應(yīng)注意,有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高,顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3)坐標(biāo)測(cè)量(1)設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。(2)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤(pán)讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí),全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...
應(yīng)用策略半導(dǎo)體制冷技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在醫(yī)藥領(lǐng)域中,工業(yè)領(lǐng)域中,即便是日常生活中也得以應(yīng)用,所以,該技術(shù)是有非常重要的發(fā)展前景的。例如,將半導(dǎo)體制冷技術(shù)用于現(xiàn)代的各種制冷設(shè)備中,諸如冰箱、空調(diào)等等,都可以配置電子冷卻器。半導(dǎo)體冰箱就是使用了半導(dǎo)體制...
空間電荷區(qū):擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合,而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合,所以在交界面附近多子的濃度下降,P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū),N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū),它們是不能移動(dòng),稱為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成:空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)??臻g電荷加寬,內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng),其...
同時(shí)其測(cè)距部分的外光路系統(tǒng)又能使測(cè)距部分的光敏二極管發(fā)射的調(diào)制紅外光在經(jīng)物鏡射向反光棱鏡后,經(jīng)同一路徑反射回來(lái),再經(jīng)分光棱鏡作用使回光被光電二極管接收;為測(cè)距需要在儀器內(nèi)部另設(shè)一內(nèi)光路系統(tǒng),通過(guò)分光棱鏡系統(tǒng)中的光導(dǎo)纖維將由光敏二極管發(fā)射的調(diào)制紅外光傳也送給光電...
基爾比之后半年,仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開(kāi)發(fā)了一種新的集成電路,比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成,而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫(kù)爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié),這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個(gè)晶體管...
**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝,這種封裝很多年來(lái)因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝,開(kāi)始是陶瓷,之后是塑料。20世紀(jì)80年代,VLSI電路的針腳超過(guò)了DIP封裝的應(yīng)用限制,***導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝...
關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片),每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后,組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望,是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的,并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 T...
光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...
電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證,美國(guó)的UL認(rèn)證,德國(guó)的VDE和TUV認(rèn)證以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證,來(lái)保證元器件的合格。 電子元器件的發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新...
全站儀具有角度測(cè)量、距離(斜距、平距、高差)測(cè)量、三維坐標(biāo)測(cè)量、導(dǎo)線測(cè)量、交會(huì)定點(diǎn)測(cè)量和放樣測(cè)量等多種用途。內(nèi)置**軟件后,功能還可進(jìn)一步拓展。全站儀的基本操作與使用方法 :1)水平角測(cè)量(1)按角度測(cè)量鍵,使全站儀處于角度測(cè)量模式,照準(zhǔn)***個(gè)目標(biāo)A。(2)...
晶體生長(zhǎng)類型將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體,并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀?;貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的,如果擠出速度快,則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體,如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚,高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過(guò)程中添加到溶解半...
繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中,它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 汽車?yán)^電器/信...
光電池當(dāng)光線投射到一個(gè)PN結(jié)上時(shí),由光激發(fā)的電子空穴對(duì)受到PN結(jié)附近的內(nèi)在電場(chǎng)的作用而向相反方向分離,因此在PN結(jié)兩端產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì),這就成為一個(gè)光電池。把日光轉(zhuǎn)換成電能的日光電池很受人們重視。較早應(yīng)用的日光電池都是用硅單晶制造的,成本太高,不能大量推廣使...
**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝,這種封裝很多年來(lái)因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝,開(kāi)始是陶瓷,之后是塑料。20世紀(jì)80年代,VLSI電路的針腳超過(guò)了DIP封裝的應(yīng)用限制,***導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝...
數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門(mén)電路或元器件數(shù)量,可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集...
由電力驅(qū)動(dòng)的非常小的機(jī)械設(shè)備可以集成到芯片上,這種技術(shù)被稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)。這些設(shè)備是在 20 世紀(jì) 80 年代后期開(kāi)發(fā)的 并且用于各種商業(yè)和***應(yīng)用。例子包括 DLP 投影儀,噴碼機(jī),和被用于汽車的安全氣袋上的加速計(jì)和微機(jī)電陀螺儀.自 21 世紀(jì)初以來(lái),將...
華為和合作伙伴正在朝這個(gè)方向走去——華為的計(jì)劃是做IDM,業(yè)內(nèi)人士對(duì)投中網(wǎng)表示。 IDM,是芯片領(lǐng)域的一種設(shè)計(jì)生產(chǎn)模式,從芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝到測(cè)試,覆蓋整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈。 一方面,華為正在從芯片設(shè)計(jì)向上游延伸。余承東曾表示,華為將***扎根,突破物...
大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對(duì)于電器的使用十分重要,是對(duì)電器的必要保護(hù)。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強(qiáng)度高,禁帶寬度寬,熱導(dǎo)性高,因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開(kāi)關(guān)頻率高的場(chǎng)合,電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高...
光電探測(cè)器光電探測(cè)器的功能是把微弱的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后經(jīng)過(guò)放大器將電信號(hào)放大,從而達(dá)到檢測(cè)光信號(hào)的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測(cè)器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測(cè)元件。十分微...
大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅,但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的,一般是通過(guò)多數(shù)載流子(N型半導(dǎo)體中的電子,P型半導(dǎo)體中的空穴)來(lái)負(fù)責(zé)的,但是,各...
模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、...
1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來(lái)放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年,點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是,這種點(diǎn)接觸型晶...
故障特點(diǎn):穩(wěn)壓二極管的故障主要表開(kāi)路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中,前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高;后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下:型號(hào)1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N473...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻(簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種: ①結(jié)型場(chǎng)...
LCR參數(shù)測(cè)試儀電感、電容、電阻參數(shù)測(cè)量?jī)x,不僅能自動(dòng)判斷元件性質(zhì),而且能將符號(hào)圖形顯示出來(lái),并顯示出其值。其還能測(cè)量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等參數(shù),且顯示出等效電路圖形。 、頻譜分析儀頻譜分析儀在頻域信號(hào)分析、測(cè)試、研究、維修中有著***...
展望未來(lái),無(wú)錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)堅(jiān)持以技術(shù)創(chuàng)新為**,加大研發(fā)投入,推動(dòng)產(chǎn)品和服務(wù)的升級(jí)換代。公司計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi),重點(diǎn)發(fā)展以下幾個(gè)方向: 一是持續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品線,提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。通過(guò)對(duì)材料、設(shè)計(jì)、工藝等方面的深入研究...
技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用,電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇?!笆晃濉卑l(fā)展重點(diǎn)我國(guó)《電子...
電解電容器的檢測(cè)A 因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多,所以,測(cè)量時(shí),應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),一般情況下,1~47μF間的電容,可用R×1k擋測(cè)量,大于47μF的電容可用R×100擋測(cè)量。B 將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬...
具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...
直讀法用直接指出被測(cè)量大小的指示儀表進(jìn)行測(cè)量,能夠直接從儀表刻度盤(pán)商或從顯示器上讀取被測(cè)量數(shù)值的測(cè)量方法,稱為直讀法。比較法將被測(cè)量與標(biāo)準(zhǔn)量在比較儀器中直接比較,從而獲得被測(cè)量數(shù)值的方法,稱為比較法。 時(shí)域測(cè)量時(shí)域測(cè)量也叫作瞬時(shí)測(cè)量,主要是測(cè)量被測(cè)量...