(chuàng)新
鋰電池后段智能制造設(shè)備的環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展
未來(lái)鋰電池產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì):非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備的作用與影響
非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的比較:哪個(gè)更適合您的業(yè)務(wù)
非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備投資回報(bào)分析:特殊定制的成本效益
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的維護(hù)與管理:保障長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的市場(chǎng)前景:投資分析與預(yù)測(cè)
新能源鋰電設(shè)備的安全標(biāo)準(zhǔn):保障生產(chǎn)安全的新要求
新能源鋰電設(shè)備自動(dòng)化:提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品一致性
在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)包裝前,每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過(guò)程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊,每個(gè)被稱為晶片(“die”)。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線,連接到封裝內(nèi),pads通常在die的邊上。封裝之后,設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進(jìn)行終檢。測(cè)試成本可以達(dá)到低成本 產(chǎn)品的制造成本的25%,但是對(duì)于低產(chǎn)出,大型和/或高成本的設(shè)備,可以忽略不計(jì)。在2005年,一個(gè)制造廠(通常稱為半導(dǎo)體工廠,常簡(jiǎn)稱fab,指fabrication facility)建設(shè)費(fèi)用要超過(guò)10億美元,因?yàn)榇蟛糠植僮魇亲詣?dòng)化的。| 體驗(yàn)先進(jìn)技術(shù),選擇無(wú)錫微原電子科技的芯片。嘉定區(qū)集成電路芯片哪家好
發(fā)展歷史
1965-1978年 創(chuàng)業(yè)期1965年,***批國(guó)內(nèi)研制的晶體管和數(shù)字電路在河北半導(dǎo)體研究所鑒定成功。1968年,上海無(wú)線電十四廠**制成PMOS(P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體)集成電路。
1970年,北京878廠、上海無(wú)線電十九廠建成投產(chǎn)。 [17]1972年,**塊PMOS型LSI電路在四川永川一四二四研究所制。1976年,中科院計(jì)算所采用中科院109廠(現(xiàn)中科院微電子研究所)研制的ECL(發(fā)射極耦合邏輯電路),研制成功1000萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)。
1978-1989年 探索前進(jìn)期1980年,**條3英寸線在878廠投入運(yùn)行。
1982年,江蘇無(wú)錫724廠從東芝引進(jìn)電視機(jī)集成電路生產(chǎn)線,這是**次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù);***成立電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組,制定了中國(guó)IC發(fā)展規(guī)劃,提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。 六合區(qū)集成電路芯片發(fā)展現(xiàn)狀| 無(wú)錫微原電子科技,用技術(shù)服務(wù)全球客戶群體。
***層次:又稱為芯片層次的封裝,是指把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固定、電路連線與封裝保護(hù)的工藝,使之成為易于取放輸送,并可與下一層次組裝進(jìn)行連接的模塊(組件)元件。第二層次:將數(shù)個(gè)第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成- -個(gè)電路卡的工藝。第三層次:將數(shù)個(gè)第二層次完成的封裝組裝的電路卡組合成在一個(gè)主電路板上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。第四層次:將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成為一個(gè)完整電子產(chǎn)品的工藝過(guò)程。在芯片.上的集成電路元器件間的連線工藝也稱為零級(jí)層次的封裝,因此封裝工程也可以用五個(gè)層次區(qū)分。
關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片),每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后,組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望,是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的,并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 Tinkertoy 項(xiàng)目)。[8][9][10]然而,隨著項(xiàng)目勢(shì)頭越來(lái)越猛,基爾比提出了一個(gè)新的**性設(shè)計(jì): 集成電路。
1958年7月,德州儀器新雇傭的基爾比記錄了他關(guān)于集成電路的**初想法,并于1958年9月12日成功演示了***個(gè)可工作的集成示例。[11]1959年2月6日,在他的專利申請(qǐng)中,[12]Kilby將他的新設(shè)備描述為“一種半導(dǎo)體材料……其中所有電子電路的組件都是完全集成的?!盵13]這項(xiàng)新發(fā)明的***個(gè)客戶是美國(guó)空軍。[14]基爾比贏得了2000年的冠物理諾貝爾獎(jiǎng),為了表彰他在集成電路發(fā)明中的貢獻(xiàn)。[15]2009年,他的工作被命名為IEEE里程碑。 | 無(wú)錫微原電子科技,推動(dòng)集成電路芯片行業(yè)發(fā)展。
發(fā)展:
**的集成電路是微處理器或多核處理器的**,可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。雖然設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高,但是當(dāng)分散到通常以百萬(wàn)計(jì)的產(chǎn)品上,每個(gè)集成電路的成本**小化。集成電路的性能很高,因?yàn)樾〕叽鐜?lái)短路徑,使得低功率邏輯電路可以在快速開(kāi)關(guān)速度應(yīng)用。這些年來(lái),集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展,使得每個(gè)芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能,見(jiàn)摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每1.5年增加一倍。 | 創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),無(wú)錫微原電子科技的芯片技術(shù)。宜興集成電路芯片
| 探索未來(lái),無(wú)錫微原電子科技的集成電路芯片技術(shù)。嘉定區(qū)集成電路芯片哪家好
晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后,各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用,取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步,使得集成電路成為可能。相對(duì)于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件,集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片,是一個(gè)巨大的進(jìn)步。集成電路的規(guī)模生產(chǎn)能力,可靠性,電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管。
集成電路對(duì)于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì):成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過(guò)照相平版技術(shù),作為一個(gè)單位印刷,而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開(kāi)關(guān),消耗更低能量,因?yàn)榻M件很小且彼此靠近。2006年,芯片面積從幾平方毫米到350 mm2,每mm2可以達(dá)到一百萬(wàn)個(gè)晶體管。 嘉定區(qū)集成電路芯片哪家好
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