等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)?；?10可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個(gè)可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個(gè)鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個(gè)有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個(gè)有源區(qū)ac之間。多個(gè)有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個(gè)有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的不要錯(cuò)過哦！江蘇電子料上門回收行情
轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內(nèi)壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機(jī)構(gòu)2能夠方便散熱機(jī)構(gòu)3與芯片本體1進(jìn)行連接。散熱機(jī)構(gòu)3包括與l形桿23側(cè)壁固定連接的空心導(dǎo)熱塊31，空心導(dǎo)熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動(dòng)連接，空心導(dǎo)熱塊31的上表面固定連通有多個(gè)連通管32，多個(gè)同側(cè)連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個(gè)空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個(gè)第二連通管34，多個(gè)同側(cè)第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。第二空心散熱塊35的頂端固定連接有多個(gè)錐形塊4，錐形塊4能夠便捷水珠凝結(jié)?？招膶?dǎo)熱塊31的外壁固定連通有導(dǎo)管5，導(dǎo)管5遠(yuǎn)離空心導(dǎo)熱塊31的一端螺紋連接有管蓋6，導(dǎo)管5便于向空心導(dǎo)熱塊32內(nèi)加水?？招膶?dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35的材質(zhì)均為不銹鋼，且能夠避免空心導(dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35銹蝕損壞。本實(shí)用新型中，當(dāng)芯片本體1與集塵電路板安裝的時(shí)候，首先把l形桿23插入螺紋塊21的凹槽22中，接著通過螺母25與螺紋塊21連接。甘肅廢棄電子料回收行情回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！
可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的四倍心軸節(jié)距pqg。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22、柵極節(jié)距pg21和第三柵極節(jié)距pg23。在一些實(shí)施例中，第三柵極節(jié)距pg23是距下一個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的距離。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以彼此不同。柵極節(jié)距pg21、第二柵極節(jié)距pg22和第三柵極節(jié)距pg23可以由表達(dá)式3表示。表達(dá)式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表達(dá)式3中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wqg表示四倍心軸圖案qpg的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。在下文中，將參照?qǐng)D8、圖9和圖10描述通過saqp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照?qǐng)D8、圖9和圖10，單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中的每個(gè)可以包括分別布置在方向x上的十二條列金屬線ml1至ml12和八條柵極線gl1至gl8。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方順序地形成四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3以及雙心軸圖案dpm1至dmp6。例如。
所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級(jí)繞組外過孔和次級(jí)繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過孔和次級(jí)繞組內(nèi)過孔。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對(duì)應(yīng)處設(shè)置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法可以來我司咨詢！
四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個(gè)，可以使用三個(gè)四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié) 距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照?qǐng)D8，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照?qǐng)D9?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！內(nèi)蒙古電容電阻回收公司
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根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。實(shí)施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實(shí)施例可以應(yīng)用于諸如存儲(chǔ)器卡、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)(pc)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、工作站、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)字tv、機(jī)頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛 擬現(xiàn)實(shí)(vr)裝置、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對(duì)示例實(shí)施例的說明，而不應(yīng)被解釋為對(duì)其進(jìn)行限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，可以在示例實(shí)施例中進(jìn)行許多修改。江蘇電子料上門回收行情
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