繼電器工作原理一、繼電器的定義繼電器是-種當(dāng)輸入量(電、磁、聲、光、熱)達(dá)到一定值時(shí),輸出量將發(fā)生跳躍式變化的自動(dòng)控制器件。二、繼電器的繼電特性繼電器的輸入信號(hào)x從零連續(xù)增加達(dá)到銜鐵開(kāi)始吸合時(shí)的動(dòng)作值xx,繼電器的輸出信號(hào)立刻從y=0跳躍到y(tǒng)=ym,即常開(kāi)觸點(diǎn)從斷到通。一旦觸點(diǎn)閉合，輸入量x繼續(xù)增大，輸出信號(hào)y將不再起變化。當(dāng)輸入量x從某一大于xx值下降到xf,繼電器開(kāi)始釋放，常開(kāi)觸點(diǎn)斷開(kāi)(如圖1)。我們把繼電器的這種特性叫做繼電特性，也叫繼電器的輸入-輸出特性。釋放值xf與動(dòng)作值xx的比值叫做反饋系數(shù)即Kf=xf/xx觸點(diǎn)上輸出的控制功率Pc與線(xiàn)圈吸收的小功率PO之比叫做繼電器的控制系數(shù)即Kc=PC/PO繼電器的分類(lèi)繼電器的分類(lèi)方法較多，可以按作用原理、外形尺寸、保護(hù)特征、觸點(diǎn)負(fù)載、產(chǎn)品用途等分類(lèi)。一、按作用原理分1.電磁繼電器在輸入電路內(nèi)電流的作用下，由機(jī)械部件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生預(yù)定響應(yīng)的一種繼電器。它包括直流電磁繼電器、交流電磁繼電器、磁保持繼電器、極化繼電器、舌簧繼電器，節(jié)能功率繼電器。(1).直流電磁繼電器:輸入電路中的控制電流為直流的電磁繼電器。(2)交流電磁繼電器:輸入電路中的控制電流為交流的電磁繼電器。。
1）焊接工藝對(duì)元器件耐溫的要求電子元器件的耐熱性能還包括耐焊接溫度。而對(duì)于元器件耐焊接溫度的要求，則需根據(jù)產(chǎn)品的組裝工藝來(lái)確定，因?yàn)椴煌暮附庸に噷?duì)元器件的耐熱能力要求是不同的。不同焊接工藝對(duì)元器件的耐熱能力要求如下：①熱風(fēng)回流焊工藝：要求能在215～230℃溫度下，承受至少10個(gè)焊接周期的加熱。②波峰焊工藝：要求能在260℃溫度下持續(xù)10s。③氣相焊工藝：要求能在215℃下溫度持續(xù)60s。④紅外回流焊工藝：要求能在230℃溫度下持續(xù)20s。因此在選用元器件時(shí)，應(yīng)遵循與生產(chǎn)單位焊接設(shè)備相適應(yīng)的原則。（2）元器件封裝及內(nèi)部連接工藝要求元器件耐高溫性能，除與封裝材料有關(guān)外，還與其內(nèi)部連接方式有關(guān)。IC的內(nèi)部連接方法有金絲球焊、超聲壓焊，還有倒裝焊等方法，特別是BGA、CSP和組合式復(fù)合元器件、模塊等新型元器件，其內(nèi)部連接用材料通常采用表面組裝用的相同焊料，連接工藝也是回流焊工藝，因此也要符合回流焊鉛焊接的要求。（3）組裝工藝對(duì)元器件的特殊耐溫要求在電子元器件選用過(guò)程中，由于工藝制程原因，對(duì)元器件有特殊溫度要求時(shí)，工藝人員應(yīng)在選型之初提前與廠(chǎng)家溝通，達(dá)成一致意見(jiàn)，并將協(xié)商結(jié)果加入規(guī)格書(shū)。深圳電子元器件回收服務(wù)電子元器件回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選。
應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。D）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。E）用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)ＶＭＯＳＮ溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。
高溫存儲(chǔ)狀態(tài)、高低溫循環(huán)、高低溫沖擊等問(wèn)題是造成電子元器件出現(xiàn)老化現(xiàn)象的主要原因。3電子器件的檢測(cè)技術(shù)檢測(cè)技術(shù)以參數(shù)檢測(cè)信號(hào)與分析等信息獲取技術(shù)為基礎(chǔ)，分析和研究開(kāi)發(fā)的一種綜合性的電子元器件檢測(cè)技術(shù)。該檢測(cè)技術(shù)不*涉及內(nèi)容非常，而且國(guó)家還成立了專(zhuān)門(mén)的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)電子元器件設(shè)備參數(shù)性能的檢測(cè)。以電子技術(shù)作為基本手段的測(cè)試技術(shù)電子檢測(cè)就是以電子技術(shù)的相關(guān)理論為基礎(chǔ)，使用電子設(shè)備或者相關(guān)電子測(cè)試儀器，完成對(duì)電子元器件電量與費(fèi)電量的測(cè)量。由于電子元器件檢測(cè)過(guò)程中，檢測(cè)內(nèi)容的不同終獲得的檢測(cè)數(shù)據(jù)也存在一定的差異，所以檢測(cè)人員在日常工作的過(guò)程中，必須對(duì)時(shí)間、頻率、相位、電壓以及阻抗等基本參數(shù)的檢測(cè)予以充分的重視，才能達(dá)到提高電子元器件性能檢測(cè)精確度的目的。隨著我國(guó)電子元器件檢測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展，電子元器件檢測(cè)在航天航空、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究等領(lǐng)域得到了的推廣和應(yīng)用。檢測(cè)特點(diǎn)由于電子元器件頻率測(cè)量具有范圍寬、精度高、速度快且簡(jiǎn)單方便等各方面的特點(diǎn)。工作人員在進(jìn)行電子元器件的檢測(cè)時(shí)，必須根據(jù)電子元器件使用的特點(diǎn)和要求等為基礎(chǔ)，選擇符合要求的檢測(cè)方法，確保電子元器件性能檢測(cè)的順利進(jìn)行。上海海谷電子有限公司電子元器件回收獲得眾多用戶(hù)的認(rèn)可。
只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)啵藭r(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。2、單向可控硅的檢測(cè)萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋。電子元器件回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，有需求可以來(lái)電咨詢(xún)！廣州呆滯電子元器件回收中心
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用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線(xiàn)瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。3、雙向可控硅的檢測(cè)用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為陽(yáng)極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2，紅表筆接陽(yáng)極A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線(xiàn)將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線(xiàn)，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線(xiàn)，紅表筆接第二陽(yáng)極A2，黑表筆接陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)。珠海電子元器件回收處理
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