本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標(biāo)。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態(tài)輸入性較差。針對于目前工廠對產(chǎn)品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！甘肅電子元件物料回收中心
存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件504和第二調(diào)節(jié)mtj器件506。調(diào)節(jié)mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應(yīng)于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調(diào)節(jié)mtj器件504具有尺寸(例如。江蘇電子元件回收收購回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！
等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)?；?10可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區(qū)ac之間。多個有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解本發(fā)明的許多可能的應(yīng)用和變化。除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開的實施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。應(yīng)當(dāng)理解，例如在常用詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且不應(yīng)該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過于正式的意義。機器學(xué)習(xí)經(jīng)配置以各種設(shè)置以通過使用示例來執(zhí)行任務(wù)。例如，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可經(jīng)配置以執(zhí)行沒有任務(wù)特定編程的任務(wù)。也就是說，可以從先前數(shù)據(jù)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以對來自當(dāng)前數(shù)據(jù)的信息進行分類或推斷。例如，訓(xùn)練數(shù)據(jù)可經(jīng)配置以通過分析信號的電壓來識別從駕駛員輸出端的信號的回轉(zhuǎn)率。雖然使用基于電壓的回轉(zhuǎn)率識別作為示例，但這是說明性的，并且任何合適的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)任務(wù)可以由下面描述的實施例執(zhí)行。圖1的示意圖說明調(diào)整信號的回轉(zhuǎn)率的比較方法。參考圖1，一集成電路(integratedcircuit，ic)元件10包括一驅(qū)動器電路102和一回轉(zhuǎn)率控制(slewratecontrol，src)電路104。驅(qū)動器電路102經(jīng)配置以接收一信號din，并通過增加信號din的驅(qū)動能力來驅(qū)動出ic元件10上的一信號dout。根據(jù)src電路104提供的一回轉(zhuǎn)率?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！
圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司。浙江高價電子元器件回收中心
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將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn) 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。甘肅電子元件物料回收中心
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