-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當(dāng)為各個(gè)應(yīng)用選擇IGBT驅(qū)動(dòng)器時(shí),必須考慮下列細(xì)節(jié):· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?!?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流?!?驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中,給出了每脈沖的比較大輸出電荷,該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。以MOS管為例,當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定的閾值時(shí),MOS管會(huì)導(dǎo)通;靜安區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)
表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化,因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸2⑶以贗GBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。金山區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)由單個(gè)電子元器件連接起來組成的驅(qū)動(dòng)電路,多用于功能簡單的小功率驅(qū)動(dòng)場合。
這樣一來,輸出高低電平時(shí),T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導(dǎo)通電阻都很小,使 RC 常數(shù)很小,轉(zhuǎn)變速度很快。因此,推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC(open collector)門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合,廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中。
(3)沖擊電流問題。由于可控硅前沿?cái)夭ㄊ沟幂斎腚妷嚎赡芤恢碧幱诜逯蹈浇?,輸入濾波電容將承受大的沖擊電流,同時(shí)還可能使得可控硅意外截止,導(dǎo)致可控硅不斷重啟,所以一般需要在驅(qū)動(dòng)器輸入端串接電阻來減小沖擊。(4)導(dǎo)通角較小時(shí)LED會(huì)出現(xiàn)閃爍。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角較小時(shí),由于此時(shí)輸入電壓和電流均較小,導(dǎo)致維持電流不夠或者芯片供電Vcc不夠,電路停止工作,使LED產(chǎn)生閃爍??煽仉娫淳€性調(diào)光存在的問題,即人眼在低亮度情況下對(duì)光線的細(xì)微變化很敏感;而在較亮?xí)r,由于人眼視覺的飽和,光線較大的變化卻不易被察覺。并提出了利用單片機(jī)編程來實(shí)現(xiàn)調(diào)光信號(hào)和調(diào)光輸出的非線性關(guān)系(如指數(shù)、平方等關(guān)系)的方法,使得人眼感覺的調(diào)光是一個(gè)線性平穩(wěn)過程。傳感器檢測到的物理量(如溫度、壓力等)可以通過驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為電信號(hào),以便進(jìn)行后續(xù)處理和分析。
如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。浦東新區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
效率:選擇合適的元件以提高電路的效率,減少功耗。靜安區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)
一、驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路是位于主電路和控制電路之間,用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路,即將控制電路輸出的信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管的程度,實(shí)現(xiàn)開關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。二、驅(qū)動(dòng)電路的作用功率放大:驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大,以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。提高系統(tǒng)可靠性:優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開關(guān)損耗,提高能量轉(zhuǎn)換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。靜安區(qū)推廣驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)
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