圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！上海電子料上門回收聯(lián)系方式
將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn) 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。內(nèi)蒙古電感元件回收行情上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待為您服務(wù)！
存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件504和第二調(diào)節(jié)mtj器件506。調(diào)節(jié)mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應(yīng)于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調(diào)節(jié)mtj器件504具有尺寸(例如。
可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應(yīng)，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標(biāo)簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節(jié)距pdm并且雙倍心軸節(jié)距pdm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有需求可以來電咨詢！
技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。本實用新型的目的通過下述技術(shù)方案來實現(xiàn)：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠(yuǎn)程后臺服務(wù)器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠(yuǎn)程后臺服務(wù)器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連；所述數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊包括下載判斷模塊、校準(zhǔn)綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊傳輸連接。作為方式之一，所述電容式觸摸模塊包括感應(yīng)觸控芯片，感應(yīng)觸控芯片與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊數(shù)據(jù)傳輸連接。作為方式之一，所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種方式之一，所述遠(yuǎn)程后臺服務(wù)器通過tcp/ip協(xié)議與無線網(wǎng)關(guān)裝置相連。作為一種方式之一，無線網(wǎng)關(guān)裝置通過無線傳輸方式與通訊模塊相連。本實用新型針對工廠需求，治具與電腦結(jié)合來提升產(chǎn)品的質(zhì)量?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！山西二極管回收收購
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導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū) ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠(yuǎn))的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。上海電子料上門回收聯(lián)系方式
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