根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標(biāo)準(zhǔn)單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。 圖5和圖7示出單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)的標(biāo)準(zhǔn)單元scl的一部分。圖12a是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線c-c的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標(biāo)準(zhǔn)單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！山東電子料上門回收量大從優(yōu)
根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、個人計算機(jī)(pc)、服務(wù)器計算機(jī)、工作站、膝上型計算機(jī)、數(shù)字tv、機(jī)頂盒、便攜式、導(dǎo)航系統(tǒng)、可穿戴裝置、物聯(lián)網(wǎng)(iot)裝置、萬物網(wǎng)(ioe)裝置、電子書、虛 擬現(xiàn)實(vr)裝置、增強(qiáng)現(xiàn)實(ar)裝置等的系統(tǒng)。前述內(nèi)容是對示例實施例的說明，而不應(yīng)被解釋為對其進(jìn)行限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例實施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在實質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，可以在示例實施例中進(jìn)行許多修改。青海二極管回收上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的不要錯過哦！
可以通過執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負(fù)電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據(jù)一些示例實施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網(wǎng)線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網(wǎng)線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網(wǎng)線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網(wǎng)線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標(biāo)準(zhǔn)單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應(yīng)的電力軌對。根據(jù)示例實施例，如圖16中所示。
圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進(jìn)行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法的可以來電咨詢！
存儲介質(zhì)1100(例如，存儲裝置)可以存儲標(biāo)準(zhǔn)單元庫sclb1110。標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110可以從存儲介質(zhì)1100被提供給設(shè)計模塊1400。標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110可以包括多個標(biāo)準(zhǔn)單元，并且標(biāo)準(zhǔn)單元可以是用于設(shè)計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質(zhì)1100可以包括用于將命令和/或數(shù)據(jù)提供給計算機(jī)作為計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)的任何計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。例如，計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以包括諸如隨機(jī)存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可以入到計算機(jī)中，可以被集成在計算機(jī)中，或者可以通過諸如網(wǎng)絡(luò)和/或無線鏈接的通信介質(zhì)連接到計算機(jī)。設(shè)計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術(shù)語“模塊”可以指示但不限于執(zhí)行特定任務(wù)的軟件和/或硬件組件(諸如，現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質(zhì)中，并且可以在一個或多個處理器上執(zhí)行。例如。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法的不要錯過哦！海南電容電阻回收平臺
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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié) 距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。山東電子料上門回收量大從優(yōu)
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