1可以包括工作mtj器件106和調(diào)節(jié)訪問裝置108，調(diào)節(jié)訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調(diào)節(jié)mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據(jù)與關(guān)于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實(shí)施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。圖9示出了對應(yīng)于步驟1302的一些實(shí)施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。圖10示出了對應(yīng)于步驟1304的一些實(shí)施例的截面圖1000。在步驟1306中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法可以來我司咨詢！江西二極管回收網(wǎng)
導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區(qū) ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠(yuǎn))的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。云南三極管回收價(jià)格上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法可以來我司咨詢！
本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標(biāo)。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的 公開了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進(jìn)行操作，動態(tài)輸入性較差。針對于目前工廠對產(chǎn)品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。
夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內(nèi)層ito為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點(diǎn)吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計(jì)算，得出觸摸點(diǎn)的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種實(shí)施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓寬，使用ttl串口，很容易嵌入到手持設(shè)備中。支持協(xié)議:iso15693尺寸大小:長x寬x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作電壓:～工作頻率：支持標(biāo)簽：讀卡距離：5～10cm通信接口:ttluart，方便與單片機(jī)或嵌入式系統(tǒng)連接。本所述所述錄入裝置的使用過程為：將單片pcba放到軟件錄入裝置中，扣合裝置，程序自動識別主板并錄入預(yù)置的軟件，錄入成功顯示pass,錄入失敗則顯示fail，非常的方便。針對工廠需求，治具與電腦結(jié)合來提升產(chǎn)品的質(zhì)量，電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！
可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應(yīng)，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標(biāo)簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節(jié)距pdm并且雙倍心軸節(jié)距pdm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。中國臺灣廢棄電子料回收量大從優(yōu)
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等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)?；?10可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區(qū)ac(參見圖12c)。多個有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區(qū)ac之間。多個有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。江西二極管回收網(wǎng)
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