所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個(gè)印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200由另一個(gè)印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件400的圖。參考回圖5，每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至輸入分流管606a，并且每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過(guò)輸入分流管606a進(jìn)入各冷卻管，并且被加熱的液體通過(guò)輸出分流管606b離開各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以704示出)。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來(lái)電！四川電感元件回收平臺(tái)
每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒(méi)有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120，所述計(jì)算部件包括處理器104和存儲(chǔ)器106。存儲(chǔ)器106包括多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。由雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲(chǔ)液器114適應(yīng)液體體積的改變。四川電感元件回收平臺(tái)上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！
1可以包括工作mtj器件106和調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調(diào)節(jié)mtj器件204和206。第二存儲(chǔ)單元202b,1可以根據(jù)與關(guān)于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法1300的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲(chǔ)器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對(duì)于實(shí)施此處描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個(gè)或多個(gè)步驟可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。圖9示出了對(duì)應(yīng)于步驟1302的一些實(shí)施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個(gè)底電極通孔。圖10示出了對(duì)應(yīng)于步驟1304的一些實(shí)施例的截面圖1000。在步驟1306中。
達(dá)到固定散熱機(jī)構(gòu)3的目的，之后打開管蓋6，并通過(guò)導(dǎo)管5向空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發(fā)熱量的時(shí)候，熱量被空心導(dǎo)熱塊31吸收，同時(shí)空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過(guò)連通管32和第二連接管34進(jìn)入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊31中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，歡迎您的來(lái)電哦！
分類器電路80接收反映關(guān)于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過(guò)人工比較一預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)獲取參考分類。預(yù)設(shè)電壓vt的微分決定信號(hào)dout于規(guī)范中規(guī)定的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。隨后，分類器電路80通過(guò)比較預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)產(chǎn)生反映關(guān)于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓(xùn)練階段312中，分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預(yù)設(shè)電壓vt更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32的經(jīng)加權(quán)值。mlc42基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。在推理/分類階段314中，分類器電路80基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。圖10是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的測(cè)量電路60的電路圖。參照?qǐng)D10，測(cè)量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602，以及一減法器604。s/h電路600經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一電壓v1進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一第二電壓v2進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括任何已知的s/h電路。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎您的來(lái)電哦！四川電感元件回收平臺(tái)
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例如，使用信號(hào)dout的電壓來(lái)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32。接下來(lái)，在基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)調(diào)整了權(quán)重之后，mlc42使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32對(duì)包括信號(hào)dout的電壓的驗(yàn)證數(shù)據(jù)進(jìn)行分類。接下來(lái)，在預(yù)測(cè)階段316中，mlc42基于推理/分類階段314中的分類結(jié)果來(lái)執(zhí)行預(yù)測(cè)。圖6的流程圖說(shuō)明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的基于具有圖3的機(jī)器學(xué)習(xí)電路42的電路30的迭代流程。參照?qǐng)D6，迭代流程類似于圖2的迭代流程，除了例如圖6的迭代流程包括在操作500中的一機(jī)器學(xué)習(xí)程序(在圖6中標(biāo)記為進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí))和在操作504中的獲取規(guī)范之外。在操作500中，mlc42進(jìn)行學(xué)習(xí)并產(chǎn)生一不成熟分類。使用者向mlc42提供一參考分類。如果不成熟分類不正確，則mlc42調(diào)整一權(quán)重。在本公開中，正確的分類指的是不成熟分類與參考分類相同。重復(fù)執(zhí)行前述過(guò)程，直到在操作502中判斷出在操作504的規(guī)范中獲取的一校正率能夠被滿足。校正率指的是正確分類的數(shù)量與總分類數(shù)量的比率。圖7的流程圖說(shuō)明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的基于圖6的迭代流程的圖5的訓(xùn)練階段312和推理/分類階段314。參照?qǐng)D7，在訓(xùn)練階段312中，不執(zhí)行操作200中的回轉(zhuǎn)率的調(diào)整。在操作500中，例如，收集100筆數(shù)據(jù)，其中80筆數(shù)據(jù)做為訓(xùn)練數(shù)據(jù)，并且20筆數(shù)據(jù)做為驗(yàn)證數(shù)據(jù)。四川電感元件回收平臺(tái)