Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備,以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時(shí)***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件,它用特定語法的文字來說明要安裝的設(shè)備類型、生產(chǎn)廠商、型號(hào)、要拷貝的文件、拷貝到的目標(biāo)路徑,以及要添加到注冊表中的信息。通過讀取和解釋這些文字,Windows便知道應(yīng)該如何安裝驅(qū)動(dòng)程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅(qū)動(dòng)程序都帶有安裝信息文件。事實(shí)上,.inf文件不僅可用于安裝驅(qū)動(dòng)程序,還能用來安裝與硬件并沒有什么關(guān)系的軟件,例如Windows 98支持“Windows更新”功能,更新時(shí)下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件來說明如何安裝該部件的。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng):功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng),典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。寶山區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
實(shí)現(xiàn)電氣隔離:在需要電氣隔離的應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)電路通過光耦、變壓器等隔離器件,將輸入信號(hào)與輸出信號(hào)隔離開來,提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動(dòng)電路的分類按功率器件的接地類型分類:直接接地驅(qū)動(dòng):功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng):功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng),典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。按電路結(jié)構(gòu)分類:隔離型驅(qū)動(dòng)電路:包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。松江區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路銷售廠繼電器驅(qū)動(dòng)電路:通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,適用于需要隔離控制信號(hào)和負(fù)載的場合。
非隔離驅(qū)動(dòng)電路:不具有電氣隔離結(jié)構(gòu),多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見形式分類:直接驅(qū)動(dòng):由單個(gè)電子元器件(如二極管、三極管、電阻、電容等)連接起來組成的驅(qū)動(dòng)電路,多用于功能簡單的小功率驅(qū)動(dòng)場合。隔離驅(qū)動(dòng):電路包含隔離器件,常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片:在數(shù)字電源中應(yīng)用***,許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高,在低頻場合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng),而在高頻場合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作,會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。這種放大作用確保了信號(hào)具有足夠的能量去控制其他電子器件,如電機(jī)、LED顯示屏、傳感器等。
文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí),維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí),維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷,維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器,其**小導(dǎo)通角約為30°。傳感器驅(qū)動(dòng):驅(qū)動(dòng)電路可以將傳感器檢測到的物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),例如溫度傳感器、壓力傳感器等。寶山區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
隔離型驅(qū)動(dòng)電路:包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。寶山區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中,還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。寶山區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
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