設(shè)備焊接條件對元器件的耐溫要求如表8所示。表8設(shè)備焊接條件對元器件的耐溫要求注：?數(shù)據(jù)來源：IPC/JEDECJ-STD-0**；?所有封裝元器件能承受5次焊接者為推薦元器件；?所有支持波峰焊接的元器件必須能支持2次正常波峰焊接；?所有支持回流焊接的元器件必須能支持3次正常波峰焊接；?元器件支持手工返修的能力為：350℃，持續(xù)5s。手工焊接對元器件的耐溫要求如表9所示（*供參考）。表9手工焊接對元器件的耐溫要求注：實際焊接過程中，由于焊盤設(shè)計和印制板散熱情況的不同，參數(shù)略有調(diào)整。耐潮濕性能要求1．濕度對電子元器件的危害據(jù)統(tǒng)計，全球每年有1/4以上的工業(yè)制造不良品與潮濕的危害有關(guān)。對于電子工業(yè)，潮濕的危害已經(jīng)成為影響產(chǎn)品質(zhì)量的主要因素之一。電子元器件看起來是密封和防潮的，但實際情況恰恰相反，隨著時間的推移，元器件會不斷吸收空氣中的潮氣，吸潮程度與構(gòu)成元器件的材料成分和制造工藝、運輸及使用條件密切相關(guān)。大氣中的水分會通過擴散滲透到濕度敏感元器件的封裝材料內(nèi)部。在組裝過程中，元器件將經(jīng)歷溫度迅速變化的過程。以回流焊為例，在回流區(qū)，整個元器件要在183℃以上持續(xù)60～90s，高溫度可能在210～235℃（SnPb共晶）。電子元器件回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。北京批量電子元器件回收平臺
一般標(biāo)有色點的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。③以阻值較小的一次測量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。B）檢測比較高工作頻率fM晶體二極管工作頻率，除了可從有關(guān)特性表中查閱出外，實用中常常用眼睛觀察二極管內(nèi)部的觸絲來加以區(qū)分，如點接觸型二極管屬于高頻管，面接觸型二極管多為低頻管。另外，也可以用萬用表R×1k擋進(jìn)行測試，一般正向電阻小于1K的多為高頻管。C）檢測比較高反向擊穿電壓VRM對于交流電來說，因為不斷變化，因此比較高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。需要指出的是，比較高反向工作電壓并不是二極管的擊穿電壓。一般情況下，二極管的擊穿電壓要比比較高反向工作電壓高得多（約高一倍）。2、檢測玻封硅高速開關(guān)二極管檢測硅高速開關(guān)二極管的方法與檢測普通二極管的方法相同。不同的是，這種管子的正向電阻較大。用R×1k電阻擋測量，一般正向電阻值為5K～10K，反向電阻值為無窮大。3、檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管用萬用表檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的方法基本與檢測塑封硅整流二極管的方法相同。即先用R×1k擋檢測一下其單向?qū)щ娦裕话阏螂娮铻?5K左右，反向電阻為無窮大。寧波電子元器件回收上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子元器件回收的公司，有需求可以來電咨詢！
用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。3、雙向可控硅的檢測用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接陽極A1，此時萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)。
B）將一光源對準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口。此時萬用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動，阻值明顯減小。此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C）將光敏電阻透光窗口對準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動，使其間斷受光，此時萬用表指針應(yīng)隨黑紙片的晃動而左右擺動。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動而擺動，說明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。電容器的檢測方法與經(jīng)驗1、固定電容器的檢測A）檢測10pF以下的小電容因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進(jìn)行測量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測量時，可選用萬用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳，阻值應(yīng)為無窮大。若測出阻值（指針向右擺動）為零，則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。B）檢測10PF～001μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要小?？蛇x用3DG6等型號硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大。電子元器件回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！
8)價格及供貨保證選型時盡量選擇量產(chǎn)的芯片，慎選樣片階段的芯片。9)仿真器和開發(fā)平臺確認(rèn)開發(fā)時所使用的仿真器以及軟件開發(fā)平臺，推薦公司已有的開發(fā)工具和開發(fā)平臺支持的處理器。10)OS及開發(fā)工具確認(rèn)處理器支持的OS以及BSP，以及提供開發(fā)用例的豐富程度。11)勘誤資料查閱新版本的芯片勘誤資料，確認(rèn)芯片的限制使用條件。12)技術(shù)支持推薦**度高的半導(dǎo)體公司的產(chǎn)品，選擇市面上使用較廣、可利用的軟硬件資源較多的芯片，盡量選擇有廠家或者代理商技術(shù)支持的芯片。1)并行FLASH品牌推薦SPANSION、SST，SAMSUNG。2)串行FLASH品牌推薦ATMEL。品牌推薦ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。1)禁止選用并行的EEPROM。2)串行EEPROM品牌推薦ATMEL和MICROCHIP。3)新的產(chǎn)品禁止選用24LC65-I/SM。1)禁選撥碼開關(guān)。2)電源開關(guān)推薦船形開關(guān)。3)觸點電壓和電流需降額使用。：3)額定電壓：加載的電壓≤額定電壓*50％；4)額定電流：加載電流≤額定電流*50％。5)多芯連接器，額定電流降額使用（esp.大電流）。6)絕緣阻抗。7)抗電強度：單位時間所能耐的電壓。8)接觸電阻：指插針和插孔接觸部分產(chǎn)生的電阻，高頻、mV/mA級別時影響信號質(zhì)量。9)鍍層材料。電子元器件回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！南通電子元器件回收中心
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焊接場效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時，不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應(yīng)管時必須注意。E）在安裝場效應(yīng)管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運用，必須設(shè)計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場效應(yīng)管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā)，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應(yīng)管。3、VMOS場效應(yīng)管VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不*繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流?。é藺左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。北京批量電子元器件回收平臺
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