在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過(guò)諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒(méi)有層240和層250。上海海谷電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供回收的公司，歡迎您的來(lái)電！江西電子元件物料回收收購(gòu)
根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過(guò)單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來(lái)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標(biāo)準(zhǔn)單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實(shí)質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實(shí)施例的所有特征。圖2示出在一些實(shí)施例中金屬線“ml”相對(duì)于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。 圖5和圖7示出單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實(shí)施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實(shí)施例。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)的標(biāo)準(zhǔn)單元scl的一部分。圖12a是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線c-c的截面圖。參照?qǐng)D11、圖12a、圖12b和圖12c，標(biāo)準(zhǔn)單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。福建高價(jià)電子元器件回收網(wǎng)上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來(lái)我司咨詢(xún)。
本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤(pán)進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢(shì)下的目標(biāo)。如中國(guó)發(fā) 明 公開(kāi)號(hào)“cn”名稱(chēng)為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開(kāi)了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個(gè)4×4的鍵盤(pán)，一個(gè) 處理器cpu，兩個(gè)鐵電存儲(chǔ)器32k×2和一個(gè)多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動(dòng)態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡(jiǎn)單。如中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)“cn”名稱(chēng)為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的 公開(kāi)了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲(chǔ)器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過(guò)指紋觸摸對(duì)固定指令進(jìn)行操作，動(dòng)態(tài)輸入性較差。針對(duì)于目前工廠對(duì)產(chǎn)品制造良率的要求越來(lái)越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯(cuò)誤判的問(wèn)題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。
每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)sadp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12 。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達(dá)式2表示。參照?qǐng)D10，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過(guò)saqp形成。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達(dá)式3表示。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶(hù)來(lái)電！
本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。背景技術(shù)：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應(yīng)用要求越來(lái)越多和隔離電壓越來(lái)越高，而半導(dǎo)體隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦技術(shù)效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領(lǐng)域一個(gè)重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機(jī)基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F(xiàn)有技術(shù)中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號(hào)傳輸不得不采用180MHz的調(diào)制信號(hào)，電路非常復(fù)雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對(duì)于采用微變壓器方案的半導(dǎo)體隔離技術(shù)，由于微變壓器方案電感量，耦合系數(shù)太低，也增加了傳輸電路的復(fù)雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶(hù)需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)的電源，客戶(hù)使用不方便。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！廣東進(jìn)口晶振回收廠家
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所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開(kāi)口朝上的環(huán)形槽，所述開(kāi)口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開(kāi)口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開(kāi)口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)孔均采用激光打孔。所述若干外過(guò)孔包括初級(jí)繞組外過(guò)孔和次級(jí)繞組外過(guò)孔，所述若干內(nèi)過(guò)孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔和次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過(guò)孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對(duì)應(yīng)處設(shè)置有開(kāi)窗。由印制線連接過(guò)孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒(méi)有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。江西電子元件物料回收收購(gòu)
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